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Leitfähigkeitsmessungen an ionenleitenden Kristallen

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verringert sich und wird vornehmlich durch R und C bestimmt, welche die Eigenschaften<br />

der Probe charakterisieren. Die Imped<strong>an</strong>z der Grenzfläche stellt eine gerade Linie dar,<br />

während die Probenimped<strong>an</strong>z die Form eines Halbkreises hat (Abb. 3.1b). Falls sich diese<br />

Prozesse in der Imped<strong>an</strong>zkurve nicht vollständig getrennt zeigen, k<strong>an</strong>n der Gleichstromwiderst<strong>an</strong>d<br />

durch Extrapolation des Halbkreises zu tieferen Frequenzen bzw. der geraden<br />

Linie zu höheren Frequenzen gefunden werden. Zur Bestimmung der Gleichstromleitfähigkeit<br />

ist es oft bequemer die Admitt<strong>an</strong>z Y = Y ′ + iY ′′ des Systems zu betrachten. In<br />

der Abb. 3.1 sind die Admitt<strong>an</strong>zspektren für beide betrachteten Fälle dargestellt. M<strong>an</strong><br />

erkennt, dass die Admitt<strong>an</strong>z durch eine gerade Linie beschrieben wird, was somit eine<br />

leichte graphische Auswertung der Probenleitfähigkeit ermöglicht. Falls die Probe eine<br />

Platte von der Fläche A und die Dicke d ist, so wird die spezifische Leitfähigkeit σ nach<br />

der Formel:<br />

σ = d RA<br />

(3.3)<br />

berechnet.<br />

Wie in der Einleitung erwähnt, können in der Praxis, infolge verschiedener<br />

physikalisch-chemischer Eigenschaften der Probenoberfläche<br />

und des Einflusses der Auftragemethode der Metallelektroden,<br />

keine idealen, vollständig umw<strong>an</strong>delbaren oder sperrenden<br />

Elektroden geschaffen werden. Dies führt dazu, dass die real beobachtete<br />

Imped<strong>an</strong>zkurve einen komplizierteren Charakter hat, als<br />

bisher betrachtet. Insbesondere wird experimentell oft beobachtet,<br />

dass bei kleinen Frequenzen die Imped<strong>an</strong>z nicht eine senkrechte<br />

Linie, sondern eine Linie im konst<strong>an</strong>ten Winkel φ ≠ π zur Achse<br />

2<br />

Z ′ (siehe Abb. 6) bildet. Zur Beschreibung einer solchen Imped<strong>an</strong>z<br />

wurde der Begriff des Elementes mit konst<strong>an</strong>ter Phase (CPE: Const<strong>an</strong>t<br />

Phase Element) eingeführt, siehe Abb. 3.2. Analytisch lässt<br />

sich das CPE beschreiben mit folgender Formel:<br />

πn<br />

πn<br />

<br />

CPE = Q 0 (iω) −n = Q 0 · cos ˘i sin<br />

2 2<br />

iZ<br />

!<br />

R<br />

CPE<br />

!<br />

R<br />

Z<br />

Abb. 3.2.: Ersatzschaltbild<br />

mit Const<strong>an</strong>t Phase<br />

Element.<br />

(3.4)<br />

wobei die Parameter Q 0 und n ≤ 1 frequenzunabhängige Konst<strong>an</strong>ten sind. Der Neigungswinkel<br />

φ = n · π/2 entspricht im Falle n = 1 der Imped<strong>an</strong>z einer Kapazität. Ungeachtet<br />

der Abwesenheit einer ausführlichen physikalischen Interpretation, zeigt sich die Benutzung<br />

des CPE bei der Bestimmung der Imped<strong>an</strong>z vieler ionischer Leiter als sehr<br />

nützlich.<br />

Der einfachste Äquivalenzschaltkreis zur Beschreibung von Ionenleitern im Falle von<br />

vollständig sperrenden Elektroden ist in Abb. 3.3 gezeigt. Physikalisch können die<br />

Elemente wie folgt beschrieben werden: Der Kondensator C beschreibt die Kapazität<br />

des Plattenkondensators der durch die Probe zwischen den Elektroden gebildet wird.<br />

Der Widerst<strong>an</strong>d R parallel dazu modelliert die Ionenbewegung. An der Grenzfläche<br />

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