2021-2022

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Sonderheft 

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Editorial 

Nach Moore´s Law kommt die 

New Cleverness 

Gordon Earle Moore (geb. 3. 

Januar 1929 in San Francisco) 

ist Gründer der Firma Fairchild 

Semiconductor sowie Mitgründer 

der Firma Intel – und Urheber 

des nach ihm benannten 

Gesetzes, das eher eine Faustregel 

ist. 1965 schrieb er einen 

Beitrag für die Fachzeitschrift 

„Electronics“, dessen These als 

Moore’sches Gesetz weithin 

bekannt wurde und das voraussagte: 

Die Zahl der Halbleiter 

in einem Chip („Komplexität“, 

„Integrationsdichte“) verdoppelt 

sich im Jahresrhythmus. 

Zehn Jahre später korrigierte 

er sich und schätzte fortan eine 

Verdopplung aller zwei Jahre. 

Moores Prognose erlangte nicht 

nur eine große Bekanntheit, sondern 

bestätigte sich bis heute. 

Inzwischen sind jedoch die 

Strukturen bei nur noch wenigen 

Nanometern angelangt und 

damit kleiner als viele Viren. Die 

physikalische Grenze – einzelne 

Atome – ist nun bald erreicht. 

Weiß man um die Macht eines 

exponentiellen Zusammenhangs, 

so reizt es, den Faktor der Verkleinerung 

mal über die Jahrzehnte 

zu ermitteln. Nehmen 

wir nur den Zeitraum von 1975 

bis heute, das sind 46 Jahre, 

da wäre zu rechnen: 2 46/2 = 2 23 . 

Der Taschenrechner liefert die 

imponierende Zahl 8.388.608. 

Demnach sind heute ungefähr 

acht Millionen mal mehr Transistoren 

auf einem Chip möglich 

als Mitte der Siebziger. Das ist 

stimmig. 

Sucht man nach Verkleinerungsbemühungen 

in der Chipbranche, 

gewinnt man den Eindruck, dass 

es womöglich noch eine Zeitlang 

in Moores Sinn weitergeht. 

Manche Forscher versuchen nun 

nämlich, Schaltkreise dreidimensional 

zu bauen, um Platz 

zu sparen. Andere setzen auf 

Materialien, die weniger Wärme 

produzieren als Silizium, wie 

etwa Graphen. 

Ich schaue mal bei mir um die 

Ecke in die kleinste Chipfabrik 

von Dresden, Namlab. Deren 

wissenschaftlicher Direktor, 

Prof. Mikolajik, sagt: „40 Jahre 

lang haben wir stets mehr Bauteile 

auf den Chip bekommen, 

indem wir einfach alles nur kleiner 

gemacht hatten. Das funktioniert 

in der Form schon seit 

ein paar Jahren nicht mehr.“ (SZ 

8.7.21) Trotzdem arbeitet sein 

Team an 3- und 5-nm-Technologien 

und hält es für möglich, 

auch deutlich unter 1 nm zu 

gehen. Das Konzept dazu ist, 

die Bauelemente übereinander 

zu stapeln und totes Terrain auf 

dem Chip aktiv zu nutzen. Und 

auch in Sachen „Material“ ist 

man innovativ: Hafnium mit 

ferroelektrischen Eigenschaften 

– eine Entdeckung aus Dresden. 

Unerwarteterweise erinnert auch 

das noch an Moore. Der sprach 

nämlich damals von Cleverness 

und meinte die Kunst, Bauelemente 

intelligent auf dem Chip 

zu integrieren. Die Grenzen 

dieser Cleverness waren in den 

siebziger Jahren weitgehend 

ausgereizt. Blickt man auf heutige 

Bestrebungen mit der dritten 

Dimension und neuartigen 

Materialien, so könnte man von 

einer New Cleverness sprechen. 

Ing. Frank Sichla 

Chefredakteur 

Technische Beratung und Distribution 

Bauelemente für die 

Hochfrequenztechnik, 

Opto- und 

Industrieelektronik 

sowie Hochfrequenz- 

Messgeräte 

www. 

municom GmbH 

Traunstein · München 

.de 

EN ISO 9001:2015 

Mail: info@municom.de · Tel. +49 86116677-99 

HF-Einkaufsführer 2021/2022 

3

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Inhalt/Impressum 

Rubriken in diesem Heft: 

Editorial. .............................3 

Inhalt/Impressum ......................4 

HF- und Mikrowellenkomponenten. ........6 

HF-Technik ...........................8 

Wireless ............................16 

Antennen ...........................22 

EMV ...............................26 

Messtechnik .........................32 

Aus Forschung und Technik .............36 

Quarze und Oszillatoren. ...............42 

Index. ..........................47 

Produkte und Lieferanten ...........50 

Wer vertritt Wen ..................88 

Firmenverzeichnis ...............103 

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Zum Titelbild: 

Vielfältige HF- und Mikrowellen 

Komponenten 

Das HF- und Mikrowellen Portfolio 

von Industrial Electronics bildet einen 

attraktiven Ausschnitt aus der Welt der 

HF- und Mikrowellen-Komponenten. 

Nicht nur die HF-Technik, sondern 

längst auch die Mikrowellentechnik hat 

vielfältige spezielle Anwendungsbereiche 

ausgeprägt und diese verlangen nach 

entsprechenden Bauteilen, Schaltkreisen, 

Modulen oder Systemkomponenten. 6 

• Herausgeber und Verlag: 

beam-Verlag 

Krummbogen 14 

35039 Marburg 

Tel.: 06421/9614-0 

Fax: 06421/9614-23 

info@beam-verlag.de 

www.beam-verlag.de 

• Redaktion: 

Ing. Frank Sichla (FS) 

redaktion@beam-verlag.de 

• Anzeigen: 

Myrjam Weide 

Tel.: +49-6421/9614-16 

m.weide@beam-verlag.de 

WiFi6 eröffnet neue Möglichkeiten 

Der Artikel beschreibt die Bemühungen und Möglichkeiten, um das 6-GHz-Band 

(5,925 bis 7,125 GHz) für WiFi zu öffnen. 16 

• Erscheinungsweise: 

jährlich 

• Satz und Reproduktionen: 

beam-Verlag 

• Druck & Auslieferung: 

Bonifatius GmbH, Paderborn 

www.bonifatius.de 

Der beam-Verlag übernimmt, trotz sorgsamer 

Prüfung der Texte durch die Redaktion, keine 

Haftung für deren inhaltliche Richtigkeit. Alle 

Angaben im Einkaufsführer beruhen auf Kundenangaben! 

Dielectric Layer 

Digital Trace in Ground 

Plane 

Top/Signal Layer 

Handels- und Gebrauchs namen, sowie Warenbezeichnungen 

und dergleichen werden in der 

Zeitschrift ohne Kennzeichnungen verwendet. 

Dies berechtigt nicht zu der Annahme, dass 

diese Namen im Sinne der Warenzeichen- und 

Markenschutzgesetzgebung als frei zu betrachten 

sind und von jedermann ohne Kennzeichnung 

verwendet werden dürfen. 

EMV-gerechte HF-Platinen entwickeln 

Ground Plane 

Liegt die Wellenlänge des Signals im Bereich der physikalischen Größe der Platine, 

dann wird es wichtig, die Leiterplattenstruktur als verteiltes Modell zu betrachten. 

Dieser Beitrag veranschaulicht, worauf man beim HF-PCB-Design für ein optimal 

funktionierendes Leiterplatten-Layout achten sollte. 26 

4 HF-Einkaufsführer 2021/2022

Inhalt 

GaN-Technologie verändert das Frontend-Design von 

Sat-Empfängern 

Die Vorteile von GaN sind hohe HF-Leistung, geringer 

Gleichstromverbrauch, hohe Zuverlässigkeit und geringere 

Größe, was sich auch positiv auf das Systemgewicht 

auswirkt. 8 

Konturen des nächsten WLAN-Standards 802.11be 

Noch ist die Marktdurchdringung mit 11ax-Geräten relativ 

gering, aber längst wird schon an der Nachfolgegeneration 

802.11be (auch WiFi 7 oder EHT für Extremely High 

Throughput) gearbeitet. 18 

Sub-THz-Testumgebung für die 6G-Forschung 

Die 6G-Forschung befindet sich noch in einem sehr frühen 

Entwicklungsstadium. Insbesondere das, was die International 

Telecommunication Union (ITU) als Network 2030 bezeichnet, 

ist eine Vision, die noch Gestalt annehmen muss. 36 

1 

1 1 


1 

Antennen für 

WiFi6 

Die Wi-Fi Alliance 

hat die neuste 

Generation 

der WiFi- 

Technologie WiFi6 

vorangebracht. 

In diesem 

Anwendungsbericht 

wird erläutert, wie 

man entsprechende 

Antennen(systeme) 

entwickeln 

kann. 24 

Bildquelle: ATE Corporation 

Was ist ein Wandlungsmaß oder Antennenfaktor? 

Antennen haben viele Kennwerte. Besonders in der Feldstärke- 

Messtechnik hört man die Begriffe Wandlungsmaß und 

Antennenfaktor. Dieser Beitrag erläutert den physikalischen und 

mathematischen Hintergrund. 22 

So erzeugt man einen 

präzisen Takt 

Das entscheidende Element für 

den ordnungsgemäßen Betrieb 

eines digitalen Systems 

ist ein maßgeschneidertes 

Clock-Signal. Dieser Artikel 

behandelt wichtige Aspekte 

eines Taktoszillators. 42 

5

HF- und Mikrowellenkomponenten 

ANZEIGE 

Diskrete Komponenten für alle Fälle 

Vielfältige HF- und Mikrowellen Komponenten 

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Welt passiver und aktiver wie 

auch einfacher bis hochkomplexer 

Komponenten erfordert 

von Entwicklern ein profundes 

Wissen, um aus der Vielzahl der 

Möglichkeiten die optimal passende 

und qualitativ genügende 

oder hochwertige Komponente 

herauszufischen. 

Diese „Funktionsbausteine“ dienen 

der Signalerzeugung oder 

dem Signalempfang, der Signalbearbeitung 

oder -wandlung, 

der Signalverstärkung und des 

Weiteren der Signalverteilung. 

Hinzu können weitere Anforderungen 

wie Störsignalunterdrückung/EMV-Festigkeit 

oder 

Raumfahrttauglichkeit treten. 

Nicht zu vergessen schließlich 

die Signalaussendung. 

Start in die Welt der 

HF-Technik 

Industrial Electronics, gegründet 

1963 in Frankfurt am Main, 

begann im Jahr 1971 mit der 

Distribution von HF-Komponenten 

der heutzutage weltweit 

bekannte Firma Mini-Circuits 

Labs., Brooklyn, NY. Dies war 

der Start in die Welt der HF- 

Technik, die sich heute bis in 

die Frequenzbereiche der mm- 

Wellentechnik ausgedehnt hat. 

Über welche Hardware für die 

HF- und Mikrowellen-Technik 

sprechen wir hier? Der Fokus lag 

Das HF- und Mikrowellen Portfolio 

von Industrial Electronics 

bildet einen attraktiven Ausschnitt 

aus der Welt der HFund 

Mikrowellen-Komponenten. 

Nicht nur die HF-Technik, 

sondern längst auch die Mikrowellentechnik 

hat vielfältige 

spezielle Anwendungsbereiche 

ausgeprägt und diese verlangen 

nach entsprechenden Bauteilen, 

Schaltkreisen, Modulen 

oder Systemkomponenten. Diese 

Das Angebot im Überblick 

Industrial Electronics GmbH, 

www.ie4u.de/ 

An dieser Stelle liegt eine 

Auflis tung passiver und 

aktiver Bauteile und Komponenten/Module 

für eine bessere 

Übersicht des Angebotes 

nahe: 

Abschlusswiderstände 

Adapter 

Baluns 

Begrenzer 

Dämpfungsglieder 

DC Blocks 

Einspeiseweichen 

EMV Antennen 

Equalizer 

Filter 

Frequenzmischer 

Frequenzvervielfacher/-multiplizierer 

HF Drosseln 

HF Schalter mechanisch/elektronisch 

HF Transformatoren 

Hornantennen 

Hohlwellenleiter 

Impedanz-Anpassglieder 

Isolatoren 

Kabel 

Koppler 

Leistungsdetektoren 

Leistungsteiler oder -kombiner 

Modulatoren/Demodulatoren 

Omnidirektionale Antennen 

Oszillatoren 

Phasen Detektoren 

Phasenschieber 

Reflektorantennen 

Sinusoidale Antennen 

Spiralantennen 

Synthesizer 

Verstärker 

Zirkulatoren 

90°/180° Hybride 


HF- und Mikrowellenkomponenten 

und liegt bei Industrial Electronics 

auf diskreten Komponenten 

(d.h. ein Bauteil – eine technische 

Funktion), dies jedoch in 

vielfältigen Varianten hinsichtlich 

der spezifischen charakteristischen 

Parameter. 

Bei genauer Betrachtung haben 

sich die Funktionen der Bauteile 

(seit sehr vielen Jahren) nicht 

geändert – ein Mischer ist ein 

Mischer –, jedoch allein hinsichtlich 

Frequenzbereich, Leistung 

oder andere Spezifikationen 

existiert ein kundenfreundlich 

breites Angebot, das selbst für 

komplexe Anforderungen in den 

meistens Anwendungsfällen eine 

„Off-the-Shelf“-Lösung erhältlich 

macht. Gleiches gilt für fast 

alle sonstigen Komponenten. 

Industrial Electronics führt ein 

Portfolio von über 20.000 Produkten 

des HF- und Mikrowellen-Bereichs, 

um die technischen 

Anforderungen der Kunden optimal 

bedienen zu können. Findet 

sich kein Standardbauteil, 

wird der Weg einer kundenspezifischen 

Produktentwicklung 

mit Herstellerpartnern vorgeschlagen. 

Diese große Vielfalt an Komponenten 

und komplexeren Modulen 

– besonders in der Verstärkertechnik 

mit Einheiten mit 

Leistungen von bis zu 15 kW – 

ermöglichen die verschiedenen 

Hersteller. Hier existieren teils 

sehr langjährige Partnerschaften, 

wie etwa mit Mini-Circuits 

– der Firma mit dem breitesten 

HF- und Mikrowellen-Bauteilprogramm 

weltweit. Die Partnerschaft 

besteht im Dezember 

diesen Jahres 50 Jahre. 

Wie vorab beschrieben, besteht 

ein Teil der Aktivitäten von 

Bedeutende Partner: 

Industrial Electronics seit fast 60 

Jahren aus der Distribution von 

Produkten der HF-/Mikrowellen-Technik 

namentlich Standard-„Off-the-Shelf“-Artikel. 

Jedoch wird auch der Service 

großgeschrieben. 

Hohe Kompetenz auch im 

Service 

Mini-Circuits: größtes HF- und Mikrowellen- 

Bauteilprogramm weltweit 

www.minicircuits.com 

MECA Corp., Denville NJ USA – ein breites 

Programm koaxialer passiver Bauteile für hohe 

Leistungen 

www.e-meca.com 

Steatite Ltd, Leominster UK – ein über Jahrzehnte 

entwickeltes Spektrum an hochwertigen 

IE-Ingenieure helfen dann weiter, 

wenn sich im großen Produktportfolio 

kein exakt passendes 

Bauteil für das zu realisierende 

Projekt findet. Dann 

erarbeitet man mit und für Kunden 

zusammen mit Herstellern 

„maßgeschneiderte“ Produkte – 

Komponenten und Systemteile, 

die exakt die jeweils technische 

Lösung für die Anwendung des 

Nutzers erfüllen. 

