GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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Field(電界)<br />
ーフィールドプレート(FP)ー<br />
電界の一極集中の分散化<br />
フィールドプレート<br />
(FP)<br />
S<br />
G<br />
D<br />
Al<strong>GaN</strong><br />
without FP<br />
<strong>GaN</strong><br />
ピーク電界の減少<br />
with FP<br />
オン抵抗増加率<br />
(RHV-RLV)/RLV [%]<br />
ピーク電界強度<br />
は1.5MV/cm 以<br />
下にする必要が<br />
ある。<br />
電界強度とオン抵抗<br />
増加率との関係<br />
VDD=300V<br />
最大電界ピーク(MV/cm)<br />
(東芝セミコンダクター社、SEMI FORUM JAPAN<br />
<strong>パワーデバイス</strong>セミナーから引用)<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.
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