ЦИЭС - xcels

45
Эта технология основана на методе скоростного роста профилированных
моносекториальных кристаллов. Она явилась результатом научных
исследований, ведущихся в течение нескольких десятилетий в ИПФ РАН. Данный
метод позволяет получать оптические элементы с апертурой до 40×40 см и, что
немаловажно для уникальной установки, содержащей десятки нелинейнооптических
кристаллов, почти на порядок уменьшить время роста по сравнению с
классическим методом и минимизировать отходы кристалла при его обработке.
ИПФ РАН обладает производственными мощностями, необходимыми для
производства нелинейно-оптических компонентов лазерных систем для
обеспечения Проекта ЦИЭС (Рис. 3.11). Имеется линия механической обработки
кристаллических заготовок, включая уникальные станки алмазного точения,
установки для контроля монокристаллических заготовок и параметров
шероховатости обработанной поверхности нанометровой точности.
Рис.3.11. Кристаллы KDP и DKDP, выращенные в ИПФ РАН. Кристаллы 1 – 3
размерами 365×400×50 мм выращены скоростным методом в ИПФ РАН в течение
~40 суток; 4 – кристалл KDP размерами 140×140×300 мм, выращенный
традиционным методом в течение ~1 года.
Накачкой оконечного параметрического усилителя будет служить излучение
второй гармоники неодимового лазера с апертурой 30х30 см, энергия излучения
второй гармоники составит 2 кДж, при длительности импульса 1.5 нс (см.
соответствующий раздел). Широкополосное сигнальное излучение с энергией
около 20 Дж при длительности ~0.9 нс, полученное в стартовой части
(Мероприятие 1.2), после расширяющего телескопа будет подаваться на вход
усилителя. Излучения сигнала и накачки должны быть синхронизованы во
времени с точностью порядка 100 пс. Контроль синхронизации будет
осуществляться с помощью быстрых фотодиодов и широкополосного
осциллографа.