Die IE-Ingenieure verfügen 

über Knowhow in Bereichen 

der Kommunikationstechnik, 

Telekommunikation, analogen 

Elektronik, Testsystemen für die 

Prüfung von Hochfrequenzbauteilen 

(RF-HTOL-Testsysteme) 

sowie der Ferrit-Materialtechnik 

für EMV-Anwendungen. 

Dieses Wissen resultiert aus 

langjähriger Praxis mit Aufgabenstellungen 

aus industriellen 

Anwendungen, Telekommunikation, 

Teilbereichen in Forschung 

und Entwicklung wissenschaftlicher 

Institute und Einrichtungen, 

medizinischen Geräten 

… um nur einige zu nennen. 

Kunden können also sicher sein, 

dass sie bei der Lösung ihrer 

technischen Aufgabenstellungen 

bei Industrial Electronics kompetente 

Unterstützung finden. ◄ 

HF- und Mikrowellenantennen aus europäischer 

Fertigung – vom „einfachen Horn“ bis zu komplexen 

Elint-Systeme 

www.steatite.co.uk 

Microwave Amps Ltd., Bristol UK – die Quelle 

für GaAs oder GaN Leistungsverstärker bis zu 

höchsten Leistungen und Frequenzen bis 20 GHz 

www.microwaveamps.com 


7

HF-Technik 

GaN-Technologie verändert das Frontend-Design 

von Sat-Empfängern 

Festkörpertechnologien wie Galliumnitrid (GaN) spielen in der Satellitenkommunikation (Satcom) mittlerweile 

eine große Rolle. Warum? 

gerem Stromverbrauch. Darüber 

hinaus müssen diese Komponenten 

viel mehr Bandbreite und 

Datendurchsatz zur Unterstützung 

von Fortschritten wie 5G 

und Ultra-HD-TV ununterbrochen 

und sicher ermöglichen. Es 

besteht auch der Druck, die Entwicklungskosten 

zu senken und 

die Zuverlässigkeit zu erhöhen. 

Die Vorteile von GaN sind hohe 

HF-Leistung, geringer Gleichstromverbrauch, 

hohe Zuverlässigkeit 

und geringere Größe, 

was sich auch positiv auf das 

Systemgewicht auswirkt. Diese 

Technologie eröffnet damit neue 

Märkte und revolutioniert auch 

das RF-Frontend (RFFE) in Satcom-Anwendungen. 

Interessante Entwicklung 

Für viele Jahre waren der Wanderwellen-Röhrenverstärker 

(TWTA) und Galliumarsenid 

(GaAs) die erste Wahl für RFFE- 

Technologien zur Leistungsverstärkung 

in Satcom-Anwendungen. 

TWTAs ermöglichten 

Hochleistungsanwendungen und 

GaAs-Technologie geringeren 

Stromverbrauch als Vortreiber. 

Aber die Situation hat sich in 

den letzten Jahren aufgrund von 

rasanten Fortschritte im GaN- 

Bereich deutlich verändert. 

Jetzt werden GaN- und GaAs- 

Halbleitertechnologien zu den 

bevorzugten Lösungen. GaN hat 

TWTAs aufgrund seiner hohen 

Leistung und Zuverlässigkeit in 

Kombination mit einem kleinen 

Formfaktor ersetzt. 

GaN und GaAs ermöglichen eine 

Vielzahl von kommerziellen und 

militärischen Satcom-Anwendungen 

wie 5G-Backhaul und 

Ultra-HD-TV-Übertragung, Satcom-on-the-Move, 

Internetzugang 

für Flugzeugpassagiere und 

Manpack-Terminals (tragbar). 

Satcom-Trends 

Satcom-Geräte spielen eine 

wichtige Rolle im globalen 

Kommunikationsökosystem 

und im täglichen Leben der 

Menschen. Sie unterstützen 

eine breite und wachsende Vielfalt 

von Anwendungen in den 

Bereichen Telekommunikation, 

Wetterüberwachung, Luftfahrtkommunikation, 

maritime Projekte, 

militärische Zwecke und 

Navigation (s. Bild 1). Gemäß 

Prognosen der Markforschung 

wird der Satcom-Equipment- 

Markt mit etwa 8,5% pro Jahr 

wachsen und zwar auf ein Volumen 

von 30 Mrd. US-Dollar bis 

2022. Strategische Analysten 

prognostizieren Ausgaben für 

globale militärische Kommunikationssysteme 

und -dienste bis 

2026 auf über 36,7 Mrd. USD, 

was einer jährlichen Wachstumsrate 

von 3,5% entspricht. 

Mehrere allgemeine Trends 

schaffen neue und anspruchsvollere 

Anforderungen an die 

RFFEs in Satcom-Geräten. Die 

zunehmende Verwendung kleinerer 

Satelliten und tragbarer 

mobiler Satcom-Geräte führt 

zu einem Bedarf an kompakten, 

leichten Komponenten mit gerin- 

Diese Trends treiben den Übergang 

von TWTAs zu Solid-State- 

Geräten voran, die einen höheren 

Datendurchsatz unterstützen und 

kleinere Formfaktoren aufweisen. 

Obwohl GaAs und Silizium 

(Si) in einigen Systemen verwendet 

wurden, bietet GaN signifikante 

Vorteile für die Hochleistungsverstärkung 

in Satcom- 

Anwendungen. Dazu gehören 

gute Sättigungseigenschaften, 

hohe Durchbruchsspannung und 

gute Wärmeleitfähigkeit. Diese 

Eigenschaften führen zu einer 

Verbesserung der Leistungsdichte 

um eine Größenordnung 

und zu einer hohen Zuverlässigkeit 

auch unter Wärmebelastung. 

Als Ergebnis ist GaN einzigartig 

für die hohen Leistungsanforderungen 

von aktuellen und 

zukünftigen Satcom-Projekten 

mit Very Small Aperture Terminals 

(VSATs), Point-to-Point- 

Technologien (PtP) and Basis- 

Quelle: 

How GaN is Changing the 

Satcom RF Front-End, by 

David Schnaufer, Technical 

Marketing Manager, 

Corporate Marketing Dean 

White, Director of Aerospace 

& Defense Market Strategy, 

Infrastructure & Defense 

Products Quorvo, März 2019 

übersetzt von FS 

Bild 1: Globale Märkte von Satcom 


MRC GIGACOMP ist der Spezialist für 

Hochfrequenzkomponenten und -Messtechnik 

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Koppler und Leistungsteiler 

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HF-Technik 

Bild 2: Eignung von Halbleitertechnologien für verschiedene Anwendungen 

stationen geeignet, wie in Bild 

2 dargestellt. 

Und das Potenzial von GaN für 

den Raumfahrt- und Satellitenkommunikationssektor 

beginnt 

sich erst zu zeigen. Beispielsweise 

wird erwartet, dass GaN 

die Gewichtsreduzierung in 

Satelliten- und Luftfahrtanwendungen 

erleichtert. 

Frequenzbänder 

Die Satcom-Industrie ist zunehmend 

auf höherfrequente Bänder 

umgestiegen, um die wachsende 

Nachfrage nach Bandbreite zu 

unterstützen einschließlich der in 

Tabelle 1 gezeigten X-, Ku-, K- 

und Ka-Bänder. GaN unterstützt 

problemlos einen hohen Durchsatz 

und eine große Bandbreite 

bei diesen höheren Frequenzen. 

Heutzutage werden viele identische 

Satcom-Komponenten 

für mehrere Militärs verwendet, 

ebenso für ähnliche Raumfahrtund 

kommerzielle Anwendungen 

in diesen Bändern. 

TWTAs durch GaN ersetzen 

Der GaN-Leistungskombinations-Ansatz 

kombiniert die 

Ausgangsleistung mehrerer 

MMICs mit einem einzelnen 

Leistungsverstärker unter Verwendung 

eines vollständig isolierten 

Kopplungsnetzwerks. Ein 

Beispiel ist Qorvos Spatium, 

ein Kombinationsprodukt, das 

eine patentierte Kombinationstechnik 

für hohe HF-Leistung, 

hohe Effizienz und Breitbandbetrieb 

verwendet. Spatium nutzt 

Breitband-Fin-Line-Antennen 

als Übergangspunkt zum und 

vom Koaxialmodus, aufgeteilt 

in mehrere Mikrostreifen-Schaltkreise 

(s. Bild 3). Anschließend 

wird die Leistung dieser Schaltkreise 

nach der Verstärkung mit 

einem Leistungs-MMIC kombiniert. 

Ein typisches Spatium- 

Design kombiniert 16 Einheiten 

mit einem gesamten Verlust von 

0,5 dB. Spatium wird in der Ka- 

Band-Satellitentechnik auf der 

Erde verwendet mit Stationen, 

die mit 100 W auf 27 bis 31 

GHz arbeiten und sowohl militärische 

als auch kommerzielle 

Bänder abdecken. Innerhalb dieser 

Stationen wird das Design 

senderseitig am Antennen-Hub 

in Block-Up-Convertern (BUCs) 

eingesetzt. 

Dieser Solid-State-Power-Combining-Ansatz 

bietet gegenüber 

TWTAs mehrere Leistungsvorteile: 

• TWTAs müssen sich aufwärmen, 

bevor sie eine stabile HF- 

Leistung erreichen können. 

Das Erwärmen der Röhre kann 

einige Minuten dauern. Daher 

müssen Sicherungssysteme 

im Hot-Standby-Modus ausgeführt 

werden. Dies führt zu 

großen Energiekosten. Diese 

Backup-Systeme sind bei Verwendung 

von Spatium nicht 

erforderlich, da kein Aufwärmen 

erforderlich ist. 

• TWTAs erfordern Hochspannungsnetzteile, 

typischerweise 

im Multi-kV-Bereich, wodurch 

die Kosten steigen, da diese 

Netzteile nicht billig produziert 

werden können. Außerdem 

ergibt sich ein ungünstiger 

Wirkungsgrad. GaN-Geräte 

benötigen keine Hochspannungsnetzteile. 

• Festkörper-GaN-Technologie 

erzeugt ein geringeres Rauschen 

und ermöglichen eine 

bessere Linearität als TWTAs. 

Die Rauschwerte für mittlere 

Leistung können bei TWTAs 

etwa 30 dB betragen gegenüber 

etwa 10 dB für eine integrierte 

monolithische Festkörper- 

GaN-Mikrowellen-PA-Schaltung 

(MMIC). 

• Ein weiterer Betriebsvorteil 

des GaN-Senders ist der reduzierte 

Oberwellengehalt im 

Ausgangssignal. 

GaN-Vorteile für Satcom 

GaN bietet eine Reihe weiterer 

Vorteile gegenüber TWTAs und 

anderen Festkörpertechnologien 

speziell für Satcom-Anwendungen: 

Bis vor kurzem waren TWTAs 

die Hauptstütze in vielen Satcom-Anwendungen, 

da Festkörpergeräte 

nicht in der Lage 

waren, ähnliche Leistungen 

erzeugen. Leistungskombinationstechniken 

ermöglichen es 

jetzt jedoch, noch viel höhere 

Werte mit mit GaN-Stufen zu 

erzeugen, wodurch TWTAs 

durch zuverlässigere Festkörpergeräte 

ersetzt werden können. 

Bild 3: Skizze des patentierten Spatium-Designs für die räumliche Leistungsteilung und -zusammenführung 


HF-Technik 

Bild 4: Blockaufbau zweier VSAT-Systeme 

• Zuverlässigkeit und 

Robustheit 

Zuverlässigkeit ist extrem wichtig 

in Satcom-Anwendungen. 

GaN bietet aus mehreren Gründen 

eine viel höhere Zuverlässigkeit 

als TWTAs: Bei TWTAs 

verursacht ein Ausfall der Röhre 

insgesamt eine Leistungsaufschlüsselung. 

Im Gegensatz 

dazu bietet eine räumliche Kombinationstechnik 

wie Spatium 

höhere Robustheit und Zuverlässigkeit. 

Der Ausfall eines 

Transistors bedeutet hier nicht, 

dass die gesamte Einheit heruntergefahren 

wird; stattdessen 

funktioniert sie weiterhin mit 

den verbleibenden GaN-Verstärker-MMICs. 

Jedes Festkörpergerät 

ist für sich genommen 

auch hochzuverlässig, obwohl 

die Lebensdauer eines Transistors 

theoretisch begrenzt ist. 

Aufgrund der Elektromigration 

ist die Zeit bis zum Ausfall normalerweise 

erst nach 100 Jahren 

abgelaufen. 

• hohe Energieeffizienz 

Dies reduziert auch die Wärmeabgabe, 

was weiter zu einer 

höheren Zuverlässigkeit beiträgt. 

• hohe Betriebstemperatur 

Darüber hinaus toleriert GaN 

wegen seiner großen Bandlücke 

viel höhere Betriebstemperaturen, 

sodass die Kühlung 

reduziert werden kann. Das führt 

zu kompakten Bauformen, ohne 

die Leistung und Zuverlässigkeit 

zu beeinträchtigen. Dieser Punkt 

der Reduzierung des Bedarfs 

an Lüftern und Kühlkörpern ist 

auch infolge des dadurch reduzierten 

Gewichts wichtig für die 

Größenanforderungen an die 

Satelliten und daher die Kosten 

für den Start in den Orbit. 

• kleine, leichte Geräte 

Gewicht und Größe sind zu 

kritischen Faktoren in Satcom- 

Anwendungen geworden mit 

dem Trend zu kleineren Satelliten 

und dem Wachstum anderer 

Satcom-Anwendungen für 

unterwegs. Die GaN-Technologie 

ermöglicht eine hohe HF- 

Leistung, einen kleinen Ausgangs- 

und Einschaltwiderstand 

sowie eine hohe Durchbruchspannung, 

um Satelliten und 

andere Anwendungen zu optimieren. 

Die höhere Leistungsdichte 

führt zu weniger Gewicht 

und Größe pro gegebener Einheit 

der Ausgangsleistung. Die hohe 

Durchbruchspannung ermöglicht 

den Betrieb mit höherer Spannung 

und erhöhtem Wirkungsgrad 

und hilft, die Impedanzanpassungsanforderungen 

zu vereinfachen, 

was den Bedarf an 

Tuning-Komponenten reduziert 

und somit eine kleinere Board- 

Größe ermöglicht. 

• geringer Stromverbrauch 

Hohe Betriebsspannung bzw. 

niedriger Stromverbrauch bedeutet 

geringere Betriebskosten und 

weniger Wärme, die man ableiten 

muss. Das bedeutet reduzierte 

Kosten für Hersteller und 

Betreiber. 

• thermische Robustheit & 

Breitbandigkeit 

Die Reduzierung des Temperaturanstiegs 

in einem System 

macht es einfacher, die Leistung 

zu steigern und die Kosten für 

diese Anwendung zu senken. 

Weil die GaN-Technologie eine 

hohe Leistung bietet, effizient 

ist und höhere Betriebstemperaturen 

toleriert, kann diese 

Technologie Systementwicklern 

dabei helfen, innerhalb 

engerer thermischer Bereiche 

RFFEs mit hoher Leistung und 

Frequenzbandbreite zu entwerfen. 

Erhöhte Bandbreite wird 

in der gesamten Kommunikationsbranche 

gefordert. Heutige 

GaN-Module und -Leistungsverstärker 

ermöglichen Breitbandbetrieb 

zur Unterstützung 

der Bandbreitenanforderungen 

von 5G und anderer kommenden 

Anwendungen. 

