GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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S<br />
ー電流コラプスの原因ー<br />
GとD間に高電圧を印加すると<br />
電子が<strong>GaN</strong>の深い準位にトラップ<br />
電子がAl<strong>GaN</strong>層にトラップ<br />
リーク電子が表面にトラップ<br />
Field(電界)<br />
G<br />
リーク<br />
電子<br />
トラップ<br />
電子<br />
Al<strong>GaN</strong><br />
チャネル<br />
電子<br />
<strong>GaN</strong><br />
D<br />
空乏層化<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.<br />
S<br />
チャネルが高抵抗化する<br />
トラップ電子が負バイアス効果を<br />
呈し、チェネルを空乏化する<br />
結果、チェネルが高抵抗化する<br />
結果、電流が減少する<br />
G<br />
高電界加速による<br />
“hot electron”<br />
の生成<br />
Al<strong>GaN</strong><br />
<strong>GaN</strong><br />
D
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