GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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ー電流コラプスー<br />
Ron HV / Ron initial<br />
比較HFETは、FPなし、保護膜なし、Schottky<br />
電極であり、コラプスは激しかった。<br />
同一ウエファ上のSuper HFETは、ほぼゼロ<br />
のコラプス(@350V)。<br />
6<br />
5<br />
4<br />
3<br />
2<br />
1<br />
Reference<br />
HFET<br />
Super HFET<br />
0 100 200 300 400<br />
Stress Voltage [V]<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.<br />
Vd<br />
(20->350 V)<br />
Vg = -15 V<br />
1 s<br />
stress<br />
測定シーケンス<br />
Id<br />
Vd=+2V<br />
Vg=0V<br />
measure<br />
200 ms<br />
transient<br />
time
Change language