• einfache Integration 

Die Integration wird jetzt in Satcom-RFFEs 

möglich. Die Nachfrage 

nach kleineren Lösungen 

etwa für Luftfahrtanwendungen 

und Satelliten fordern hersteller 

dazu auf, kleinere Lösungen 

anzubieten. Daher ersetzen sie 

große diskrete HF-Frontends 

mit mehreren Technologien 

durch monolithische vollintegrierte 

Lösungen. GaN-Hersteller 

begleiten diese Prozess und 

bieten vollintegrierte Lösungen, 

die Sende- und Empfangskette 

in einem einzigen Paket kombinieren. 

Diese reduzieren Systemgröße, 

Gewicht und Time to 

Market. 

Wichtige GaN-Satcom- 

Anwendungen 

GaN geht seinen Weg in vielen 

kommerziellen und militärischen 

Satcom-Anwendungen 

einschließlich Satelliten, Manpack, 

Satcom-Mobiltechnik, 

Verkehrsflugzeuge und VSATs 

(Very Small Aperture Terminals). 

In der Raumfahrtindustrie 

ersetzt GaN aufgrund seiner Vorteile 

wie geringe Größe, geringes 

Gewicht und hohe Effizienz Si 

und GaAs. 

Die im Vergleich zu Si kleinere 

Chip-Größe eines GaN-Projekts 

ermöglicht auch Leistungsverbesserungen 

in Power-Switching-Anwendungen. 

Parasitics 

wie Ausgangskapazität 

und Layout-Induktivität werden 

reduziert, was zu einer geringeren 

Einfügungsdämpfung und 

einem Betrieb mit höherer Frequenz 

führt. 

Darüber hinaus werden derzeit 

neue vollelektrische Satelliten 

untersucht. GaN wird ein Schlüsselelement 

für diese Entwicklungen 

sein. 

Größenreduzierung, geringes 

Gewicht und geringer Stromverbrauch 

sind wichtig für den 

Erfolg. Einige GaN-Lieferanten 

wie Qorvo haben ihre Technologie 

für den Weltraum qualifiziert, 

was die klaren Möglichkeiten 

für GaN in diesem Sektor 

unterstreicht. 

GaN ist auch bereit, den VSAT- 

Satcom-Sektor mit niedrigerer 

Leistung zu transformieren. Die 

Verwendung von VSAT-Systemen 

expandiert: Diese Terminals 

werden für eine Vielzahl von 

Anwendungen eingesetzt, einschließlich 

fester und tragbarer 

Breitbandsysteme für Verbraucher-, 

Handels-, Verteidigungsund 

Seekommunikation sowie 

für Transaktionenverarbeitung, 

Datenerfassung und Fernüberwachung. 

GaN ersetzt GaAs 

und arbeitet traditionell mit allen 

GaAs-Systemen zusammen, die 


HF-Technik 

Tabelle 1: Die IEEE-Mikrowellenbänder 

in VSATs aufgrund seiner Fähigkeit 

verwendet werden, eine 

höhere Ausgangsleistung bereitzustellen, 

die höhere Geschwindigkeiten 

unterstützt und erhöhte 

Bandbreite für höheren Datendurchsatz 

ermöglicht. 

Dies beschleunigt anspruchsvolle 

Anwendungen wie die 

kommerzielle Zweiwege- 

Anwendung oder die Datenübertragung 

von Videos und anderen 

großen Dateien. GaN übertrifft 

Si auch in PA-bezogenen 

Anwendungen. Die Zuverlässigkeit 

von GaN unter rauen Umgebungsbedingungen 

ist auch in 

diesem Bereich wichtig. VSAT- 

Geräte finden in der Regel Verwendung 

in Umgebungen, in 

denen sie rauen Bedingungen 

ausgesetzt sind. 

Fortschritte im Wärmemanagement 

mit einzigartigen Gehäusen 

verbessern die schon hohe 

Zuverlässigkeit von GaN unter 

diesen Bedingungen weiter. 

Zwei VSAT-Anwendungen auf 

hohem Niveau unter Verwendung 

von GaN-PAs sind in Bild 

4 gezeigt. 

Fazit 

GaN transformiert das HF- 

Frontend über mehrere Satcom- 

Anwendungssektoren hinweg. 

GaN ersetzt traditionelle Technologien 

wie TWTAs, GaAs 

und Si, weil es zuverlässiger, 

effizienter, kleiner und besser 

in der Leistungsdichte ist und 

geringeren Stromverbrauch ermöglicht. 

Satcom-Hersteller 

verwenden GaN, um die aktuelle 

Satcom-Technik durch 

neue Produkte zu verbessern, 

welche es wiederum ermöglichen, 

neue Wege zu gehen und 

mögliche neue Anwendungen 

zu erkunden. 

Die Autoren: 

David Schnaufer 

Technischer Marketing Manager, 

Unternehmensmarketing 

Dean White 

Direktor für Luft- und Raumfahrt- 

und Verteidigungsmarktstrategie, 

Infrastruktur- und Verteidigungsprodukte 

◄ 

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Wireless 

WiFi der nächsten Generation: 

WiFi6 eröffnet neue Möglichkeiten 

Der Artikel beschreibt 

die Bemühungen und 

Möglichkeiten, um das 

6-GHz-Band (5,925 bis 

7,125 GHz) für WiFi zu 

öffnen. 

Quelle: 

Wes Boyd, Skyworks Solutions, 

Inc.: Next Generation Wi-Fi: 

6 GHz is on the Horizon, 2020 

Skyworks Solutions, Inc. 

übersetzt und gekürzt von FS 

Die nichtlizenzierte Nutzung 

von Frequenzressourcen wird 

durch ein explosives Wachstum 

in verschiedenen Bereichen 

angetrieben. Die Datenbedürfnisse 

der Verbraucher, insbesondere 

bei Anwendungen wie 

Video-Streaming und Video-on- 

Demand, stehen hier an erster 

Stelle. Die Nachfrage nach 

Daten wird durch Social-Media- 

Anwendungen weiter verstärkt, 

aber auch Audio-Plattformen 

und Smart-Home-Geräte verlangen 

nach Frequenzressourcen. 

Außerdem darf man aufkommende 

Anwendungen wie 

Virtual Reality (VR) und Augmented 

Reality (AR) nicht vergessen; 

sie könnten bald eine 

bedeutende Rolle spielen. 

Blickpunkt 6 GHz 

Aber was genau ist in diesem 

Kontext das 6-GHz-Band? 

Wofür wird es aktuell verwendet 

und wie kommt es den Verbrauchern 

zugute? Vielleicht noch 

wichtiger ist die Frage, wie die 

Entstehung von WiFi6, dessen 

Zertifizierungsprogramm von 

der Wi-Fi Alliance im September 

2019 gestartet wurde, die 

Verwendung des 6-GHz-Bands 

beeinflussen wird. Dieser Artikel 

soll diese Fragen beantworten. 

Das 6-GHz-Band soll die Verfügbarkeit 

von WiFi erheblich 

verbessern. Die Bandbreite ist 

hier, im Vergleich zu vorhandenem 

WiFi größer, sodass auf 

dieser Basis eine Verbesserung 

sowohl der Service-Qualität als 

auch die Unterstützung der Verbrauchernachfrage 

nach immer 

mehr Daten möglich erscheinen. 

Das neue Spektrum entspricht 

einer Bandbreitensteigerung 

von über 150% im Vergleich zu 

dem heute verwendeten 2,4- und 

5-GHz-Spektrum. 

Die Wi-Fi Alliance hat den 

802.11ax-Standard herausgebracht 

und bezeichnet diese 

neuen 11ax-Geräte als „Wi-Fi 

Certified 6”. Obwohl WiFi6- 

Geräte auch in den 2,4- oder 

5-GHz-Bändern funktionieren, 

hat die IEEE-802.11-Arbeitsgruppe 

festgelegt, dass 

WiFi6-Geräte nur im 6-GHz- 

Band betrieben werden dürfen. 

Um Verwirrung zu vermeiden, 

hat die Wi-Fi Alliance kürzlich 

WiFi6-Geräte, die im 6-GHz- 

Band arbeiten, mit „Wi-Fi 6E“ 

gebrandet. 

Freigabe von 1,2 GHz 

In den USA haben FCC-Kommissare 

und FCC-Vorsitzender 

Ajit Pai bereits im Oktober 

2018 einstimmig für die Freigabe 

von bis zu 1,2 GHz mehr 

WiFi-Spektrum (nichtlizenziert) 

im und um das 6-GHz-Band 

herum gestimmt. Seitdem dreht 

es sich in einer zentralen Debatte 

darum, ob neue WiFi-Operationen 

im Band möglich sind, 

ohne Eingriffe auf die bestehenden 

Benutzer, zu denen auch die 

öffentliche Sicherheit gehört, zu 

verursachen. Die Aufmachergrafik 

zeigt die von der US-amerikanischen 

FCC vorgeschlagene 

Aufteilung des 6-GHz-Bands in 

vier Unterbänder. 

Die Betriebsregeln des 6-GHz- 

Bands müssen noch von der 

FCC ratifiziert werden. Der Vorsitzende 

Pai hat bestätigt, dass 

die Öffnung von 1,2 GHz innerhalb 

des 6-GHz-Bands für die 

nichtlizenzierte WiFi-Nutzung 

ein historisches Ereignis ist: Ein 

großer Teil der Bandbreite stehe 

kostenlos für die Öffentlichkeit 

zur Verfügung. 

Der aktuelle Plan der FCC sieht 

vor, die 6 GHz in vier Teilbänder 

aufzusplitten: 

• U-NII-5 (5,925-6,425 GHz) 

• U-NII-6 (6,425-6,525 GHz) 

• U-NII-7 (6,525-6,875 GHz) 

• U-NII-8 (6,875-7,125 GHz) 

Neue Regeln und Möglichkeiten 

Die FCC plant auch die Regulierung 

der nichtlizenzierten 

Nutzung im 6-GHz-Bereich. 

Für Zugangspunkte wurde ein 

2-Klassen-Ansatz favorisiert. 

Er sieht Indoor-Anwendungen 

mit geringem Stromverbrauch 

(24 dBm) und Standardanwendungen 

mit 30 dBm vor. Darüber 

hinaus hat die FCC vorge- 


Wireless 

schlagen, Client-Geräten zu 

erlauben, im 6-GHz-Band zu 

arbeiten, wobei sie ihre Leistung 

aber auf 18 dBm begrenzen 

müssen, um Störungen anderer 

Dienste zu vermeiden. Branchengruppen 

haben das Hinzufügen 

einer zusätzlichen Klasse 

mit sehr geringer Leistung (14 

dBm) gefordert. Diese Klasse 

von Geräten würde zum Beispiel 

als mobiler Hotspot verwendet 

werden. 

Die Tabelle vergleicht WiFi5-, 

WiFi6- und 802.11be-Standard. 

Bisher sind die wichtigsten Verbesserungen 

von WiFi6 und 

WiFi6E die Einführung der 

Orthogonal Frequency Division 

Multiple Access (OFDMA) und 

die Verbesserung von Multi- 

Benutzer-Mehrfacheingabe/ 

Mehrfachausgabe (MU-MIMO). 

OFDMA ist ein Modulationsschema 

zur Reduzierung der 

Latenz. MU-MIMO wurde 2015 

eingeführt und arbeitete nur für 

Outgoing-Signale vom Router 

(Downlink); WiFi6 wird dem 

Router die Verarbeitung eingehender 

Signale von mehreren 

Geräten erlauben (Uplink). 

Um zwischen den beiden Verfahren 

zu unterscheiden und zu 

verstehen, wie sie sich ergänzen, 

kann man sich die Bilddatenübertragung 

als Autos auf einer 

Autobahn vorstellen. OFDMA, 

das hauptsächlich darauf abzielt, 

die Bandbreite zu erhöhen, 

erhöht das Tempolimit auf der 

Autobahn und erhöht die mögliche 

Geschwindigkeit durch 

Reduzierung von Kollisionen. 

MU-MIMO könnte hingegen 

als weitere Fahrspuren aufgefasst 

werden. 

Was bedeutet das für die 

Geschwindigkeit? WiFi6 ist 

über zweieineinhalb mal schneller 

als WiFi5 und bietet bessere 

Leistung für angeschlossene 

Geräte. Hier sei die automatisierte 

Frequenzkoordination 

(AFC) genannt. Die AFC ist 

ein Datenbank-Suchmechanismus, 

die etablierte Benutzer im 

6-GHz-Spektrum schützen soll. 

Die FCC strebt an, jedem der 

vier 6-GHz-Subbänder unterschiedliche 

Regeln aufzuerlegen. 

Etwa U-NII-6 und U-NII-8 

haben ähnliche Regelsätze; sie 

können nur für Innenanwendungen 

verwendet werden bei 

Ausgangsleistungen bis 24 dBm 

(250 mW) und 30 dBm (1 W). 

Für U-NII-5 und U-NII-7 wird 

AFC erforderlich sein, egal ob 

es sich um eine Innen- oder 

Außenanwendung handelt. Die 

Ausgangsleistungsgrenzen in 

diesen Bändern betragen 30 

dBm bzw. 36 dBm. 

Fazit: 

Die Freigabe des 6-GHz-Bands 

für die nichtlizenzierte WiFi- 

Nutzung ist eine beispiellose 

Bewegung der FCC. Der Vorteil 

der erweiterten Bandbreite kann 

enorm sein. Greifbare Vorteile 

für First Mover im neuen Spektrum 

sind sicherlich vorhanden 

angesichts der Marktchance, die 

von der Verbrauchernachfrage 

nach immer höheren Datenraten 

getrieben wird. 

Der Autor 

Wesley J. Boyd, Senior Director 

Marketing, kam 2001 zu Skyworks 

Solutions und verfügt 

über umfangreiche Erfahrung 

in den Bereichen IC-Design, 

Anwendungen und Marketing. 

Er koordiniert derzeit die Bemühungen 

des Unternehmens, 

WiFi-Lösungen der nächsten 

Generation zu definieren und 

auf den Markt zu bringen. ◄ 


17

Wireless 

Wieder schneller 

Konturen des nächsten WLAN-Standards 

802.11be 

Noch ist die Marktdurchdringung mit 11ax-Geräten relativ gering, aber längst wird schon an der 

Nachfolgegeneration 802.11be (auch WiFi 7 oder EHT für Extremely High Throughput) gearbeitet. 

stabilen Entwurf v2.0 wird für 

März 2022 gerechnet. 

Obwohl die 802.11-Entwürfe nur 

den stimmberechtigten Mitgliedern 

der Arbeitsgruppe zugänglich 

sind, ist das 802.11be-Spezifikations-Rahmendokument 

(SFD) öffentlich [2]. Es enthält 

die Merkmale und Anforderungen, 

auf die sich die Mitglieder 

geeinigt haben. Ein Großteil der 

Informationen in diesem Beitrag 

basiert auf der Version 15 

des SFD. 

AutorInnen: 

Werner Dürport, Lisa Ward 

Rohde & Schwarz 

GmbH & Co. KG 

www.rohde-schwarz.com 

Die Standardisierung der 

aktuellen WLAN-Generation 

802.11ax, auch bekannt als 

WiFi 6 oder High-Efficiency- 

WLAN (HE), ist nahezu abgeschlossen. 

Das Hauptziel von 

802.11ax ist die effiziente(re) 

Nutzung des Spektrums, insbesondere 

in Szenarien mit hoher 

Nutzerdichte. 

