GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
SHOW LESS
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
ーオン抵抗の比較ー<br />
Super HFETのオン抵抗:世間並み<br />
→デバイス最適化により更に低下する。<br />
2端子super-SBDのオン抵抗:非常に小さい。<br />
RonA (mW cm 2 )<br />
10<br />
1<br />
0.1<br />
100<br />
Super HFETs<br />
Toshiba<br />
IMEC<br />
1,000<br />
BV ( V )<br />
Furukawa<br />
Panasonic<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.<br />
SBD
Change language