パンフレット - 科学技術振興機構

次 世 代 エレクトロニクス
デバイスの 創 出 に
資 する 革 新 材 料 ・プロセス
研 究
戦 略 目 標
新 原 理 ・ 新 機 能 ・ 新 構 造 デバイス 実 現
のための 材 料 開 拓 とナノプロセス 開 発
平 成 19 年 度 採 択
機 能 性 酸 化 物 を 用 いた 界 面 相 転 移
スイッチングデバイスの 開 発
秋 永 広 幸
( 独 ) 産 業 技 術 総 合 研 究 所 ナノ 電 子 デバイス
研 究 センター 研 究 センター 長
金 属 / 絶 縁 性 酸 化 膜 の 界 面 電 子 状
態 および 強 相 関 相 転 移 の 物 性 制 御
研 究 を 通 して、それを 利 用 した 不 揮 発
性 スイッチングデバイス 技 術 の 開 発 を
行 います。
極 微 細 加 工 用 レジスト 研 究 とプロセス
シミュレーターの 開 発
田 川 精 一
大 阪 大 学 産 業 科 学 研 究 所 特 任 教 授
イオン 化 放 射 線 (EUV、 電 子 線 等 )は
ナノ 領 域 にエネルギーを 自 由 自 在 に
付 与 することが 可 能 であり、 将 来 の 極
微 細 加 工 を 支 える 重 要 な 技 術 です。
本 研 究 では、このようなイオン 化 放 射
線 の 優 れた 特 性 を 産 業 界 が 微 細 加 工 において 十 分 に
活 用 できるようにするための 学 術 基 盤 を 確 立 することを
目 標 とします。イオン 化 放 射 線 を 用 いる 極 微 細 加 工 用 レ
ジスト 中 に 起 きる 反 応 機 構 を 解 明 し、ナノ 分 子 設 計 及 び
プロセス 設 計 に 活 用 し、プロセスシミュレーターの 開 発 を
行 います。
研 究 総 括
渡 辺 久 恒
( 株 )EUVL 基 盤 開 発 センター
代 表 取 締 役 社 長
グラフェン・オン・シリコン 材 料 ・デバイス
技 術 の 開 発
LSI 用 3 次 元 カーボン・アクティブ 配 線
の 開 発
この 研 究 領 域 は、 半 導 体 ロードマップ 戦 略 に 基
づく 技 術 進 化 の 飽 和 を 超 越 することを 目 的 として、
微 細 化 パラダイムのみでは 実 現 できない 機 能 ・ 性
能 を 持 つ、 革 新 的 且 つ 実 用 化 可 能 なエレクトロニ
クスデバイスを 創 製 するための 材 料 ・ 構 造 の 開 発
及 びプロセス 開 発 を 行 う 研 究 を 対 象 とします。
具 体 的 には、 新 しい 原 理 により 消 費 電 力 の 増 大 、
製 造 コストの 巨 額 化 といった 実 用 上 の 問 題 を 解 決
するための 高 集 積 情 報 処 理 デバイス、 有 機 物 を 含
め 異 種 材 料 や 技 術 の 融 合 により 新 機 能 ・ 高 性 能
を 発 揮 するデバイス、 及 びそれらを 可 能 にするプロ
セス 研 究 、また 従 来 にない 斬 新 なアプリケーション
を 切 り 拓 く 研 究 等 が 含 まれます。
本 研 究 領 域 では、 材 料 ・プロセスの 特 性 ・ 機 構
解 明 に 留 まらず、 実 用 技 術 に 発 展 することが 十 分
見 込 まれる 研 究 を 推 進 します。
尾 辻 泰 一
グラフェン・オン・シリコン(GOS) 材
料 ・プロセス 技 術 の 開 発 を 通 して、 相
補 的 スイッチングデバイス(CGOS)
及 びプラズモン 共 鳴 テラヘルツデバ
イス(PRGOS) 技 術 の 開 発 を 行 いま
す。これにより、シリコンテクノロジーをベースとしながら、
キャリア 輸 送 限 界 を 超 えた 新 しい 超 高 速 大 規 模 集 積 デ
バイスの 実 現 が 期 待 されます。
真 空 紫 外 レーザー 光 発 生 用 非 線 形
光 学 結 晶 の 開 発
二 瓶 瑞 久
東 北 大 学 電 気 通 信 研 究 所 教 授 富 士 通 株 式 会 社 知 的 財 産 権 本 部 情 報 部 先
端 技 術 研 究 室 室 長 付
グラフェンは、 電 気 伝 導 特 性 や 熱 伝 導
特 性 に 優 れていることに 加 え、アクティ
ブ 素 子 としての 機 能 も 期 待 される 次 世
代 エレクトロニクス 材 料 の 候 補 です。 本
研 究 では、 従 来 のLSI 横 配 線 の 課 題 で
ある 配 線 抵 抗 の 増 大 、 大 電 流 密 度 によ