802.11be (WiFi 7 oder EHT) 

Stand bei 11ax die bessere Versorgung 

der Teilnehmer im Multiuser-Betrieb 

im Vordergrund, 

legt 802.11be jetzt wieder den 

Schwerpunkt auf die Erhöhung 

des Datendurchsatzes. Trotz 

der unterschiedlichen Schwerpunkte 

von 11ax und 11be wird 

die physikalische Schicht (PHY) 

des neuen Standards vieles von 

802.11ax übernehmen, etwa 

OFDMA und MU-MIMO. 

Bei den zentralen Parametern, 

von denen der Durchsatz 

abhängt, legt man hingegen 

einen Gang zu. So werden 

Modulationen höherer Ordnung 

unterstützt (bis zu 4096QAM), 

die Anzahl der räumlichen 

Ströme vergrößert (auf bis zu 16) 

und die Kanalbandbreite erhöht 

(auf bis zu 320 MHz). Darüber 

hinaus führt 11be weitere Verbesserungen 

ein. Der OFDMA- 

Unterträgerplan (Tone-Schema) 

wird im Sinne einer verbesserten 

Frequenzverfügbarkeit modifiziert 

und mehrere Unterträgerpakete 

(Resource Units) lassen 

sich auf einen Teilnehmer mit 

hohem Durchsatzbedarf bündeln. 

Die Datenpräambel bekommt 

ein neues Feld, das die Kompatibilität 

zwischen verschiedenen 

WLAN-Versionen verbessert 

und das Datenhandling auch für 

zukünftige Versionen erleichtert. 

Nachfolgend werden die 

wichtigsten Neuerungen von 

802.11be umrissen. 

Status und Dokumente 

Die 802.11-Arbeitsgruppen veröffentlichen 

Status-Updates ihrer 

Arbeit unter [1]. Am 30. September 

2020 wurde die 802.11be- 

Entwurfsfassung v0.1 für die 

stimmberechtigten Mitglieder 

der Arbeitsgruppe freigegeben. 

Es handelt sich um einen Vorentwurf 

mit noch vielen offenen 

Fragen. Die Version v1.0, 

in der diese beantwortet sein 

sollten, wird voraussichtlich im 

Mai 2021 fertig sein. Mit dem 

Ziele und Eigenschaften von 

802.11be 

Das Hauptziel von 802.11be ist 

die Erhöhung des Durchsatzes in 

den nicht lizenzierten Bändern 

zwischen 1 GHz und 7,125 GHz. 

Spezifische Ziele finden sich 

im Antrag auf Projektgenehmigung 

[3]: 

• Bereitstellung von mindestens 

einem Betriebsmodus, 

der einen Durchsatz von 

> 30 Gbit/s ermöglicht, gemessen 

am MAC-Zugangspunkt 

(SAP) 

• Abwärtskompatibilität und 

Koexistenz mit älteren 

802.11-Geräten, die in den 

Bändern 2,4, 5 und 6 GHz 

betrieben werden 

• Definition mindestens einer 

Betriebsart, die die Worst- 

Case-Latenz und den Jitter 

im Vergleich zu 802.11ax verbessert 

• Erzielung eines höheren Durchsatzes 

bei geringerer Latenz für 

Anwendungsfälle wie Video, - 

Virtual bzw. Augmented Reality, 

Gaming, Remote Office, 

Cloud-Computing 


Wireless 

802.11n 802.11ac 802.11ax 802.11be 

Kanalbandbreite (MHz) 20, 40 20, 40, 80, 80 + 80, 160 20, 40, 80, 80 + 80, 160 

20, 40, 80, 80 + 80, 240, 

160 + 160, 320 

Unterträgerabstand (kHz) 312,5 312,5 78,125 78,125 

Symboldauer (µs) 3,2 3,2 12,8 12,8 

Cyclic Prefix (µs) 0,8 0,8, 0,4 0,8, 1,6, 3,2 0,8, 1,6, 3,2 

MU-MIMO nein im Downlink im Up- und Downlink im Up- und Downlink 

Modulation OFDM OFDM OFDM, OFDMA OFDM, OFDMA 

Modulation der Datenunterträger 

BPSK, QPSK, 16QAM, 

64QAM 


64QAM, 256QAM 


64QAM, 256QAM, 1024QAM 


64QAM, 256QAM, 

1024QAM, 4096QAM 

Codierung 

BCC (verpflichtend) 

LDPC (optional) 


LDPC (optional) 


LDPC (verpflichtend) 


LDPC (verpflichtend) 

Bild 1: Vergleich von 802.11be mit bisherigen WLAN-Standards 

L-STF 

L-LTF 

L-SIG 

RL-SIG 

U-SIG 

ETH-SIG 

ETH-STF 

ETH-LTF 

Daten 

Versionsunabhängige Bits 

Versionsspezifische Bits 

Gemeinsames Feld 

Anwendungsspezifisches Feld 

Bild 2: Die Präambel von 802.11be mit dem neuen Feld U-SIG 

Wesentliche Parameter des 

Physical Layer (PHY) 

802.11be-Geräte können in den 

Bändern bei 2,4, 5 und 6 GHz 

betrieben werden. Ein Teilnehmergerät 

muss in der Lage sein, 

in diesen Bändern mit Geräten 

zu kommunizieren, die den 

Physical-Layer-Spezifikationen 

der Vorläuferstandards entsprechen. 

Dementsprechend zeigt die 

Tabelle in Bild 1 insbesondere 

viele Ähnlichkeiten zwischen 

11ax und 11be. 

Präambel mit Versionskennung 

Die Präambel von 802.11be ist 

den Präambeln früherer PHYs 

sehr ähnlich. Sie enthält Legacy- 

Felder (L-STF, L-LTF, L-SIG 

und RL-SIG), um Koexistenz 

und Rückwärtskompatibilität 

zu gewährleisten, sowie 11bespezifische 

Felder wie EHT- 

SIG, EHT-STF und EHT-LTF 

(Bild 2). 

Das neue Feld U-SIG wird auch 

in allen zukünftigen 802.11-Versionen 

vorhanden sein. Es enthält 

versionsabhängige und versionsunabhängige 

Bits. Durch 

die Angabe der PHY-Version 

als Teil der versionsunabhängigen 

Bits können 11be- und 

zukünftige Geräte leicht feststellen, 

um welche Art von Paket es 

sich handelt. 

Für frühere Generationen wurden 

immer kompliziertere automatische 

Erkennungsmarkierungen 

entwickelt, um beispielsweise 

ein 11ac-Paket von einem 

11ax-Paket zu unterscheiden. 

Weitere Informationen in den 

versionsunabhängigen Bits sind: 

• Down-/Uplink-Flag 

• BSS Color 

• Bandbreite 

• TXOP (Zeitdauer der exklusiven 

Kanalnutzung durch das 

Teilnehmergerät) 

Multiple Resource Units 

In 802.11ax konnte jedem Teilnehmer 

nur ein Frequenzpaket 

12 Guard 

11 Guard 

RU 26 

RU 52 

2 

2 

2 

2 2 2 2 2 

RU 78 

1 1 1 

7 1 1 25 

1 1 7 

1 1 1 

RU 106 

RU 242 

RU 484 

RU 996 

5 23 

5 

498 5 

498 

Bild 3: Die Resource Units in einem 80-MHz-Kanal. Endgeräte (STA) müssen außerdem die Kombination RU26 + RU52 (RU78) unterstützen 


19

Wireless 

BW 

RU-Kombinationen 

(Resource Unit, RU) innerhalb 

der Dienstbandbreite zugewiesen 

werden. Bei 11be dürfen es 

mehrere sein (Multiple Resource 

Units, MRU). 

Ein Vorteil der MRU besteht 

darin, dass sie mehr Flexibilität 

für eine effizientere Nutzung 

des Spektrums bieten. Allerdings 

muss die MRU-Zuweisung 

dem Endgerät signalisiert 

werden, was den Overhead vergrößert, 

und eine große Auswahl 

möglicher RU-Kombinationen 

würde auch eine höhere Komplexität 

in den Access Points 

und Endgeräten mit sich bringen. 

Daher begrenzt 11be die 

Anzahl. Große RU mit 242 oder 

mehr Trägern (RU242, RU484, 

RU996) können nur mit anderen 

großen RUs kombiniert 

Verpflichtend in 

Non-OFDMA für: 

Verpflichtend in 

OFDMA für: 

80 MHz 484 + 242 AP, STA Uplink: nur Non-AP STA 

160 MHz 

240 MHz 

320 MHz 

996 + 484 AP, STA Uplink: nur Non-AP STA 

996 + (484 + 242) AP, STA Nicht unterstützt 

3 × 996, 2 × 996 + 

484, 2 × 996 

4 × 996, 3 × 996 + 

484, 3 × 996 

AP, STA 

AP, STA 

Uplink: nur Non-AP STA 

Uplink: nur Non-AP STA 

Bild 4: Obligatorisch zu unterstützende Kombinationen von Multiple Resource 

Units (MRU) für Access Points (AP) und Endgeräte (STA) 

werden, kleine mit weniger als 

242 Trägern (RU26, RU52 und 

RU106) nur mit anderen kleinen. 

Zusätzlich zu dieser RU- 

Kombinationsbeschränkung 

unterstützt 11be nur eine Teilmenge 

der möglichen Kombinationen 

kleiner RU-Sets. Bild 3 

zeigt in der mit RU78 gekennzeichneten 

Zeile die zulässigen 

Kombinationen von RU26 + 

RU52 in einem 80-MHz-Kanal. 

Breite, aus mehreren RU zusammengesetzte 

RU-Aggregate 

sind besonders vorteilhaft in 

dem schon aus ax bekannten 

Betriebsfall „Preamble Puncturing“, 

der zum Tragen kommt, 

wenn einem anderen Dienst, 

z.B. einem Flugsicherungsradar 

im 5-GHz-Band, ausgewichen 

werden muss. Die betroffenen 

Abkürzungen 

AP 

BSS 

BW 

DC 

DL MU 

LTF 

MAC 

MRU 

MU-MIMO 

OFDMA 

PPDU 

PHY 

RU 

SAP 

SIG 

STA 

STF 

SU 

TB 

Tone 

TXOP 

Access Point 

Basic Service Set 

Bandwidth 

DC Carrier (nicht genutzter Unterträger) 

Down Link Multi User 

Long Training Field 

Medium Access Control 

Multiple Resource Unit 

Multi-user MIMO 

Orthogonal Frequency Division Multiplexing 

Access 

Protocol Packet Data Unit 

Physical layer 

Resource Unit 

Service Access Point 

Signal Field 

Station (Endgerät) 

Short Training Field 

Single User 

Trigger-based 

Unterträger 

Transmission Opportunity 

Resource Units innerhalb des 

RU-Aggregats – und nur diese 

– werden dann einfach vorübergehend 

stillgelegt, sodass die 

Kommunikation mit nur geringer 

Performance-Einbuße ungestört 

fortgesetzt werden kann. 

Wegen ihrer Bedeutung für die 

Koexistenz mit anderen Technologien 

und der effizienten Nutzung 

der Frequenzressourcen 

schreibt 11be die Unterstützung 

breiter MRU-Kombinationen vor 

(abhängig von der BW-Über- 

2 

12 Edge 1 6 

2 

6 

2 

2 6 

2 2 2 

6 1 6 1 6 

2 

6 

2 

2 6 

2 5 2 

6 1 DC 1 6 

2 2 

6 2 6 

2 2 2 

6 1 6 1 6 

2 

6 

2 

2 6 

2 23 2 

6 1 DC 1 6 

2 

6 

2 

2 6 

2 2 2 

6 1 6 1 6 

2 

6 

2 

2 6 

2 5 2 

6 1 DC 1 6 

2 

6 

2 

2 6 

2 2 2 

6 1 6 1 6 

2 

6 

2 

2 6 

2 

6 1 11 Edge 

12 Edge 1 

12 Edge 1 

12 Edge 

12 Edge 

52 2 

106 

52 

2 

1 6 1 

2 

1 6 1 

242 

52 

2 

106 

52 

5 

1 DC 1 

5 

1 DC 1 

5 

DC 

484 + 5 DC 

52 2 

106 

52 

2 

1 6 1 

2 

1 6 1 

242 

52 

2 

106 

52 

23 

1 DC 1 

23 

1 DC 1 

23 

DC 

23 

DC 

52 2 

106 

52 

2 

1 6 1 

2 

1 6 1 

242 

52 

2 

106 

52 

5 

1 DC 1 

5 

1 DC 1 

5 

DC 

484 + 5 DC 

52 2 

106 

52 

2 

1 6 1 

2 

1 6 1 

242 

52 

2 

106 

52 1 11 Edge 

1 11 Edge 

11 Edge 

11 Edge 

12 Edge 

996 usable tones + 5 DC 

EHT80 (802.11be) 

11 Edge 

2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 

12 Edge 1 6 6 2 6 6 1 6 1 6 6 2 6 6 2 6 6 2 6 6 1 6 1 6 6 2 6 6 1 1 3 

12 Edge 

7 

DC 

7 

DC 

2 2 2 2 2 

1 6 1 6 26 

6 6 1 11 Edge 2 

12 Edge 1 52 

2 52 

2 

1 6 1 52 2 52 2 52 52 

2 

1 6 1 522 

2 52 1 1 3 

1 

3 1 52 

52 

2 

1 6 1 522 2 52 52 52 

2 

1 6 1 522 52 21 11 Edge 2 

12 Edge 1 

12 Edge 

12 Edge 

106 

2 

1 6 1 

242 

106 2 

484 

106 1 2 6 1 

242 

106 

1 

1 3 

1 

3 

1 

3 

7 1 

DC 3 1 

7 1 

DC 3 

7 1 

DC 3 

106 

2 

1 6 1 

242 

106 2 

484 

106 

2 

1 6 1 

242 

106 1 11 Edge 

11 Edge 

11 Edge 

1 

3 

1 

996 usable tones + 5 DC 

HE80 (802.11ax) 

2 

6 

2 

6 

2 

6 

2 

6 

2 2 

2 2 1 6 1 6 62 

2 6 6 2 

2 

6 

2 

6 

2 

6 

2 

6 

11 Edge 

Bild 5: Vergleich der Unterträgerpläne für 80-MHz-Kanäle in 802.11ax (HE80) und be (EHT80). Die orangen Unterträger bleiben ungenutzt 


Wireless 

tragungsfähigkeit des Geräts, 

siehe Bild 4). 

Unterträgerplan (Toneplan) 

Der 802.11be-Unterträgerplan 

basiert auf dem von 802.11ax, 

weist aber einige Unterschiede 

auf. Der Unterträgerabstand ist 

in beiden Standards identisch. 

Gleiches gilt für die Schemata 

der 20 und 40 MHz breiten 

Kanäle im OFDMA-Modus. 

Beim 80-MHz-Mapping dagegen 

unterscheidet sich be von 

ax (Bild 5). 

Diese leichte Modifikation löst 

potenzielle Probleme, die das 

ax-Schema bereiten konnte: 

Regulatorische Änderungen der 

Anforderungen an die Frequenzmaske 

durch ETSI. ETSI hat für 

802.11 vor kurzem strengere 

Maskenanforderungen für den 

Up- und Downlink eingeführt, 

wonach der Pegel in 1 MHz 

Abstand von der Außengrenze 

eines 20-MHz-Kanals höchstens 

noch –20 dBr betragen 

darf. Simulationen zeigten, 

dass eine RU242 möglicherweise 

unbenutzt bleiben muss, 

um diese neue Maskenvorgabe 

zu erfüllen. 

