Leitfähigkeitsmessungen an ionenleitenden Kristallen
Leitfähigkeitsmessungen an ionenleitenden Kristallen
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verringert sich und wird vornehmlich durch R und C bestimmt, welche die Eigenschaften<br />
der Probe charakterisieren. Die Imped<strong>an</strong>z der Grenzfläche stellt eine gerade Linie dar,<br />
während die Probenimped<strong>an</strong>z die Form eines Halbkreises hat (Abb. 3.1b). Falls sich diese<br />
Prozesse in der Imped<strong>an</strong>zkurve nicht vollständig getrennt zeigen, k<strong>an</strong>n der Gleichstromwiderst<strong>an</strong>d<br />
durch Extrapolation des Halbkreises zu tieferen Frequenzen bzw. der geraden<br />
Linie zu höheren Frequenzen gefunden werden. Zur Bestimmung der Gleichstromleitfähigkeit<br />
ist es oft bequemer die Admitt<strong>an</strong>z Y = Y ′ + iY ′′ des Systems zu betrachten. In<br />
der Abb. 3.1 sind die Admitt<strong>an</strong>zspektren für beide betrachteten Fälle dargestellt. M<strong>an</strong><br />
erkennt, dass die Admitt<strong>an</strong>z durch eine gerade Linie beschrieben wird, was somit eine<br />
leichte graphische Auswertung der Probenleitfähigkeit ermöglicht. Falls die Probe eine<br />
Platte von der Fläche A und die Dicke d ist, so wird die spezifische Leitfähigkeit σ nach<br />
der Formel:<br />
σ = d RA<br />
(3.3)<br />
berechnet.<br />
Wie in der Einleitung erwähnt, können in der Praxis, infolge verschiedener<br />
physikalisch-chemischer Eigenschaften der Probenoberfläche<br />
und des Einflusses der Auftragemethode der Metallelektroden,<br />
keine idealen, vollständig umw<strong>an</strong>delbaren oder sperrenden<br />
Elektroden geschaffen werden. Dies führt dazu, dass die real beobachtete<br />
Imped<strong>an</strong>zkurve einen komplizierteren Charakter hat, als<br />
bisher betrachtet. Insbesondere wird experimentell oft beobachtet,<br />
dass bei kleinen Frequenzen die Imped<strong>an</strong>z nicht eine senkrechte<br />
Linie, sondern eine Linie im konst<strong>an</strong>ten Winkel φ ≠ π zur Achse<br />
2<br />
Z ′ (siehe Abb. 6) bildet. Zur Beschreibung einer solchen Imped<strong>an</strong>z<br />
wurde der Begriff des Elementes mit konst<strong>an</strong>ter Phase (CPE: Const<strong>an</strong>t<br />
Phase Element) eingeführt, siehe Abb. 3.2. Analytisch lässt<br />
sich das CPE beschreiben mit folgender Formel:<br />
πn<br />
πn<br />
<br />
CPE = Q 0 (iω) −n = Q 0 · cos ˘i sin<br />
2 2<br />
iZ<br />
!<br />
R<br />
CPE<br />
!<br />
R<br />
Z<br />
Abb. 3.2.: Ersatzschaltbild<br />
mit Const<strong>an</strong>t Phase<br />
Element.<br />
(3.4)<br />
wobei die Parameter Q 0 und n ≤ 1 frequenzunabhängige Konst<strong>an</strong>ten sind. Der Neigungswinkel<br />
φ = n · π/2 entspricht im Falle n = 1 der Imped<strong>an</strong>z einer Kapazität. Ungeachtet<br />
der Abwesenheit einer ausführlichen physikalischen Interpretation, zeigt sich die Benutzung<br />
des CPE bei der Bestimmung der Imped<strong>an</strong>z vieler ionischer Leiter als sehr<br />
nützlich.<br />
Der einfachste Äquivalenzschaltkreis zur Beschreibung von Ionenleitern im Falle von<br />
vollständig sperrenden Elektroden ist in Abb. 3.3 gezeigt. Physikalisch können die<br />
Elemente wie folgt beschrieben werden: Der Kondensator C beschreibt die Kapazität<br />
des Plattenkondensators der durch die Probe zwischen den Elektroden gebildet wird.<br />
Der Widerst<strong>an</strong>d R parallel dazu modelliert die Ionenbewegung. An der Grenzfläche<br />
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