GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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ーRonA vs. BV トレードオフプロットー<br />
R onA [mWcm 2 ]<br />
10<br />
1<br />
0.1<br />
June/2011<br />
Intrinsic<br />
Toshiba<br />
IMEC<br />
Rohm(SiC)<br />
Panasonic<br />
PJ-SBD<br />
100 1,000<br />
Furukawa<br />
Breakdown Voltage, V B [V]<br />
ELO-<strong>GaN</strong>ダイオードはBV(ブロッキング電圧)<br />
が、SiCダイオードより低い<br />
結晶および素子構造の進展により増大。<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.
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