Einige der RU26-Blöcke im 

ax-Unterträgerplan liegen in 

der Nähe von DC-Trägern oder 

einer Bandgrenze. In der Praxis 

bleiben diese RU26 jedoch 

oft ungenutzt, weil es für einen 

OFDMA-Scheduler einfacher 

ist, sie zu ignorieren. 

11be beschreibt einen einheitlichen 

Unterträgerplan wie folgt: 

• Der 80-MHz-OFDMA-Plan 

gilt in jeder RU

Antennen 

Was ist ein Wandlungsmaß oder Antennenfaktor? 

Antennen haben viele Kennwerte. Besonders in der Feldstärke-Messtechnik hört man die Begriffe Wandlungsmaß 

und Antennenfaktor. Dieser Beitrag erläutert den physikalischen und mathematischen Hintergrund. 

In der Feldstärke-Messtechnik 

ist es sinnvoll, die Empfangsantenne 

außer mit dem Antennengewinn 

auch mit dem Wandlungsfaktor 

zu charakterisieren. 

Drückt man diesen in Dezibel 

aus, was sinnvoll ist, sollte man 

vom Wandlungsmaß sprechen. 

Das Wandlungsmaß bezeichnet 

man auch als Antennenfaktor. 

Gewinn, Richtfaktor und 

Wirkfläche 

Für jede Antenne lässt sich auf 

Basis einer theoretischen (verlustlosen) 

Vergleichsantenne ein 

Gewinn G definieren. Der Gewinn 

gründet sich wiederum auf den 

Richtfaktor. Der Unterschied 

besteht lediglich darin, dass der 

Gewinn um die Antennenverluste 

Quelle: 

„Antennen-Parameter: 

Antennengewinn, Richtfaktor 

und Wandlungsfaktor“ 

Dr. Rainer Bitzer 

Narda Safety Test Solutions, 

support@narda-sts.de 

www.narda-sts.de 

Bildquelle: ATE Corporation 

geringer ist als der Richtfaktor. 

Dieser hat also mehr akademische 

Bedeutung, denn verlustlose 

Antennen gibt es nur in der Theorie. 

Eine mögliche Bezugsantenne 

ist ein fiktiver isotroper Strahler 

(Punktstrahler). Dieser ist auch 

die konsequenteste Vergleichsantenne. 

Sie nimmt aus allen Richtungen 

gleich auf bzw. strahlt in 

alle Richtungen gleich ab. 

Für jede Antenne lässt sich auch 

eine hypothetische Wirk- oder 

Absorptionsfläche definieren. Die 

absolute Leistung, welche eine 

Empfangsantenne einem elektromagnetischen 

Feld entnehmen 

kann, wird von dieser und 

dem Wirkungsgrad der Antenne 

bestimmt. Die Notwendigkeit der 

Definition einer Wirkfläche wird 

klar, wenn man sich vergegenwärtigt, 

dass ein Punktstrahler eigentlich 

überhaupt keine Leistung aufnehmen 

kann, da an einem Punkt 

keine Spannung möglich ist. Man 

stellt sich unter der Wirkfläche 

eine senkrecht zur Einfallsrichtung 

der Funkwellen liegende Fläche 

vor, welche die gleiche Leistung 

umfasst, die dem Feld von 

der Antenne bei Leistungsanpassung 

und Verlustfreiheit entzogen 

werden würde. Darum spricht man 

auch von Absorptionsfläche. Diese 

Fläche ist das Produkt aus quadrierter 

Wellenlänge mal Richtfaktor, 

geteilt durch 12,6 (4 π). Bei 

Parabolantennen entspricht sie 

in etwa der mechanischen Fläche. 

Wegen der vorausgesetzten 

Verlustfreiheit ist die obige Definition 

nicht sehr praktisch. Der 

Praktiker sollte die „reale Wirkfläche“ 

berechnen, indem er statt 

des Richtfaktors den Gewinn als 

Faktor einsetzt: Quadrat der Wellenlänge 

mal Gewinn als Faktor 

durch 12,6. Multipliziert mit der 

Leistungsflussdichte ergibt die 

elektrische Eingangsleistung des 

Empfangssystems. 

Wichtig auch zu wissen: Der 

Gewinn einer Antenne mit gegebener 

mechanischer Größe lässt 

sich mit der Betriebsfrequenz 

steigern. Einfache Kurzwellenantennen 

haben daher wesentlich 

weniger Gewinn als einfache 

Mikrowellenantennen. Oder eine 

80-cm-Sat-Schüssel hat bei der 

populären Nutzung im Ku-Band 

um 12 GHz weniger Gewinn als 

im neuen Ka-Band um 20 GHz. 

Es wäre jedoch ein Trugschluss, 

anzunehmen, dass Mikrowellenantennen 

gegenüber Kurzwellenantennen 

oder ein neuer LNB 

für das Ka-Band an der 80-cm- 

Schüssel einem gegebenen elektromagnetischen 

Feld mehr Leistung 

entnehmen können. Dafür 

sorgt gewissermaßen die mit der 

quadrierten Betriebswellenlänge 

stark geschrumpfte Wirkfläche. 

Praktisch kommt es zu einer 

Kompensation: Mit steigender 

Frequenz gleicht ein steigender 

Gewinn das fallende Quadrat der 

Wellenlänge aus. Der Effekt: Die 

empfangene Leistung ist unabhängig 

von der Frequenz. 

Leistungsflussdichte und 

Empfänger-Eingangsleistung 

Die flächenbezogene Leistung 

eines elektromagnetischen 

Feldes bezeichnet man als Leistungsflussdichte 

LFD (bzw. 

Power Flux Density, PFD). 

Die Grundeinheit ist W/m 2 . Bei 

der Funkkommunikation treten 

wesentlich geringere Werte 

auf, etwa im Bereich fW/m 2 

oder pW/m 2 . 

Kennt man die reale Absorptionsfläche 

der Antenne und die 

LFD, kann man die Empfangsleistung 

der angepassten Antenne 

ganz einfach errechnen, indem 

man diese Größen multipliziert. 

Welche Empfangsleistung entsteht 

beispielsweise mit einer 

60-cm-Sat-Schüssel und einer 

LFD von 5 pW/m 2 ? Das können 

wir mithilfe von Wirkfläche und 

Antennen-Wirkungsgrad ausrechnen. 

Die Wirkfläche lässt 

sich leicht abschätzen, sie ist in 

etwa so groß wie die Spiegelfläche. 

Ein Kreis mit 60 cm Durchmesser 

besitzt eine Fläche von 

rund 0,28 m 2 . Leider kennen wir 

den Wirkungsgrad nicht genau. 

Wenn wir 70% annehmen, ergibt 

sich die reale Wirkfläche zu rund 

0,2 m 2 und die Empfangsleistung 

(LNB-Eingangsleistung) zu 0,2 

m 2 x 5 pW/m 2 = 1 pW. 

Präziser gelingt die Bestimmung 

der realen Wirkfläche auf Basis 

des vom Hersteller angegebenen 

Gewinns als Faktor. Der Gewinn 

einer solchen Antenne liegt bei 

36 dBi. Das bedeutet rund Faktor 

4000 (10 36/10 ). Die Wellenlänge 

der Sat-Frequenz 12 GHz beträgt 

0,025 m (Lichtgeschwindigkeit/ 

Frequenz). Die reale Wirkfläche 

ist also 

(0,025 m) 2 x 4000/12,6 = rund 

0,2 m 2 

groß. Unsere Schätzung auf 

Basis eines üblichen Wirkungsgrads 

von 70% war also sehr gut. 

Frequenz, Gewinn und 

Wandlungsfaktor 

In der Antennen-Messtechnik ist 

man an einem möglichst kurzen 

Weg von der Feldstärke zur 

Empfangsspannung im 50-Ohm- 


Antennen 

System interessiert. Diesen bietet 

der Wandlungsfaktor k E der 

Antenne, denn er ist definiert als 

Verhältnis der elektrischen Feldstärke 

zu Ausgangsspannung der 

Antenne am Empfänger. Hierbei 

wird klar, dass der Begriff „Faktor“ 

unpassend ist, denn ein Faktor 

ist dimensionslos, der Wandlungsfaktor 

hat aber die Einheit 

1/m (= Feldstärke in V/m durch 

Spannung in V). 

Der Wandlungsfaktor lässt sich 

aus Signalfrequenz und Antennengewinn 

G mit Bezug auf den 

Punktstrahler herleiten. In der 

Quelle wird dies getan und führt 

auf das praktische Endergebnis 

k E in 1/m = 0,03247 × f in 

im angepassten 50-Ohm-System. 

Da in der Feldstärke-Messtechnik 

einfacher mit Spannungsund 

Feldstärkepegeln, also mit 

logarithmierten Größen gearbeitet 

wird, scheint es weiterhin 

praktisch zu sein, den Wandlungsfaktor 

ungeachtet seiner 

Einheit 1/m zu logarithmieren: 

k E in dB (1/m) = 20 × lg k E in 1/m 

Der logarithmierte Wandlungsfaktor 

ist das Wandlungsmaß und 

wird häufig als Antennenfaktor 

bezeichnet, obwohl es sich gar 

nicht um einen Faktor handelt. 

Weiter ist auch die Gewinnangabe 

in dB üblich. Zwischen 

dem Wandlungsmaß/Antennenfaktor 

und dem Antennengewinn 

in dB i (bezogen auf den isotropen 

Strahler) besteht folgende 

Beziehung: 

k E in dB (1/m) = 20 × lg f in MHz 

- 29,77 dB - G in dB i 

Eine Verzehnfachung der Frequenz 

führt zu einem um 20 dB 

höheren Wandlungsmaß. Dieses 

kann bei geringer Frequenz und/ 

oder hohem Gewinn auch negativ 

sein; ein eher theoretisches 

Szenario. 

Beispiele 

Halbwellendipole eignen sich 

für Präzisionsmessungen bei 

einer festen Frequenz. Mit einem 

Richtfaktor von 1,64 bei Bezug 

auf den Punktstrahler bzw. 2,15 

dB i und hohem Wirkungsgrad 

sind sie recht empfindlich. Setzt 

man 2 dB i an, erhält man für 

100 MHz: 

k E in dB (1/m) = 20 × lg 100 - 29,77 

dB - 2 dB i 

k E in dB (1/m) = 40 dB - 29,77 dB 

- 2 dB i = 8,23 

Logarithmisch-periodische- 

Antennen erreichen Gewinne 

von 5 bis 7 dB i und damit eine 

äußerst hohe Empfindlichkeit bei 

gleichzeitig ausgeprägter Richtwirkung 

und relativ hoher Bandbreite. 

Sie eignen sich deshalb 

vorzüglich, um die Richtung von 

Strahlungsquellen zu finden. Mit 

1000 MHz und 6 dB i erhält man: 

k E in dB (1/m) = 20 × lg 1000 - 

29,77 dB - 6 dB i 

k E in dB (1/m) = 60 dB - 29,77 dB 

- 6 dB i = 24,23 

FS 

bda connectivity 

Unsere Produkte: 

• Spezialkabel 

• Kommunikationskabel 

• Signal-, Mess- und 

Automatisierungskabel 

• Passive Innenantennen 

• Passivkomponenten 

• CoMeT-Mess-Systeme 

(Kopplungswiderstand, Schirmdämpfung 

und Kopplungsdämpfung) 

Unsere Kunden: 

• Kommunikationstechnik 

• Elektro- und Elektronikindustrie 

• Netzbetreiber 

• Elektrofachgroßhandel 

• Automobilzulieferindustrie 

• Medizintechnik 

• Wissenschaft 

Unsere Stärken: 

• Zuverlässigkeit 

• Flexibilität 

• Deutsche Qualitätsproduktion 

• Langjährige Erfahrung in der 

Kabelproduktion 

Unsere Geschichte: 

1889 Gründung der Berkenhoff 

GmbH – Drahtzieherei 

1897 Kauf der „Asslarer Hütte“ 

1994 Gründung bedea 

Berkenhoff&Drebes GmbH 

2018 Übernahme der Geschäftsbereiche 

Kabel und Messtechnik von bedea und 

Gründung der bda connectivity GmbH durch 

Eike Barczynski und Christian Harel. 

Made in Germany: 

Der Qualitätsgedanke ist bei bda 

connectivity im gesamten Unternehmen 

tief verwurzelt. Feste Abläufe zur Erhaltung 

und ständigen Verbesserung der Qualität 

sind ebenso selbstverständlich wie 

ein Mitarbeiter-Ideen-Programm zur 

Verbesserung von Produktionsabläufen und 

Arbeitsatmosphäre. 

bda connectivity GmbH • Herborner Str. 61a • 35614 Asslar • https://bda-connectivity.com • info@bda-c.com 


23

Antennen 

Antennen für WiFi6 

1 

1 1 

Die Wi-Fi Alliance hat die neuste 

Generation der WiFi-Technologie 

WiFi6 vorangebracht. In diesem 

Anwendungsbericht wird 

erläutert, wie man entsprechende 

Antennen(systeme) entwickeln 

kann. 

Es ist ziemlich offensichtlich, dass die Verwendung 

von Smartphones und einer Vielzahl 

anderer Geräte weiterhin eskaliert. 

All diese Geräte verwenden zunehmend 

datenintensive Anwendungen. Der Effekt 

davon ist eine überlastete WiFi-Umgebung, 

erkennbar an langsamer Übertragung. WiFi6 

nutzt mehrere Technologien, um hier gegenzusteuern. 

Als Beispiel sei die Ziel-Weckzeit 

(TWT) genannt, eine neue Funktion, 

die es Zugangspunkten ermöglicht, Geräte 

ein „Nickerchen“ machen zu lassen und so 

Akku-Power zu sparen. WiFi6 wird voraussichtlich 

40 % Geschwindigkeitssteigerung 

im Vergleich zu WiFi5 ermöglichen. 

Herausforderungen für Antennen 

Bei WiFi6 wird jeder Aspekt eines HF- 

Systemdesigns komplizierter. Aufgrund der 

Quelle: 

Antenna Considerations for Wi-Fi 6, 

Laird Connectivity, 

www.lairdconnect.com 


1 

höheren Komplexität und Leistung 

müssen die Antennen optimiert 

werden. Zu den optimierten 

Antennenleistungen gehören: 

• Notwendigkeit zusätzlicher 

Antennen 

• das immer kleiner werdende 

Gehäuse 

• Größe der aktuellen Geräte 

• Mehrere Technologien müssen 

im Inneren koexistieren (und 

funktionieren). 

• Notwendigkeit zusätzlicher 

Ports in einem Single-Footprint, 

was auch eine größere Anzahl 

an Steckverbindern bedeutet 

MU-MIMO verstehen 

Die MU-MIMO-Technologie 

ist ein wesentlicher Bestandteil 

von WiFi6 (MU: Multi- 

User). Sie hilft, die Herausforderungen im 

Zusammenhang mit unserem zunehmend 

überlasteten WiFi zu meistern. Dies wird 

durch Hinzufügen einer Uplink-Unterstützung 

für gleichzeitigen Upstream und 

nachgeschalteter Client-Datenübertragung 

erreicht. Für eine effektive Leistung von 

MU-MIMO verwendet man eine Funktion 

namens Beamforming. Beim Beamforming 

wird den Signalen statt zufälliger Streuung 

in alle Richtungen direkt die Richtung auf 

das vorgesehene Gerät oder auf vorgesehene 

Geräte gezeigt. Die Energie wird hierbei 

also effizienter genutzt. 