る 信 頼 性 劣 化 を 抑 えるためにグラフェンを 用 いた 高 性 能 な
配 線 技 術 の 開 発 を 行 いました。 特 に、オリジナルな 光 電 子
制 御 プラズマCVD 法 を 用 いて、 触 媒 金 属 を 用 いずに 絶 縁
膜 上 に 多 層 グラフェンを 形 成 することに 成 功 しました。この
ように、 従 来 の 銅 配 線 に 替 わる 高 性 能 配 線 として、 新 しい
付 加 価 値 を 有 する3 次 元 カーボン・アクティブ 配 線 の 基 盤
技 術 を 開 発 しました。
( 研 究 期 間 : 平 成 19 年 10 月 1 日 ~ 平 成 22 年 3 月 31 日 )
平 成 20 年 度 採 択
縦 型 ボディーチャネルMOSFETと
その 集 積 プロセスの 開 発
佐 々 木 孝 友
遠 藤 哲 郎
大 阪 大 学 光 科 学 センター 特 任 教 授 東 北 大 学 学 際 科 学 国 際 高 等 研 究 センター
教 授
領 域 アドバイザー
石 原 宏 東 京 工 業 大 学 名 誉 教 授
大 泊 巌 早 稲 田 大 学 名 誉 教 授
大 野 英 男 東 北 大 学 電 気 通 信 研 究 所 教 授
財 満 鎭 明 名 古 屋 大 学 大 学 院 工 学 研 究 科 教 授
高 木 信 一 東 京 大 学 大 学 院 工 学 系 研 究 科 教 授
福 間 雅 夫 一 般 社 団 法 人 半 導 体 産 業 研 究 所
代 表 理 事 所 長
百 瀬 寿 代 ( 株 ) 東 芝 研 究 開 発 センター 主 務
和 田 敏 美 技 術 研 究 組 合 次 世 代 パワーエレクトロニクス
研 究 開 発 機 構 専 務 理 事
次 世 代 の 極 微 小 欠 陥 検 査 用 光 源 の
ために、 波 長 170nm 台 の 真 空 紫 外
光 発 生 用 光 学 結 晶 の 開 発 を 行 います。
また、 紫 外 レーザー 損 傷 メカニズムの
解 明 を 通 して 光 源 の 短 波 長 ・ 長 寿 命
化 技 術 の 開 発 を 行 います。
本 研 究 では、デバイスのボディー 領 域
全 体 を 電 流 駆 動 領 域 とする 新 概 念 の
縦 型 構 造 トランジスタのデバイス 技 術
に 加 えて、その 回 路 設 計 ・ 材 料 ・プロセ
ス 技 術 までを 一 貫 して 開 発 します。こ
れにより、 平 面 型 MOSFET と 比 較 して、 駆 動 電 流 特
性 、リーク 電 流 特 性 、 集 積 密 度 を 大 幅 に 向 上 させた 半
導 体 LSIの 新 しいユニバーサル 技 術 プラットフォームを
提 供 することを 目 指 します。
ハーフメタル 強 磁 性 体 を 用 いたスピン
機 能 MOSFETの 開 発
コヒーレントEUV 光 を 用 いた
極 微 パタン 構 造 計 測 技 術 の 開 発
菅 原
聡
東 京 工 業 大 学 大 学 院 理 工 学 研 究 科
准 教 授
木 下 博 雄
兵 庫 県 立 大 学 高 度 産 業 科 学 技 術 研 究 所
教 授
キャリア のスピン に 基 づく 機 能 を
MOSFETに 導 入 し、スピン 自 由 度 を
用 いた 新 しいシリコン 集 積 回 路 を 創 出
しま す 。ハ ーフメタ ル 強 磁 性 体
(HMF)によるメタル・ソース/ドレイン
構 造 を 用 いた 高 機 能 MOSFET(スピンMOSFET)、お
よびハーフメタル 強 磁 性 体 電 極 を 用 いた 強 磁 性 トンネ
ル 接 合 とMOSFETとの 機 能 融 合 デバイス( 擬 似 スピン
MOSFET)を 開 発 して、これらの 機 能 デバイスによる 新
概 念 のアーキテクチャに 基 づく 新 機 能 集 積 回 路 を 創 出
します。
X 線 回 折 顕 微 法 をEUV 領 域 に 展 開 し、
より 高 精 度 な 露 光 パタンの 寸 法 計 測
ならびに 欠 陥 観 察 が 可 能 な 計 測 技 術
の 確 立 を 図 ります。スタンドアロン 型
の 極 短 パルスレーザの 高 次 高 調 波
レーザからのコヒーレントEUV 光 源 とEUVスキャトロメト
リー 顕 微 鏡 との 融 合 により、サブナノ 精 度 のパタン 寸 法
計 測 及 び 露 光 用 マスク 欠 陥 観 察 技 術 を 構 築 します。
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