semiconductor_Korea.pdf (4.02MB)
semiconductor_Korea.pdf (4.02MB)
semiconductor_Korea.pdf (4.02MB)
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
반도체란<br />
반도체란<br />
Si 단결정 제작<br />
반도체 디바이스를 만드는 방법<br />
반도체 디바이스에는 실리콘의 순도가 높고<br />
결정결함이 적은 단결정이 필요합니다.<br />
반도체 디바이스(트랜지스터나 IC) 제조<br />
실리콘 단결정을 만드는 방법에는<br />
공정은 다음과 같습니다.<br />
CZ법(초크랄스키법: 인상법)과 FZ법(플로팅<br />
• 실리콘 단결정 잉곳으로 웨이퍼를 만들어<br />
존 용융법)이 있습니다. 다결정 실리콘 재료로<br />
단결정 실리콘 완성품을 만들 때 불순물을<br />
첨가 해서 실리콘 기판에 P형 또는 N형 극성을<br />
부여합니다.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
내는 공정<br />
• 전공정: 웨이퍼 위에 반도체 칩을 만드는 공정<br />
• 후공정: 반도체 칩을 몰딩하여 조립하는 공정<br />
<br />
<br />
<br />
CZ 법<br />
Si <br />
<br />
Si <br />
<br />
실리콘 웨이퍼 제작 공정<br />
초고순도의 다결정 실리콘 재료에 불순물을 첨가하고<br />
가열로에서 녹입니다. 다음에 실리콘 시드(종자결정)를<br />
<br />
원주상태의 실리콘 단결정 잉곳에서 원반모양의<br />
웨이퍼를 잘라서 표면을 거울처럼 연마합니다.<br />
회전시키면서 끌어올리면 막대 모양의 단결정 잉곳이<br />
성장합니다. 이때 불순물의 종류와 첨가량을 조절하여<br />
반도체의 극성이나 비저항을 제어할 수 있습니다.<br />
FZ법<br />
<br />
CZ단결정 추출장치<br />
<br />
<br />
<br />
슬라이싱: 실리콘 단결정 잉곳 블록에서 웨이퍼<br />
를 잘라낸다<br />
원주상태의 실리콘 단결정 잉곳을 지지대에 붙여놓고<br />
다이아몬드 입자를 내측에 붙여 만든 내주칼날을<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
단결정 잉곳을 생산하려면 첨가용 화합물 가스를<br />
회전시켜 원반상태의 웨이퍼를 잘라냅니다.<br />
슬라이싱 장치<br />
혼합한 비활성 가스 환경에 막대 모양의 다결정<br />
실리콘을 고정합니다.<br />
다음에 시드 결정을 접속하고 이 부분부터 실리콘을<br />
벨트 모양으로 녹이면서 환형의 고주파 가열 코일을<br />
들어올립니다.<br />
<br />
<br />
<br />
폴리싱: 실리콘 웨이퍼의 표면을 닦는다<br />
결함이 적은 디바이스를 만드려면 실리콘 웨이퍼<br />
표면을 기계적 및 화학적으로 거울처럼 연마해서<br />
표면의 결함층을 없앱니다.<br />
<br />
<br />
<br />
한편 고내압 파워트랜지스터나 사이리스터 등의<br />
고비저항의 단결정을 만들려면 순도가 높은 FZ<br />
단결정을 중성자선으로 조사하고 Si의 한 부분을<br />
<br />
Si <br />
<br />
인으로 바꾸어 N형의 반도체를 만드는 방법도<br />
있습니다.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
FZ장치<br />
연마장치(폴리싱 장치)<br />
18<br />
19
Change language