Reichweite und Geschwindigkeit von WiFi 

werden dadurch verbessert, denn ein gezielt 

abgestrahltes Signal ist beim Empfänger stärker 

als ein ungerichtetes. Mit MU-MIMO 

und der Beamforming-Spielart werden 

Antennen effektiver genutzt; verschiedene 

Antennen können unabhängig voneinander 

mit verschiedenen Geräten zur selben Zeit 

kommunizieren (bei Uplink- und Downlink- 

Übertragungen). 

Für eine optimale Leistung eines WiFi6- 

Geräts sind mehrere Antennen erforderlich. 

Zugangspunkte und Benutzer verwenden 

jetzt bis zu acht Antennen. Ob eingebettete 

oder externe Antennen, mehr Platz wird auf 

jeden Fall erforderlich. Die Notwendigkeit 

zusätzlichen Volumens und auch ein erhöhter 

Stromverbrauch führen zu zusätzlichen 

Kosten und kürzerer Batterienutzungszeit. 

Diese neue MU-MIMO-Technologie verwendet 

noch komplexere Antennen. Für eine 

effektive Funktionalität der MU-MIMO- 

Technologie auf Uplink wie Downlink sind 

bis zu acht räumlich verteilte Ströme bzw. 

Antennen oft optimal. 

Antenneninstallation im kleineren Gehäuse 

Ob Sie Embedded MIMO-Antennen oder 

externe Antennen verwenden, das Erhöhen 

der Anzahl der Antennen kann dem Setup 

Komplikationen hinzufügen. Besonders 

kompliziert ist es mit eingebetteten Antennen. 

In Anbetracht die Tatsache, dass acht 

Antennen beispielsweise ideal für optimales 

WiFi6 sind, ergibt sich die Herausforderung 

der Montage zusätzlicher eingebetteter 

Antennen innerhalb des Geräts oder 

die Bereitstellung von Anschlüssen für 

zusätzliche externe Antennen angesichts 

der kleineren Gehäusegröße. Das Ziel ist, 

die Antennen möglichst so anzuordnen, 

dass Interaktionen mit anderen Antennen 

begrenzt sind; je isolierter jede Antenne ist, 

umso besser ist die Leistung. Erhöhen Sie 

also den Abstand zwischen den Antennen 

so weit als möglich. 

Ein elektrisch korrekter Abstand ist mindestens 

1/4 der Wellenlänge, was besonders 

kompliziert ist, wenn Sie versuchen, mehrere 

eingebettete Antennen auf kleinem Raum zu 

platzieren. Die Antennen erfordern auch die 

richtige Ausrichtung für optimale Leistung. 

Das Platzieren von zwei Antennen in einem 

90-Grad-Winkel zueinander ist z. B. typisch 

für eine 2x2-MIMO-Antennenanordnung. 

Neben dem Abstand werden die Minimierung 

der Antennenmusterkorrelation und 

die Polarisation wichtig. Die Antennenmusterkorrelation, 

einfach ausgedrückt, ist 

die Menge der Ähnlichkeiten (oder Unähnlichkeiten) 

zwischen dem Strahlungsverhalten 

mehrerer Antennen. Hier bringt ein 

Antennen-Array Vorteile. Dual Polarization 

Diversity bei Antennen hilft auch bei der 

Isolationsoptimierung. Dabei werden zwei 

Antennen (eine horizontal und eine vertikal 

polarisierte) zusammen in einem Einzelgehäuse 

oder Radom untergebracht. Dies 

spart auch Platz und Kosten und bietet einen 

doppelten Port in einem einzigen Footprint. 

Während der 802.11ac-Standard (WiFi5) 

nur im 5-GHz-Band funktioniert, ist bei 

WiFi6 auch das 2,4-GHz-Band möglich. 

Auch dies muss natürlich bei den Antennen 

berücksichtigt werden. ◄ 


Fachbücher für die 

Praxis 

Hochfrequenz- 

Transistorpraxis 

Schaltungstechnik, Einsatzprinzipien, Typen und 

Applikationen 

Frank Sichla, 17,5 x 25,5 cm, 278 Seiten, 

zahlr. Abb. und Tabellen ISBN 978-3-88976-153-8, 

beam-Verlag 2008, 24,- € 

Art.-Nr.:118070 

Obwohl heute integrierte Schaltungen die Elektronik 

dominieren, haben diskrete Transistoren besonders im 

HF-Bereich noch immer hohe Bedeutung, denn es gibt 

einfach zu viele Problemstellungen, für die einzig und allein 

sie die optimale Lösung darstellen. 

Diskrete Transistoren sind keineswegs „out“, sondern machen 

nach wie vor Fortschritte. Mit neusten Technologien 

werden immer höhere Frequenzen erschlossen sowie 

erstaunlich geringe Rauschfaktoren erzielt. 

Dieses Buch beschreibt die Anwendung der Bipolar- und 

Feldeffekttransistoren im HF-Bereich, indem es die Schaltungstechnik 

praxisorientiert erläutert und mit einer Fülle 

von ausgewählten Applikationsschaltungen für Einsteiger 

als auch erfahrene Praktiker illustriert. 

Aus dem Inhalt: 

• Bipolartransistoren: Kleinsignal- und Breitbandtypen, 

Austausch, Arrays und Leistungstypen, Grenz- und 

Kennwerte, Transistorkapazitäten, Eigenrauschen 

• Die „Bipo“-Grundschaltungen: Miller-Effekt, Emitterschaltung, 

Basisschaltung, Kollektorschaltung, Gegenkopplung 

• Die beliebtesten Schaltungstricks: Kaskode-Schaltung, 

Bootstrap-Schaltung, Darlington-Schaltung, Parallelschaltung 

• „Bipo“-Leistungsverstärker: Grundschaltung, Großsignal-, 

Eintakt- und Gegentaktbetrieb, Arbeitspunkt und 

Verstärkerklasse, thermal runaway, Anpassung und 

Filterung 

• FETs im Überblick: SFET, MESFET, MOSFET, Vor- und 

Nachteile, Grenz- und Kennwerte 

• FET-Grundschaltungen: Sourceschaltung, Gate- und 

Zwischengateschaltung, Drainschaltung 

• SFETs, MESFETs und Dualgate-MOSFETs: Kapazitäten, 

Rauschen, Vpr- und Nachteile, Schaltungstipps und 

-tricks 

• Die Welt der Power-MOSFETs: Technologien, Vergleich 

zum „Bipo“, Schalttransistoren, Kapazitäten, Typen, 

Schaltungstechnik, Welche Klasse? 

• Rund um die Kühlung: Wärmewiderstand, Kühlkörperberechnung, 

Kühlkörperauswahl 

• Transistorschaltungen richtig aufbauen: Bauelemente 

und Schaltungsaufbau, Verkopplungsarten, Last und 

Verstärkung, Grundregeln, Platinen-Aufbautipps, Abblockung, 

Neutralisation? 

• Kleinsignal-Verstärkerschaltungen: Selektive Vorverstärker, 

Breitbandverstärker, spezielle Verstärker 

• HF-Leistungsverstärker: Leistungsverstärker für CW 

und FM, lineare Verstärker für kleine und mittlere Leistung 

• Oszillatorschaltungen: Quarzoszillatoren, LC-Oszillatoren, 

spezielle Oszillatoren 

• Senderschaltungen: KW-Kleinsender bis 1 W und über 

1 W Output, interessante UKW-Senderschaltungen 

• Mess- und Prüftechnik: Aktive Tastköpfe, Generatorschaltungen, 

einfache Dipmeter 

Unser gesamtes Buchprogramm finden Sie unter 


oder bestellen Sie über info@beam-verlag.de

EMV 

RF PCB Design Basics 

EMV-gerechte HF-Platinen entwickeln 

Liegt die Wellenlänge des Signals im Bereich der physikalischen Größe der Platine, dann wird es wichtig, die 

Leiterplattenstruktur als verteiltes Modell zu betrachten. Dieser Beitrag veranschaulicht, worauf man beim 

HF-PCB-Design für ein optimal funktionierendes Leiterplatten-Layout achten sollte. 

Die Beachtung der Hinweise ist 

angebracht zwecks z.B. Berücksichtigung 

der Phasenverschiebung 

des Signals über die Länge 

der Übertragungsleitungen [1]. 

Außerdem ist abzusichern, dass 

keine Reflexionen auftreten, da 

diese Verluste und Störungen 

verursachen können. 

Impedanz-Matching 

Impedanzanpassung sichert den 

maximalen Leistungstransfer. 

Zusätzlich wird unerwünschte 

elektromagnetische Strahlung 

und kapazitive Kopplung zwischen 

den Elementen vermieden. 

Es ist daher wichtig, dass 

die Impedanzanpassung sorgfältig 

abgewogen wird. Dazu 

ist es wichtig, zu wissen, dass 

HF-Übertragungsleitungen 

immer transformieren. Oft wird 

jedoch nur eine Transformation 

1:1 gewünscht, sodass Quellimpedanz, 

Leitungsimpedanz 

und Lastimpedanz gleich sind. 

Die Impedanz einer Leitung ist 

abhängig von folgenden Faktoren: 

• Höhe der Leitung über der 

Grundebene 

• Breite der Leitung 

• Dielektrizitätskonstante des 

Leiterplattenmaterials 

• effektive Dielektrizitätskonstante, 

basierend auf der Breite 

und Höhe der Leiterbahn 

z. B. Simulationsprogramme 

führen heute optimal zum 

gewünschten Ergebnis von meist 

50 Ohm. 

Board Stack-Up 

HF-Leiterplatten-Designs werden 

normalerweise auf 2- oder 

4-Lagen-Leiterplatten ausgeführt. 

Zweilagige Leiterplatten 

(Bild 1) sind so konzipiert, dass 

die Komponenten- und Signalweiterleitung 

auf der obersten 

Ebene liegt, während die unterste 

Schicht vorwiegend den kürzesten 

Weg für die Rückströme 

bietet. Die Grundebene sollte 

durchgehend sein. Wenn sie 

geteilt ist, vor allem unter dem 

HF-Pfad, kann sich die Pfadlänge 

des Rückstroms erhöhen 

und die gewünschte Funktion 

beeinflussen. Ein 2-Lagen-PCB- 

Board-Design bietet Kosteneinsparungen 

im Vergleich zu einem 

4-Lagen-Design und kann eine 

vergleichbare Leistung aufweisen, 

erfordert aber sorgfältige 

Signalführung und Platzierung 

der Komponenten. Diese Ausführungen 

sind in der Regel 

auf Dicken von 0,8 bis 1 mm 

beschränkt, da bei Verwendung 

einer dickeren Mikrostreifenleitung 

die entsprechende Breite 

für die gemeinsame Impedanz 

(z.B. 50 Ohm) für die Praxis zu 

groß wird. 

Ein 4-Lagen-PCB-Design (Bild 

2) erlaubt eine einfache Verlegung 

von Erdungs- und Stromversorgungsebene 

und lockert 

Routing-Überlegungen im Vergleich 

zu einer 2-Lagen-Platine 

auf. Es ermöglicht eine einfache 

Entkopplung der Energieebene 

zwischen der Grundebene und 

der unteren Schicht. Bei einer 

4-Lagen-Platine wird empfoh- 

Quelle: 

Layout Review Techniques for 

Low Power RF Designs 

By Suyash Jain 

Texas Instruments 

Application Note AN098, 

www.ti.com/wirelessconnectivity 

Teilübersetzung von FS 

Bild 1: Eine 2-Lagen-Leiterplatte 

Bild 2: Eine 4-Lagen-Leiterplatte 


EMV 

Bild 3: Kondensatoren mit verschiedenen Kapazitäten und ihr Impedanzverlauf 

len, den nachfolgend definierten 

Lagenaufbau zu verwenden: 

1. Schicht: Komponenten und 

Signal 

2. Schicht: Masse (Groundplane) 

3. Schicht: Stromversorgung 

(Powerplane) 

4. Schicht: Groundplane und 

Signalrouting 

Bei einem 4-Lagen-HF-PCB- 

Design ist zu beachten, dass 

eine Masseebene immer unter 

der Oberseite liegen muss. Oben 

liegt immer die Komponentenund 

Signalebene. Die erhöhte 

Dicke bei 4-Lagen-Leiterplatten 

bedeutet auch hohe mechanische 

Festigkeit. 

Bypassing/Entkoppeln der 

Stromversorgung 

Das Routing der Stromversorgung 

ist in jedem HF-Design 

wichtig und kann, wenn es nicht 

sorgfältig geplant wird, negative 

Auswirkungen auf die Systemleistung 

haben. Richtiges Routen, 

also optimales Umgehen 

von „Gefahrenstellen“ (Bypassing) 

und Entkoppeln vermeidet 

das unerwünschte Einkoppeln 

von Störungen in das aktive 

Gerät sowie die Beeinträchtigung 

der Leistung des Systems. 

Eine Quelle für hochfrequentes 

Rauschen auf einer Leiterplatte 

kann die Stromversorgung sein. 


Falsches Routen der Stromversorgungsleitungen 

durch aktive 

Aufbauten kann hochfrequente 

Oberschwingungen erzeugen. 

Solche Störsignale können zu 

den Stromversorgungsanschlüssen 

wandern und abgestrahlt 

oder rückgekoppelt werden. Um 

zu verhindern, dass dieses Hochfrequenzrauschen 

die Stromversorgungsstifte 

des Geräts 

erreicht, wird es mit einem Kondensator 

mit niedriger Impedanz 

zur Masseebene abgeleitet. 

Aufpassen muss man auch, wenn 

sich auf der Platine ein analoger 

und ein digitaler Abschnitt befinden. 

Schnelle digitale Signale 

mit ihren steilen Flanken und 

Pegeln im Voltbereich können in 

die Stromversorgungsleitungen 

einkoppeln, wenn bei der Versorgung 

nicht richtig geroutet und 

entkoppelt wird. 

Stromversorgungsleitungen und 

Digitalleitungen müssen konsequent 

vom analogen HF-Teil 

weggeführt werden, und eine 

gute Entkopplung muss erfolgen, 

um die Leitungen/Signale 

entsprechend zu isolieren. Daher 

ist der Bypass-/Entkopplungskondensator 

unter Berücksichtigung 

der Betriebsspannung 

sorgfältig auszuwählen. 

Wichtig ist, neben dem äquivalenten 

Serienwiderstand (ESR), 

auch die Eigenresonanzfrequenz 

(SRF) des Kondensators. Oberhalb 

der SRF verhält sich der 

Kondensator primär wie eine 

Induktivität, somit ist er nur bis 

zur SRF entkoppelnd wirksam. 

Bild 3 zeigt den Verlauf der 

Impedanz über der Frequenz. 

Die SRF liegt je nach Kapazität 

zwischen 5 und 15,5 GHz. Es 

wird empfohlen, die Entkopplungskondensatoren 

so nah wie 

möglich am zu entkoppelnden 

Bauteil zu halten, also möglichst 

nah an den Versorgungs-Pins. 

Die Massefläche (Groundplane) 

Es wird dringend empfohlen, 

in jedem HF-Design eine 

durchgehende/ununterbrochene 

Erdungsebene zu verwenden. 

