Inhaltsverzeichnis - Prof. Dr. Norbert Wermes

3.5. CADMIUM-ZINK-TELLURID - EINKANALDETEKTOR 53Abbildung 3.16: Verlauf des elektrischen Feldes in ohmschen CdTe; die Anode befindetsich rechts; die linearen Feldverläufe wurden nach Gl. (3.8) angepasstSpannung [V] E max [V/cm] x max [µm] N T [cm −3 ] ∆N T [cm −3 ]150 3541 256 3,65·10 11 2,03·10 9175 3991 257 3,80·10 11 1,78·10 9200 4644 269 4,71·10 11 1,52·10 9225 5225 247 5,19·10 11 1,53·10 9250 5751 258 5,95·10 11 2,02·10 9275 6414 251 6,82·10 11 1,79·10 9300 7004 248 7,50·10 11 1,84·10 9Tabelle 3.1: Werte für die Ladungsträgerdichte in CdTeteratur genannten Werten für die Konzentration der Ladungsträgerfallen [FES + 98]. In[Fin04] wurde gezeigt, dass sich unter der Annahme nur eines Typs von Ladungsträgerfallenaus der Fermistatistik ein Abstand der besetzten Energieniveaus vom Ferminiveauvon ca. 0,25 eV ergibt. Da sich sowohl für die zur Erzeugung eines derartigen Feldverlaufsnotwendige Ladungsträgerdichte, als auch für den Abstand der besetzten Energieniveausvom Ferminiveau plausible Werte ergeben, kann die Annahme einer nahezu konstantenRaumladungsdichte in CdTe mit ohmschen Kontakten als erwiesen angesehen werden.3.5 Cadmium-Zink-Tellurid - EinkanaldetektorIn dieser Arbeit wurden zwei verschiedene CdZnTe-Detektoren untersucht. Zum Einenwurde ein Einkanaldetektor, d.h. ein Detektor, der auf zwei gegenüberliegenden Seiten je