GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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ー分極接合(PJ)を<strong>GaN</strong>-HFETに実装ー<br />
(Super HFETとネーミング)<br />
Lg:2 mm<br />
PJ層にBase電極を形成する。(4端子素子)<br />
ソース(S),ゲート(G),ドレーン(D)はAl<strong>GaN</strong>表面<br />
ゲート(G)とベース(B)と接続<br />
ゲート(G)はSchottky電極<br />
保護膜はなし<br />
3mm 3mm<br />
Lsd:22 mm<br />
Lgd:17 mm<br />
Lp:8 mm<br />
Base<br />
p-<strong>GaN</strong><br />
S G<br />
i-<strong>GaN</strong><br />
D S G<br />
D<br />
i-Al<strong>GaN</strong><br />
i-<strong>GaN</strong><br />
Sapphire sub.<br />
6 mm<br />
Lg:2 mm<br />
Lsd:22 mm<br />
Lgd:17 mm<br />
i-Al<strong>GaN</strong><br />
i-<strong>GaN</strong><br />
Sapphire sub.<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.<br />
3mm<br />
Super HFET Reference HFET
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