Schlitze sind möglich, jedoch 

Schleifen zu vermeiden. Wenn 

die Masseebene, insbesondere 

unter dem HF-Abschnitt, geteilt 

ist, dann sind längere Rückstrompfade 

wahrscheinlich, 

was zu unerwünschter Induktivität 

und unerwünschter Anpassung 

führen kann. Die durchgehende 

Erdungsebene unter 

dem Design ermöglicht auch 

eine einfache Verbindung mit 

Masse. Man sollte die Masseverbindungen 

ausführen, indem 

man die Durchkontaktierungen 

von den zu erdenden Kontaktstellen 

entfernt. Dadurch entfällt 

auch der Bedarf an zusätzlichen 

Leitungen, die ansonsten 

gezeichnet werden müssten, um 

eine Verbindung zur Masseebene 

herzustellen. 

Darüber hinaus ist es in der 

oberen Komponentenebene in 

der Regel sinnvoll, den nicht 

verwendeten Bereich mit Massefläche 

zu füllen und diese oft 

(mit mehreren Durchkontaktierungen) 

mit der unteren Masseebene 

zu verbinden. Es wird empfohlen 

diese Vias im Abstand 

von etwa 1/10 der Wellenlänge 

anzuordnen. Eine Erdungsabschirmung 

wie in Bild 4 schützt 

den HF-Abschnitt vor der Kopplung 

mit anderen Abschnitten 

auf einem größeren Design oder 

mit in der Nähe befindlichen störenden 

Quellen. In einem vierschichtigen 

Design bietet eine 

durchgehende Erdungsebene 

auch eine gute Trennung von 

der Stromversorgung. 

Bild 4: Darstellung des HF-Designs mit geerdetem Via Shield 

27

EMV 

Bild 5: (a) Idealfall, (b) zu lange HF-Übertragungsleitung, (c) nicht 

übereinstimmende Teile einer HF-Leitung 

Bauteilanordnung 

Induktivitäten auf der Leiterplatte 

sind mit einem Magnetfeld 

verbunden, das mit anderen 

koppeln kann. Dies kann die 

Konstruktion in unerwünschter 

Weise beeinträchtigen. Daher 

sind Magnetfelder zu berücksichtigen. 

Am besten verwendet 

man Ringkerne, da sich hier 

ein äußeres Magnetfeld kaum 

ausbildet. Es wird empfohlen, 

andere Induktivitäten mit einem 

90-Grad-Versatz zueinander 

anzuordnen, da dann die Kopplung 

minimal ist. 

Der erste Schritt zum Erstellen 

eines HF-Leiterplatten-Layouts 

besteht darin, die Eigenschaften 

Dielectric Layer 

Digital Trace in Ground 

Plane 

Bild 6: Digitale Leitungen direkt unter dem HF-Pfad 

der Leiterplatte zu verstehen, 

d.h., die dielektrischen (Dielektrizitätskonstante 

und Verlustfaktor) 

und die mechanischen 

Eigenschaften (Maße). Gute 

Entwürfe umfassen ein Dokument, 

das die Stapelbarkeit von 

Leiterplatten und deren Eigenschaften 

beschreibt, wie Stapelhöhe, 

Dielektrizitätskonstante 

und Verlustfaktor des Dielektrikums 

der Leiterplatte. 

Wenn das Design die Übersetzung 

eines zweilagigen Referenz-Designs 

auf eine vierlagige 

Leiterplatte erfordert, dann kann 

sich die Höhe zwischen der oberen 

Schicht und der Grundebene 

ändern. Das ändert die Impedanz 

des HF-Pfads. Die Änderung der 

Bild 7: Schlechte Bypass- 

Kondensator-Platzierung 

Impedanz im HF-Pfad muss man 

durch Anpassen der Breite der 

Leiterbahnen berücksichtigt, wie 

im Anwendungshinweis AN068 

[2] erläutert. 

Die folgende Check-Liste enthält 

wichtige Überlegungen zum HF- 

PCB-Design, die befolgt werden 

müssen. Es wird dringend empfohlen, 

dass die Designer ihre 

Entwürfe mit den vorgeschlagenen 

Punkten überprüfen. Das 

Beachten dieser Punkte, die sich 

z.T. auf das TI-Referenz-Design 

beziehen, sollte dazu beitragen, 

eine optimale Leistung zu 

erzielen. 

• Stellen Sie sicher, dass Sie die 

für das Teil geltende Empfehlung 

zum Datenblatt-Layout 

befolgen. 

• 0603 (mils) messende diskrete 

Teile werden aufgrund 

ihrer Größe und ihrer parasitären 

Eigenschaften nicht 

empfohlen. 

• Stellen Sie sicher, dass die 

Überbrückungskondensatoren 

Ground Plane 

Top/Signal Layer 

Bild 8: Richtiges Bypassing-Layout 

so nah wie möglich an den 

Stromversorgungsanschlüssen 

liegen. 

• Stellen Sie sicher, dass jeder 

Entkopplungskondensator nur 

die spezifischen empfohlenen 

Pins auf dem Referenz-Design 

entkoppelt und dass der Kondensator 

den richtigen Wert 

und Typ hat. 

• Stellen Sie sicher, dass die Entkopplung 

über die Verbindung 

Pin-Kondensator-Via erfolgt. 

• Vergewissern Sie sich, dass 

der Stapel mit dem Referenz- 

Design übereinstimmt. Wenn 

das Design eine vierlagige Leiterplatte 

ist, so vergewissern 

Sie sich, dass sich die Massefläche 

auf der zweiten Ebene 

direkt unter der Oberseite/ 

Komponentenseite befindet. 

• Das Ändern des Schichtabstands/-aufbaus 

wirkt sich 

auf die Anpassung im HF- 

Signalpfad aus und sollten 

sorgfältig berücksichtigt werden, 

wie in AN068 [2] erläutert. 


die Massefläche mit dem Referenz-Design 

übereinstimmt. Es 

sollte eine feste Masseebene 

unter dem Gerät und dem HF- 

Pfad geben, jedoch keine leitende 

Ebene unter einer eventuellen 

Antenne, es sei denn, 

Sie verwenden eine Antenne, 

die die Massefläche als Gegengewicht 

nutzt (z.B. eine Peitschenantenne). 

• Vergewissern Sie sich, dass der 

HF-Signalpfad so gut wie möglich 

mit dem Referenz-Design 

übereinstimmt. Komponenten 

sollten sehr ähnlich angeordnet 

und gleich ausgerichtet sein 

wie im Referenz-Design. 


EMV 

Bild 9: Gewünschte Lagenfolge mit Impedanzdarstellung bei 2,4 GHz 

• Ein Quarzoszillator sollte 

so nah wie möglich an den 

Anschlüssen entkoppelt und 

mit kurzen Signalleitungen 

weiterverbunden sein. Lange 

Leitungen zum Oszillator 

sollten nach Möglichkeit vermieden 

werden. 


viele Durchkontaktierungen 

um den HF-Signalpfad existieren. 

Vias auf dem Rest der 

Platine sollten nicht mehr als 

λ/10 voneinander entfernt sein. 

• Verfügt das Design über einen 

Differenzialausgang, stellen Sie 

sicher, dass die Leitungen im 

Differenzialbereich symmetrisch 

ausgelegt werden. 

• Wenn für das Design eine Batterie 

(z.B. eine Knopfzelle) verwendet 

wird, fungiert die Batterie 

als Erdungsfläche und sollte 

daher nicht unter der Antenne 

platziert werden. 

• Vergewissern Sie sich, dass die 

Anordnung der Power-Pads 

unter dem Aufbau korrekt ist. 

Die Löt-Pads und die Maske 

sollten übereinstimmen und 

die Öffnungsgröße sollte die 

richtige Menge Paste gewährleisten. 

• Vias sollten die richtige Nummer 

haben und maskiert sein. 

• Die Karte sollte impedanzkontrollierte 

Leiterbahnen spezifizieren. 

Das heißt, der Schichtabstand 

bei FR4-Permittivität 


sollte kontrolliert und bekannt 

sein. 

• Wichtige Überlegungen zu 

Antennen: Änderungen der 

Zuleitungslänge der Antenne 

ändern die Anpassung der 

Eingangsimpedanz. Jedes 

Metall in unmittelbarer Nähe, 

jedes Plastikgehäuse und jeder 

menschliche Körper verändert 

die Eingangsimpedanz 

und Resonanzfrequenz der 

Antenne, was berücksichtigt 

werden muss. Beachten Sie für 

mehrere Antennen auf derselben 

Platine die Antennenpolarisation 

und die Richtwirkung. 

Vergewissern Sie sich 

bei Chip-Antennen, dass der 

Abstand und die Ausrichtung 

zur Grundebene korrekt sind. 

Es wird empfohlen, ein Pi- 

Netzwerk nach dem Balun- 

Filternetzwerk für die Antenne 

hinzuzufügen zwecks besserer 

Impedanzanpassung. Die Komponentenwerte 

können berechnet 

werden, nachdem die Leiterplatte 

erstellt ist. 

Dinge, die man nicht tun sollte 

In diesem Abschnitt werden häufig 

gemachte Fehler in einem 

HF-Layout beschrieben. Dazu 

gehören zu lange HF-Leiterbahnen 

und nicht übereinstimmende 

Leiterbahnen in differentiellen 

HF-Abschnitten. 

Bild 5 zeigt hierzu (a) Idealfall, 

(b) zu lange HF-Übertragungsleitungen 

und (c) nicht übereinstimmende 

HF-Leitungen. 

Längere Leitungen führen eventuell 

zu unerwünschten Impedanzänderungen. 

Bei Designs 

mit Differentialausgängen ist 

es wichtig, dass die Leitungen 

zum Balun und innerhalb des 

Balun-Abschnitts symmetrisch 

liegen. Digitale Leitungen in 

der Nähe/unterhalb des HF- 

Pfads, wie in Bild 6 gezeigt, 

sind zu vermeiden, da dann 

digitale Signale auf das kleine 

HF-Signal überkoppeln können. 

Das Teilen der Masse ebene 

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29

EMV 

Bild 10: Unerwünschte Lagenfolge mit Impedanzdarstellung bei 2,4 GHz 

unter dem HF-Abschnitt führt 

auch zu längeren Rückleitungen 

für den HF-Strom, was unerwünscht 

ist. Es wird empfohlen, 

eine feste Ground-Fläche 

anzustreben,vor allem unter der 

HF-Sektion. Digitale Leitungen 

unter dem oder in der Nähe des 

Quarzoszillators sind ebenfalls 

zu vermeiden. Der Quarzoszillator 

könnte dann stark auf einen 

empfindlichen Chip koppeln 

mit dem Ergebnis einer Performance-Einbuße. 

Zur Bypass-Kondensator-Platzierung 

siehe Bild 7: schlechtes 

Bypassing-Layout und Bild 

8: gutes Bypassing-Layout. Im 

ersten Fall gibt es eine Durchkontaktierung 

zwischen Kondensator 

und aktivem Design. Das 

Layout sollte besser so erfolgen, 

dass Vias auf den Kondensator 

folgen, der in der Nähe des Chip- 

Pins angeschlossen ist. 

Bild 11: Vorgabe des Power Pad Layouts im Datenblatt eines Single-Chip Low- 

Cost Transceivers 

Eine Fehlerquelle lauert auch, 

indem PCB-Schichten vertauscht 

werden. Ein häufiger Fehler kann 

auftreten, wenn das endgültige 

PCB-Design an den Hersteller 

übergeben wird, wobei die 

Schichtzuordnung (d.h. die Positionierung 

der Schichten auf dem 

Stack/Leiterplattenstapel) nicht 

deutlich gemacht wurde. Infolgedessen 

können Ebenen beim 

Hersteller während der Herstellung 

vertauscht werden. Dies 

kann erhebliche Auswirkungen 

auf die Leistung des Designs 

haben. Das ist meist auf die 

Änderung der Leiterbahnimpedanz 

zurückzuführen, die durch 

den vergrößerten Abstand zwischen 

der oberen Signalebene 

und der Masse ebene verursacht 

wird. Das Board muss neu hergestellt 

werden, was die Entwicklungszeit 

für das Design verlängert. 

Um diesen Fehler zu vermeiden, 

wird empfohlen, für die 

Platine die gewünschte Permittivität, 

den Schichtabstand usw. in 

Form z.B. einer Readme-Datei 

zu senden. Auch haben mehrere 

Hersteller Online-Formulare, in 

denen die Informationen abgefragt 

werden. Diese Formulare 

müssen sorgfältig ausgefüllt und 

alle Ebenen im Design korrekt 

zugeordnet werden. 

Es wurde eine Simulation mit 

dem Momentum des Advanced- 

Design-Systems durchgeführt, 

um das zu zeigen. Die Impedanz 

ändert sich, wenn die Strom- und 

Masseebene vertauscht werden. 

Bild 9 zeigt den gewünschten 

Zustand. Bild 10 zeigt, wie das 

Board mit vertauschten Bodenund 

Energieebenen gestapelt ist. 

Die simulierte Impedanz weicht 

gegenüber dem richtigen Aufbau 

ab. 

Das Aufmacherbild betrifft das 

Thema „Siebdruck unterhalb 

des Chips“. Es wird empfohlen, 

die Siebdruckmarkierungen 

nicht unterhalb des Bereichs 

zu platzieren, in dem sich der 

Chip befindet, da es Hindernisse 

für das ordnungsgemäße 

Anlöten des Chips an den Leiterplatten-Pads 

schafft, was zu 

unerwünschter Leistungsminderung 

führt. Im Aufmacherbild 

sind die Siebdruckmarkierungen 

im Bereich unter dem Chip zu 

finden. 

In Bild 11 schließlich geht es 

um die Anordnung der Power 

Pads. Die Anordnung der Power 

Pads ist für den erfolgreichen 

Betrieb eines HF-Designs von 

entscheidender Bedeutung. Der 

Bereich unter dem Chip wird für 

die Erdung verwendet und soll 

mit der Masseebene mit mehreren 

Durchkontaktierungen 

für eine gute thermische Leistung 

und ausreichend niedrige 

Induktivität verbunden sein. Das 

Datenblatt und Referenzentwürfe 

spezifizieren das Layout 

für diesen Abschnitt – spezifisch 

für jeden Teil – und beschreiben 

die Anzahl der Durchkontaktierungen, 

ihre Platzierung, 

Lötmaske und Lötstopplack- 

Layout. Es wird empfohlen, die 

Empfehlungen strikt zu befolgen, 

auch um eine Migration von 

Lot durch die Durchkontaktierungen 

während des Lötmittel- 

Rückflussprozesses zu vermeiden. 

Die Lotpastenbedeckung 

sollte nicht 100% betragen, denn 

wenn dies der Fall ist, kann es 

während des Vorgangs zu einer 

Ausgasung im Reflow-Prozess 

kommen, die zu Defekten führen 

kann (Spritzer, Lotballen). 

Doe Verwendung von „tented“ 

Vias reduziert die Lotpastenbedeckung 

unter 100%. 

Referenzen 

[1] David M. Pozar: „Mikrowellentechnik“, 

dritte Ausgabe, 

John Wiley 2005, Allgemeine 

Hinweise 

[2] AN068 - Anpassen von TI- 

LPRF-Designs für das Stapeln 

von Ebenen (SWRA236) ◄ 



Praxis 

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Spektrumanalyse 

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Kenntnisse über die Spektrumanalyse aneigen wollen, sei es 

beruflich (z.B. Techniker, in der Ausbildung von Berufen der 

Kommunikationstechnologie) oder als ambitionierter Amateur. 

Viele Anleitungen für praktische Versuche erleichtern das 

Selbststudium. Es werden keine höheren Mathematik-Kenntnisse 

benötigt, der Schwerpunkt liegt auf der Praxis, wobei die unzähligen 

farbigen Grafiken zum leichteren Verständnis beitragen. Jedem 

Messpraxiskapitel ist ein Abschnitt „Hintergrundwissen“ zum 

jeweiligen Thema vorangestellt. 


