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설계 기술
설계 기술
차세대 반도체 기술
나노 테크놀로지
현재의 반도체 내부회로의 폭은 100nm(나노미터)의
수준이지만 현재의 반도체 기술의 연장에서는
대량 칩이 제조 가능한 환경을 유지하기 위한 수요가
부족하고, 설비투자의 수 % 정도라도 그 응용분야에
대한 연구투자가 필요한 실정입니다.
예측됩니다.
수십nm가 한계라고 여겨지고 있습니다. 이 위를
달리는 미세화 기술로서 나노 테크놀로지라고 하는
초고주파 트랜지스터, 초고주파 시스템 LSI,
그리고 초대전력 파워소자 개발을 위한
프로세스, 설계 기술을 개발하고 있습니다.
★ 시스템 LSI
수 천만 게이트의 집적도를 가지는 LSI는 벌써
개발되었으며, 한층 더 집적화 하려면 고주파 회로
및 파워 회로를 내장해야 합니다. 이러한 복합소자
기술의 개발도 생각할 수 있지만, 어셈블리 기술의
발달에 의하여, 상이한 프로세스로 개발된 복수의
반도체 칩을 소형 모듈화하는 기술로서 SiP(System in
각종 기초기술이 개발되고 있습니다.
예를 들어 반도체에서는 연속적으로 자기 결합한다는
유전자 DNA를 이용해서 DNA에 전자회로를 만들도록
한다는 꿈 같은 연구가 진행되고 있습니다. 그 회로
폭은 2nm정도이며 속도, 집적도, 소비전력 등모든
면에서 현재의 레벨을 훨씬 능가하는 것입니다.
12,756,000 [m]
10 -9
!!
10 -9
2010년 이후에 필요할 것으로 예상되는 요소기술
Package)기술이 개발되었습니다.
또, 지금까지 GHz대의 초고주파 회로는 모놀리식화가
광학적 미세화 가공기술의 한계
에이즈 바이러스의 직경은 약 100nm라고 합니다.
반도체의 미세화 가공기술은 2006년 현재 양산
1m to 1nm (10 -9 )
나노미터는 10 -9 의 세계
1.2 [cm]
개발이 TOSHIBA, 인텔, 일본 IBM 이외에도, 일본
어려워 GaAs나 SiGe 등의 개별 반도체가 이용되고
레벨에서 90nm/65nm, 연구 레벨에서는 20nm
안팎의 주요 반도체, 전기기기 메이커 41개 회사가
있지만, RFCMOS 기술이 발달하게 되면 셀룰러
게이트 폭의 극소 트랜지스터도 개발되었으며 이는 곧
가맹한 ASET(Association of Super-advanced
등에서는 고주파 회로와 로직 회로를 일체화한,
에이즈 바이러스를 자를 수 있는 단계까지 온 것입니다.
Electronics Technologies: 기술개발조합
시스템의 완전한 원칩화도 가능하게 될 것입니다.
그러나, 현재의 광학적으로 실리콘을 깎아 넣는 방식은
최첨단기술개발기구)를 중심으로 진행되고 있습니다.
10nm정도가 한계이며, 더욱 미세화하기 위해서는
★ 대전력 파워소자
새로운 기술 혁신이 필요하다고 합니다.
★ 초고주파 트랜지스터
SiC(실리콘 카바이트)
GaAs나 SiGe 등의 화합물 반도체, HEMT (High
말할 것도 없이 일부의 화합물 반도체를 제외한 반도체
응용분야 연구의 필요성
Electron Mobility Transistor)는 셀룰러나 광통신
디바이스의 재료는 실리콘이지만 대전력 디바이스에서
프로세스 기술은 메이커만이 추진하고 있습니다.
등의 네트워크용으로 개발되었습니다. 향후 각종
최대의 문제점은 전력손실을 줄이기 위하여 온 저항을
그런데 제조 기술뿐만 아니라 반도체 응용분야의
통신에 사용될 주파수 상승에 따라 fT(차단주파수)
줄이는 것입니다. 그 파괴 전계강도가 실리콘보다 1자리
연구도 생각해야 합니다. 지금까지 반도체는 비디오,
또는 최대 발진주파수가 한층 더 향상될 것으로
이상 높은 SiC(실리콘 카바이트)나 다이아몬드 등의
TV, VCR, 컴퓨터 그리고 휴대전화, 네트워크 등의
와이드 밴드갭 반도체 재료가 주목되고 있습니다.
새로운 수요를 창출하고 새로운 요구들에 박차를
전자 빔 리소그래피 기술
신재료 반도체에서는 얇은 베이스 폭에서 고내압
가하면서 그 시장을 확대하여 왔습니다. 그 때문에,
X선 등배노광 기술
전력소자 개발이 가능하며 또한 접합부 온도도
필요성은 자연히 만들어진다고 잘못 인식하고 있는
최첨단 플라즈마 반응 계측, 분석, 제어 기술
600℃로, 종래보다 400℃ 정도 높게 할 수도 있습니다.
관계자가 많고 필요성의 연구 즉 응용분야의 연구는
EUV 노광 기술
SiC도 일부 메이커에서 쇼트키 장벽 다이오드(SBD)의
거의 되어 있지 않은(막대한 설비, 연구투자의 수십분의
초고감도 매체 기술
개발을 완료했지만, 앞으로는 수천 V 이상의 고내압이
1%도 되지 않은) 것이 현실입니다.
PFC 대체 공정 기술
필요한 인버터나 컨버터, 전원용 등으로 각종
전도 유망한 새로운 반도체 수요로서 디지털 TV, PDA,
디바이스가 개발되고 이용될 것으로 생각됩니다.
실리콘 오디오, ITS(고속도로 교통정보 시스템) 더
차세대 반도체 개발에 필요한 요소기술
나아가서 자동 번역기, IC 카드, ID칩 등이 있습니다.
그러나 이것만으로는 팽대한 설비 즉, 미세화에 의하여
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