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반도체 디바이스<br />
반도체 디바이스<br />
광 반도체 디바이스<br />
발광 다이오드(LED)의 동작 원리<br />
광 반도체에는 다양한 종류가 있습니다. 주요 광 반도<br />
체를 기능, 동작 원리, 구조, 용도 등으로 분류하면 다음<br />
과 같습니다.<br />
LED는 빛을 방사하는 다이오드로, 전류를<br />
흘리면 가시광선, 적외선을 발생합니다.<br />
2 to 10mm<br />
광 반도체는 반도체를 이용하여 전기 신호를<br />
광 게이트 펄스로 변환하거나 반대로 광 게이트<br />
펄스를 전기 신호로 변환하는 디바이스입니다.<br />
L: Light<br />
E: Emitting<br />
D: Diode<br />
<br />
동작 원리<br />
<br />
<br />
(LED)<br />
LED<br />
LED는 PN 접합을 가지는 반도체입니다. 순방향<br />
전압을 인가하면 N형 영역에서는 전자가, P형<br />
영역에서는 정공이 PN 접합부로 이동하여 재결합하며,<br />
발광 다이오드의 구조<br />
P<br />
N<br />
LED<br />
전자가 가지고 있는 에너지를 빛으로 전환합니다.<br />
<br />
<br />
즉, 자유전자와 정공이 결합상태가 될 때에 발생하는<br />
<br />
PN <br />
<br />
에너지가 빛이 되어 방사됩니다. 빛의 색깔(빛의<br />
IC ( + IC)<br />
파장)은 반도체와 첨가물의 종류에 따라 정해집니다.<br />
<br />
다음과 같이 각종 화합물 반도체가 이용됩니다.<br />
CCD/CMOS <br />
(A)<br />
(K)<br />
PNP/NPN <br />
<br />
<br />
<br />
<br />
PNPN <br />
<br />
<br />
발광 다이오드의 동작 원리<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
GaAs/GaAs <br />
GaAlAs/GaAs <br />
GaAsP/GaP <br />
GaP/GaP , <br />
(A)<br />
<br />
<br />
GaP/GaP <br />
<br />
GaP/GaP <br />
<br />
<br />
<br />
<br />
InGaAlP/GaAs <br />
GaN/Al 2O 3 , <br />
InGaN , <br />
<br />
(K)<br />
x 광 반도체의 체계<br />
주요 LED 용 반도체의 종류<br />
발광 다이오드의 기호<br />
46<br />
47
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