GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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ー<strong>GaN</strong> HFETで電界強度を低減する新手法ー<br />
<strong>GaN</strong>/Al<strong>GaN</strong>/<strong>GaN</strong> 分極接合(PJ)は<br />
Siスーパージャンクションと同様な<br />
効果を得ることができる。<br />
Si SJ-MOS<br />
p<br />
p<br />
p<br />
n<br />
空乏化<br />
n +<br />
逆バイアス<br />
n +<br />
空乏化<br />
<strong>GaN</strong>/Al<strong>GaN</strong>/<strong>GaN</strong><br />
正孔<br />
i-<strong>GaN</strong><br />
i-Al<strong>GaN</strong><br />
i-<strong>GaN</strong><br />
電子 分極電荷<br />
i-<strong>GaN</strong><br />
i-Al<strong>GaN</strong><br />
i-<strong>GaN</strong><br />
分極電荷<br />
<strong>GaN</strong>/Al<strong>GaN</strong>/<strong>GaN</strong><br />
バンド構造<br />
価電子帯 価電子帯 伝導帯<br />
電子<br />
伝導帯<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.<br />
正孔<br />
V<br />
電子エネルギー 電子エネルギー<br />
Al<strong>GaN</strong><br />
<strong>GaN</strong><br />
p-<strong>GaN</strong><br />
p-<strong>GaN</strong><br />
u-<strong>GaN</strong>
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