Inhaltsverzeichnis - Prof. Dr. Norbert Wermes

Kapitel 4Zusammenfassung und AusblickIn diesem letzten Kapitel sollen die in dieser Arbeit vorgestellten Ergebnisse zusammengefasstwerden. Im ersten Kapitel wurden die Eigenschaften der untersuchten Halbleitermaterialienund das Ramo-Theorem vorgestellt.Im zweiten Kapitel wurden die Ergebnisse der Untersuchungen mit einem ladungsempfindlichenVerstärker an einer CdZnTe-Matrix und einem Einkristall-Diamanten gezeigt.In der CdZnTe-Matrix hatte die Position der einzelnen Pixel innerhalb der Matrix keinenEinfluss auf das Ladungssammungsverhalten. Im Einkristall-Diamanten konnte sowohl beider Sammlung von Elektronen als auch bei der Sammlung von Löchern kein Ladungsträgereinfangfestgestellt werden. Auch wurde jeweils innerhalb der Fehlergrenzen die gesamteim Detektor erzeugte Ladung auf der ausgelesenen Elektrode eingesammelt.Das dritte Kapitel stellte den Hauptteil dieser Arbeit dar. In ihm wurden die mit demTCT-Verfahren gewonnen Ergebnisse dargestellt. Im Folgenden sollen für die einzelnenuntersuchten Materialien die Resultate kurz zusammengefasst werden:• SiliziumFür die Ladaungsammlungseffizienz, die Elektronenmobilität und den Verlauf deselektrischen Feldes in der p-in-n-Diode wurden die von der theoretischen Beschreibungvorhergesagten Ergebnisse bestätigt, so dass die Untersuchung weiterer Materialienmit dem Versuchsaufbau gerechtfertigt wurde.• DiamantIm Einkristall-Diamant kam es weder für Elektronen noch für Löcher zu Ladungsträgereinfang.Es wurde ab einer angelegten Spannung von ca. 175 V die gesamteerzeugte Ladung eingesammelt. Die Mobilität sank für beide Ladungsträgertypenmit steigender elektrischer Feldstärke. Die Stärke des elektrischen Feldes innerhalbdes Kristalls war konstant und entsprach dem erwarteten Wert von E = V/D.67