GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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Drain Current [A/mm]<br />
ーSuper HFETのId-Vd 特性の<br />
温度依存性ー<br />
250℃にてもしっかりpinch-off<br />
電流減少量が音響散乱で説<br />
明できるか<br />
0.3<br />
0.2<br />
0.1<br />
Super HFET<br />
Super HFET<br />
25 ℃<br />
250 ℃<br />
Vg = 0 V<br />
-2 V step<br />
0<br />
0 5 10 15<br />
Drain Voltage [V]<br />
Reference HFET<br />
0<br />
0 5 10 15<br />
Drain Voltage [V]<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.<br />
Drain Current [A/mm]<br />
比較HFETは150℃以上では<br />
pinch-offしなかった。<br />
0.3<br />
0.2<br />
0.1<br />
Reference HFET<br />
Vg = 0 V<br />
25 ℃<br />
-2 V step<br />
150℃
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