11.02.2015 Views

ЦИЭС - xcels

ЦИЭС - xcels

ЦИЭС - xcels

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

78<br />

Технология роста широкоапертурных нелинейных кристаллов для генерации<br />

второй гармоники, параметрического усиления и для ячеек Поккельса существует в<br />

ИПФ РАН. Габариты выращиваемых кристаллов (апертура 40 см) даже превышают<br />

требования проекта (30 см), но лучевая стойкость и оптическое качество должны<br />

быть улучшены. Кроме того, технология изготовления тонких кристаллов,<br />

необходимых для удвоения частоты фемтосекундного излучения (диаметр 30 см,<br />

толщина 400 микрометров), находится только в начале своего развития.<br />

Технология напыления стойких тонкопленочных покрытий с заданными<br />

дисперсионными свойствами в России, насколько нам известно, отсутствует. В то<br />

же время большой опыт работы с тонкопленочным напылением позволяет<br />

рассчитывать, что такая технология может быть создана.<br />

Большой опыт в изготовлении адаптивной оптики имеется в ИПЛИТ РАН. В<br />

то же время, технология требует доработки, учитывая высокие требования<br />

Проекта, как к поперечному разрешению адаптивной оптики, так и к глубине<br />

вносимой модуляции фазы.<br />

Важно отметить, что это мероприятие будет завершено до окончания<br />

строительства зданий центра (Задача 2).<br />

Мероприятие 3.3. Создание общей стартовой части<br />

Создание общей стартовой части будет начато также до завершения<br />

строительства зданий в помещении двух прототипов. Впоследствии стартовая<br />

часть будет перенесена и введена в эксплуатацию в главном здании центра.<br />

Несмотря на общие принципы построения, стартовая часть 200 ПВт лазера<br />

существенно отличается от стартовой части прототипа двух модулей, поскольку<br />

энергия выходного импульса сигнального излучения должна быть на порядок больше.<br />

Необходимый уровень энергии (~ 500 Дж ≈ 12х40 Дж) соответствует выходной энергии<br />

одного из каналов прототипа. Таким образом, для создания стартовой части 12-ти<br />

канального 200 ПВт лазера, стартовая часть прототипа должна быть дополнена еще<br />

одним каскадам параметрического усиления с апертурой 30х30 см. Накачкой этого<br />

каскада будет служить излучение 2-й гармоники одного из каналов 16-ти канального<br />

усилителя на неодимовом стекле (см. Рис. 3.29 выше). Еще 12 его каналов будут<br />

использованы для накачки оконечных параметрических усилителей 200 ПВт лазера.<br />

Оставшиеся 3 канала будут являться резервными или использованы для создания<br />

субпикосекундных мультипетаваттных каналов на основе непосредственного<br />

лазерного усиления широкополосных импульсов с длиной волны 1054 нм.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!