Inhaltsverzeichnis - Prof. Dr. Norbert Wermes

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78 LITERATURVERZEICHNIS[Fin04]Johannes Fink. Untersuchungen zur Ladungssammlung in verschiedenen Halbleitermaterialienmittels der „Transient Current Technique„, November 2004.[FKLW05] J. Fink, H. Krueger, P. Lodomez, and N. Wermes. „Characterization of chargecollection in CdTe and CZT using the transient current technique“. to bepublished, 2005.[FSH + 99][IHJ + 02][Jac76]P. Fougeres, P. Siffert, M. Hageali, J. M. Koebel, and R. Regal. „CdTe andCd 1−x Zn x Te for nuclear detectors: facts and fictions“. Nucl. Instrum. Methods,428(1):38 – 44, 1999.J. Isberg, J. Hammersberg, E. Johansson, T. Wikstroem, D. J. Twitschen,et al. „High Carrier Mobility in Single-Crystal Plasma-Deposited Diamond“.Science, 297:1670–1672, 2002.C. Jacoboni. „A review of some charge transport properties of silicon“. SolidState Electronics, 20:77 – 89, 1976.[Kra04] Olaf Krasel. Charge collection in irradiated silicon-detectors. PhD thesis,Universität Dortmund, Juli 2004.[Lut99] G. Lutz. „Semiconductor radiation detectors“. Springer, 1999.[PRW + 05] H. Pernegger, S. Roe, P. Weilhammer, V. Eremin, H. Frais-Koelbl, et al. „Chargecarrier properties in synthetic single-crystal diamond measured with thetransient-current technique“. J. Appl. Phys., 97:73704, 2005.[Ram39] S. Ramo. „Currents induced by electron motion“. Proc. of the I.R.E., 27:584,1939.[SD98]C. Szeles and M. Driver. „Growth and properties of semi-insulting CdZnTefor radiation detector applications“. SPIE, 3446:1, 1998.[Sho38] W. Shockley. „Currents to conductors induced by a moving point charge“. J.Appl. Phys., 9:635, 1938.[Spi01]Helmuth Spieler. „Radiation detectors and signal processing“, 2001. Vorlesungsreihein Heidelberg.[SRI] SRIM 2003 - The Stopping and Range of Ions in Matter.http://www.srim.org/SRIM/SRIM2003.htm.[Sze85]S. M. Sze. „Semiconductor devices - Physics and technology“. John Wiley andSons, 1985.[TMK + 02] T. Takahashi, T. Mitani, Y. Kobayashi, M. Kouda, G. Sato, et al. „Highresolution Schottky CdTe diode detector“. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49(3):1297– 1303, 2002.
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EinleitungSeit Entdeckung der Rönt
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1.1. LADUNGSERZEUGUNG IN EINEM HALB
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1.3. SILIZIUM (SI) 7Abbildung 1.4:
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1.3. SILIZIUM (SI) 9Es ist üblich,
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1.3. SILIZIUM (SI) 11Damit ist es n
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1.4. DIAMANT (C) 13Abbildung 1.9: a
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1.4. DIAMANT (C) 15ren, welches unt
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1.5. CADMIUM-TELLURID UND CADMIUM-Z
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26 KAPITEL 1. SIGNALENTSTEHUNG UND
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Seite 34 und 35: 30 KAPITEL 2. CSA-MESSUNGENhinter H
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Seite 74 und 75: 70 KAPITEL 4. ZUSAMMENFASSUNG UND A
Seite 76 und 77: 72ANHANG A. MATERIALEIGENSCHAFTEN V
Seite 78 und 79: 74 ANHANG B. FOTOGRAPHIENAbbildung
Seite 80 und 81: 76ANHANG C. SCHALTPLAN DES LADUNGSE
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