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WISSENSCHAFTS JOURNAL

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WENN PHYSIKER AN GRENZEN STOSSEN ...<br />

FORSCHUNG AN OXIDISCHEN GRENZFLÄCHEN<br />

Ingrid Mertig und Angelika Chassé<br />

Oxide stellen eine außerordentlich umfangreiche Materialklasse dar, die sich durch eine große<br />

Breite ihrer physikalischen und chemischen Eigenschaften auszeichnet; deswegen werden<br />

sie in vielen Bereichen der Grundlagenforschung untersucht. Ausgehend von den Eigenschaften<br />

existiert eine Vielzahl von Anwendungen in der Katalyse, Elektronik, Photonik,<br />

Optoelektronik, Photovoltaik und Spintronik. Aufgrund großer wissenschaftlicher Anstrengungen<br />

sind die Volumeneigenschaften von Oxiden und der Mechanismus der Oxidation<br />

im Allgemeinen recht gut verstanden. Die Anwendungen der jüngeren Zeit beinhalten<br />

oft Oxide in reduzierter Dimension, das heißt Oxidfilme und Oxidübergitter. Durch das<br />

Vorhandensein von Oberflächen und/oder Grenzflächen verändern sich die physikalischen<br />

Eigenschaften der Oxide wesentlich.<br />

Abb. 1: Geometrische und magnetische Ordnung<br />

von NiO.<br />

Forscher der halleschen Universität, des<br />

Max-Planck-Instituts für Mikrostrukturphysik<br />

Halle und der Universität Leipzig<br />

haben sich die Aufklärung von Oxidischen<br />

Grenzflächen zum Ziel gestellt. Seit Juni<br />

2000 existiert ein überregionaler Forschungsverbund,<br />

die Forschergruppe 404<br />

(FOR404), die von der Deutschen Forschungsgemeinschaft<br />

gefördert wird. Im<br />

September 2003 wurden durch eine Gutachtergruppe<br />

der DFG die Weichen für die<br />

zweite Förderperiode bis 2006 gestellt.<br />

Der Gruppe wurde bereits in der gegenwärtigen<br />

Phase eine internationale Spitzenstellung<br />

in einigen Bereichen bescheinigt,<br />

zu denen die dünnen magnetischen Schichten,<br />

die ferroelektrischen Schichten sowie<br />

das neu hinzukommende System Zinkoxid<br />

(ZnO) gehören. Die FOR404 stelle ein exzellentes<br />

Forschungsnetzwerk in Mitteldeutschland<br />

dar, das international konkurrenzfähig<br />

sei, so die Gutachter. Die Thematik<br />

Oxidische Grenzflächen sei international<br />

von großer Bedeutung und aktuell sowohl<br />

hinsichtlich der Grundlagenforschung<br />

als auch der Anwendung.<br />

Die Klasse der Oxide umfasst eine Vielzahl<br />

von Systemen. Die Arbeiten in der<br />

FOR404 konzentrieren sich im Wesentlichen<br />

auf die Übergangsmetalloxide. Diese<br />

sind durch die teilweise Besetzung der d-<br />

Zustände eine besondere Herausforderung,<br />

da sich die elektronischen Eigenschaften<br />

mit außergewöhnlichen magnetischen bzw.<br />

ferroelektrischen Eigenschaften verbinden.<br />

Während der Schwerpunkt der Untersuchungen<br />

in der ersten Förderperiode auf<br />

Übergangsmetalloxiden wie NiO (Abb. 1)<br />

oder CoO und deren Grenzflächen lag, verschiebt<br />

sich das Interesse nun zu strukturell<br />

komplexeren Metall-Metalloxid-Systemen<br />

wie MnO und Fe-Oxiden. Das Modellsystem<br />

Fe/MgO spielt eine Schlüsselrolle<br />

in der Spintronik. Hierbei geht es<br />

um die Entwicklung neuer elektronischer<br />

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scientia halensis 2/2004<br />

Fachbereich Physik<br />

...............................................................................<br />

Bauelemente, die sowohl die Ladung des<br />

Elektrons als auch seinen quantenmechanischen<br />

Spin ausnutzen, um so eine Integration<br />

von Informationsspeicherung und<br />

Informationsverarbeitung zu erreichen.<br />

Nahziel ist die Entwicklung eines nichtflüchtigen<br />

Speicherelementes – magnetic<br />

random access memory (MRAM) (siehe<br />

Abb. 2). Dieser Speicher würde ein Einschalten<br />

des Computers ohne lästige Wartezeiten<br />

ermöglichen. Im Mittelpunkt der<br />

Untersuchungen an ferroelektrischen Oxiden<br />

stehen Materialien, die derzeit für einen<br />

Einsatz in FRAMs (ferroelectric random<br />

access memory) und ultradünnen<br />

Kondensatoren favorisiert werden. Eine innovative<br />

Perspektive bietet die Grenzfläche<br />

zwischen oxidischen Ferroelektrika<br />

und oxidischen Halbleitermaterialien. Die<br />

Kombination aus schaltbaren und nichtschaltbaren<br />

Polarisationsladungen in transparenten<br />

Materialien, deren Leitfähigkeit<br />

gezielt eingestellt werden kann, eröffnet<br />

völlig neue Anwendungsmöglichkeiten als<br />

drei-dimensionale elektro-optische Speicherbausteine.<br />

Neu im Spektrum der Arbeiten der<br />

FOR404 sind Untersuchungen am System<br />

ZnO. Die Mischbarkeit des Halbleiters<br />

Abb. 2: Nichtflüchtige Speicherbausteine basierend auf ferromagnetischen Schichtstrukturen:<br />

magnetic random access memory (MRAM). Bild: http://www.ibm.com<br />

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