Hintergründe zur Spektrumanalyse: Zeit- und Frequenzbereich, 

Fourier, Kurvenformen 

• Spektrumanalyzer im klassischen Überlagerungsprinzip: 

Blockschaltbilder, Basiskonzept und Erweiterung, Frontend, 

ZF-Verarbeitung, Auflösefilter, Detektoren 

• Die Schlüsselmerkmale des Überlagerungsprinzips 

• Die Problemzonen des Analyzers: Rauschen, Kompression, 

Übersteuerung, Dynamik, Korrekturfaktoren 

• Moderne Analyzer-Konzepte: Neue Möglichkeiten durch FFT, 

Konzepte, Abtastung, Fensterung - Oszilloskope mit FFT 

• Messpraxis Amplitudenspektrum: Messen von niedrigen und 

hohen Pegel, Kanalleistung, Frequenzzähler, Messung in 75-Ohm- 

Systemen 

• Messpraxis Rauschen: Hintergrundwissen Rauschen, Rauschmaß, 

Rauschfaktor, Y-Methode, ENR und Präzisionsrauschquelle, Twice- 

Power-Methode, nützliche Softwaretools 

• Messpraxis Einseitenband-Phasenrauschen: Hintergrundwissen 

Seitenbandrauschen, S/N Verhältnis, Messgrenzen, Offset, Problem 

SBN des Analyzers 

• Messpraxis Verzerrungen und Intermodulation: Hintergrundwissen 

Verzerrungen und Intermodulation, 1-dB-Kompression, 

Harmonische, Intermodulationsprodukte, Interceptpunkte, 

Zweiton-Verfahren, Rückwirkungsfreies Zusammenschalten von 

Generatoren 

• Messpraxis Modulation: Hintergrundwissen Modulation, 

AM- und FM-Modulation, Seitenbänder, Impulsmodulation, 

Pulsdesensitation, Nullstellen 

• Messpraxis mit dem Tracking-Generator: Hintergrundwissen 

Tracking-Generator, Blockschaltbild, Dämpfungsverlauf, 

Verstärkungsmessung (Magnitude S21), Filtermessung, 

Reflexionsmessbrücke, Antennenresonanzen, Rückflussdämpfung 

(Magnitude S11) 

• Der Spektrumanalyzer im Umfeld der EMV-Messung: Fakten zum 

Einsatz des Spektrumanalyzer für EMV-Messungen, Anforderungen 

aufgrund der Normung (CISPR), spezielle EMV-Detektoren (Q-Peak), 

Zukünftige Verkürzung der Messzeit durch FFT-Konzepte, sicherer 

Umgang mit der Netznachbildung 

• Panorama-Monitor: Unterschied zwischen Analyzer und Panorama- 

Monitor, Blockschaltbild, moderne Konzepte 

• Anhang: Formelsammlung, Diagramme und Tabellen für die 

tägliche Messpraxis 




Messtechnik 

Rückblick bei Rohde & Schwarz 

Die Geschichte der Störmessempfänger 

Der Bau von Störmessempfängern hat bei Rohde & Schwarz eine lange Tradition. Ein Blick zurück. 

Bild 1: Dr. Lothar Rohde (r.) und Dr. Hermann Schwarz vor Entwicklungen aus 

dem ersten Firmenjahrzehnt. Im Vordergrund der Fernfeldmesser HHF. Dieser 

entstand im Jahr 1937, quasi dem Geburtsjahr der Messempfänger bei Rohde 

& Schwarz 

Autoren: 

Matthias Keller, Jens Medler 

Dieser Beitrag ist ein Auszug 

aus einer Gesamtdarstellung 

der Messempfängergeschichte 

bei Rohde & Schwarz, 

die bis in die Gegenwart 

reicht. Sie steht unter 

www.rohde-schwarz.com zum 

Download bereit, Suchbegriff 

„Messempfänger-Story“. 

Rohde & Schwarz 

GmbH & Co. KG 

www.rohde-schwarz.com 

Bereits in den 30er-Jahren wurden 

erste Feldstärkemessgeräte 

zur Erfassung elektromagnetischer 

Störaussendungen 

gebaut. Heute ist Rohde & 

Schwarz Weltmarktführer für 

diese Gerätegattung. 

AM-Rundfunk initiierte Bedarf 

Der Bedarf für Funkstörmessgeräte 

ist mit der Einführung des 

AM-Rundfunks in den 20er-Jahren 

entstanden. Die zahlreichen 

Störmeldungen von Rundfunkhörern 

machten erstmals eine 

Funkentstörung an den vorhandenen 

Elektrogeräten und -einrichtungen 

nötig. Messverfahren 

und Messgeräte waren jedoch 

noch nicht entwickelt. Erst mit 

der Gründung des internationalen 

Sonderkomitees für Funkstörungen 

CISPR (Comité International 

Spécial des Perturbations 

Radioélectriques) im Jahr 1933 

wurden systematische Untersuchungen 

gestartet, um einheitliche 

Messverfahren zum Schutz 

des Rundfunks zu definieren. 

Dabei wurde früh erkannt, dass 

die Auswirkung auf den Rundfunk 

vom Typ der Störung 

(breitbandig oder schmalbandig) 

und dem jeweiligen Funkdienst 

abhängt. Insbesondere 

die Abhängigkeit von der Pulsfrequenz 

führte schließlich zur 

Definition und Einführung des 

bekannten Quasi-Peak-Detektors. 

Denn es galt, den Aufwand 

für die Funkentstörung aus 

Kostengründen gering zu halten, 

die Entstörung also nur so gut 

wie gerade nötig durchzuführen. 

Die Messtechnik sollte deshalb 

nur bei den Frequenzen Handlungsbedarf 

anzeigen, bei denen 

er subjektiv begründet war. Da 

niedrige Pulsfrequenzen deutlich 

weniger störend empfunden werden 

als höhere (so entspricht die 

Wirkung einer 100-Hz-Pulsstörung 

auf den Mittelwellenempfang 

der einer um 10 dB stärkeren 

10-Hz-Störung), konnte 

man sie bei der Messung schwächer 

gewichten, und genau das 

leistet der Quasi-Peak-Detektor. 

Bei der Quasi-Peak-Bewertung 

spricht man daher auch von einer 

Nachbildung des AM-Radio- 

Empfängers einschließlich des 

subjektiven Störempfindens. 

Der Verband Deutscher Elektrotechniker 

(VDE) veröffentlichte 

schließlich 1941 die Normenentwürfe 

VDE 0876 „Vorschriften 

für Störspannungsmessgeräte“ 

und VDE 0877 „Leitsätze für 

die Messung von Funkstörspannungen“. 

Diese Nomenklatur ist 

heute noch gültig. So spiegelt 

die VDE 0876 die Basisnormenreihe 

CISPR?16-1-x (Geräte und 

Einrichtungen zur Messung der 

hochfrequenten Störaussendung) 

und die VDE 0877 die Basisnormenreihe 

CISPR 16-2-x (Verfahren 

zur Messung der hochfrequenten 

Störaussendung). 

Erste Epoche: Die frühen 

Anfänge 

Bereits in den 30er-Jahren 

begann Rohde & Schwarz mit 

der Entwicklung und dem Bau 

von Feldstärkemessgeräten. 

Den Anfang machten 1937 der 

Feldstärkemesser HHK und der 

Fernfeldmesser HHF (Bild 1). 

Der HHK war in zwei Varianten 

für die Frequenzbereiche 

2,3...23 und 23...107 MHz 

erhältlich. Der HHF deckte mit 

drei Gerätevarianten insgesamt 

den Frequenzbereich 100 kHz 

bis 100 MHz ab und ermöglichte 

Feldstärkemessungen 

von 1 µV/m bis 0,1 V/m. 1938 

folgte schließlich der Nahfeldmesser 

HHN, der ebenfalls in 

drei Gerätevarianten für den 

Frequenzbereich 100 kHz bis 

100 MHz verfügbar war. 

In der Nachkriegszeit sah sich 

Deutschland in Bezug auf den 

Rundfunk mit einer neuen Situation 

konfrontiert. Der 1948 in 

Kraft getretene Kopenhagener 

Wellenplan gestand den Verliererstaaten 

des Zweiten Weltkriegs 

nur sehr wenige und zudem 

ungünstige Frequenzen im Mittelwellenbereich 

zu. Dies hatte 

zur Folge, dass Deutschland die 

Erschließung des UKW- und 

VHF-Bereichs für den Rundfunk 

forcierte. Ein Meilenstein dieser 

Entwicklung war der von Rohde 

& chwarz gebaute erste europäische 

UKW-Sender (90,1 MHz), 

der vom Bayerischen Rundfunk 

am 28. Februar 1949 in 

München-Freimann in Betrieb 

genommen wurde. 

Für die Planung der Senderstandorte 

und die Überwachung 

des Sendebetriebs brauchte es 

Feldstärkemesser. Daher war 

es nur folgerichtig, dass Rohde 

& Schwarz im Jahr 1949 das 

Feldstärkemessgerät HFD für 

den Frequenzbereich 87 bis 

470 MHz als Anschlussgerät 

zum HHF einführte. Kernstück 

des HFD war der Messempfänger 

ESD, ein Überlagerungsempfänger 

mit eingebautem 

100-MHz-Eichgenerator. Die 

gute Reproduzierbarkeit der 

Spannungseichung ermöglichte 

eine sehr genaue Vergleichsmes- 


Messtechnik 

sung im linearen Messbereich 

auch bei kleinen Änderungen 

der Feldstärke, während die 

logarithmischen Messbereiche 

die Messung und Aufzeichnung 

stark schwankender Feldstärken 

gewährleisteten. Zudem war der 

Empfang von frequenz- oder 

amplitudenmodulierten Sendern 

möglich. 

Neue Anforderungen 

Bild 3: Feldstärkemessgerät HFH 

mit aufgesteckter Rahmenantenne 

zur direkten Feldstärkeablesung im 

Frequenzbereich 100 kHz bis 30 MHz. 

Als Messtisch dient der umgebaute 

Transportkoffer 


Mit der Erschließung des VHF- 

Bereichs von 30 bis 300 MHz für 

den Hör- und Fernsehrundfunk 

entstanden neue Anforderungen 

an die Funkstörmesstechnik. 

Auch die Normen mussten 

weiterentwickelt werden, von 

der Störspannungsmessung bis 

20 MHz hin zur Störfeldstärkemessung 

bis 300 MHz. Ferner 

verlangte CISPR die Messung 

der vom Prüfling am Netzanschluss 

abgegebenen Störspannung 

unterhalb von 30 MHz und 

der abgestrahlten Störfeldstärke 

oberhalb dieser Frequenz. Rohde 

& Schwarz begleitete diesen Prozess 

mit der Entwicklung eines 

UKW-Störmessplatzes, der vom 

Fernmeldetechnischen Zentralamt 

(FTZ) in Darmstadt und den 

Störmessstellen der Post eingesetzt 

wurde, um die Störwirkung 

auf die UKW-Rundfunkdienste 

zu untersuchen. 

Die Geräuschwirkung elektrischer 

Störungen auf den AM- 

Hörrundfunk war durch ältere 

Untersuchungen bekannt. Dagegen 

war die Störwirkung auf das 

Fernsehen und den frequenzmodulierten 

FM-Hörrundfunk 

weitestgehend unerforscht. Man 

glaubte zunächst, dass man der 

Störwirkung am besten durch 

Erfassen des Spitzenwerts der 

Störimpulse gerecht wird. Es 

wurde daher eine reine von der 

Pulsfolgefrequenz unabhängige 

Spitzenwertanzeige ohne Bewertung 

gewählt. Für die qualitative 

Beurteilung der Störimpulse 

nach Form und Breite sowie zum 

Vergleich von Stör- und Messimpuls 

wurde ein Oszillograph, wie 

die Geräte damals noch hießen, 

als Anzeigegerät eingesetzt. Es 

zeigte sich, dass deutlich ausgeprägte 

Einzelimpulse recht selten 

auftreten. Meist sieht man 

Impulspakete mit mehr oder 

weniger Abstand zueinander, 

z.B. von prellenden Kontakten, 

Zündfunken von Verbrennungsmotoren, 

feuernden Kollektoren 

von Elektromotoren, aber auch 

Sprüherscheinungen an Hochspannungsleitungen. 

Die oszillographische Messmethode 

zur Erfassung und 

Bewertung von Impulspaketen 

erwies sich dabei als nachteilig. 

So schwankte der Ablesewert 

beträchtlich, je nachdem, ob man 

beim Impulsvergleich mit dem 

Messimpuls am Eichgenerator 

die seltenen ganz hohen Impulse 

der Störaussendung berücksichtigte 

oder einen häufig auftretenden 

mittleren Wert annahm. 

Zudem brauchte man ein Messverfahren, 

das die Störwirkung 

auf den Fernsehempfang direkt 

abbildet. 

Man fand heraus, dass auch 

das subjektive Empfinden von 

Bildstörungen von der Pulsfolgefrequenz 

der Störimpulse 

abhängt – allerdings mit einem 

steileren Abfall gegenüber dem 

Störempfinden des Ohrs beim 

Hörrundfunk. 

Bild 2: UKW-Störmessplatz (neue Variante ab 1957) mit VHF-Messempfänger 

ESG (unten) und Störmesszusatz EZS (oben) 

Wollte man die Bewertung bis 

herunter zum Einzelimpuls vollständig 

abbilden, müssten Messempfänger 

in der Lage sein, 

Amplitudenunterschiede von 

mehr als 50 dB ohne Übersteuerung 

zu verarbeiten. Dies war 

seinerzeit nicht möglich und 

würde selbst heute eine außerordentlich 

hohe Anforderung an 

die Messgeräte bedeuten. Vom 

CISPR wurde daher eine abgeflachte 

Bewertungskurve für die 

Quasi-Peak-Anzeige im CISPR- 

Band C (30 bis 300 MHz) vorgeschlagen 

und umgesetzt, 

die noch heute Bestandteil der 

CISPR?16-1-1 ist. Diese schreibt 

eine Abwertung von 43,5 dB für 

Einzelimpulse gegenüber dem 

Spitzenwert vor. Um reproduzierbare 

Ergebnisse zu erhalten, 

definierte CISPR für die Gleichrichterschaltung 

eine Ladezeitkonstante 

von 1 ms sowie 

eine Entladezeitkonstante von 

550 ms. 

Letztendlich musste auch die 

Messbandbreite an die neuen 

Rundfunkdienste angepasst 

werden. War diese im UKW- 

Störmessplatz zunächst auf 

200 kHz festgelegt, folgte man 

später der CISPR-Empfehlung 

von 120 kHz. All dies wurde im 

Störmesszusatz EZS integriert 

und damit die oszillographische 

Messmethode durch eine Instrumentenanzeige 

abgelöst. In der 

Folge wurde das Messsystem 

ab 1957 als Standardmessplatz 

bei der Deutschen Bundespost 

und bei den zuständigen Verwaltungen 

anderer europäischer 

Länder eingeführt. 

Alte und neue Messempfänger 

Als Messempfänger dienten 

anfangs (ab 1953) die VHF- 

Geräte ESM 180 (30 bis 

180 MHz) und ESM 300 (85 

bis 300 MHz), die ab 1955 vom 

VHF-Messempfänger ESG (30 

bis 330 MHz, Bild 2) abgelöst 

wurden. 

33

Messtechnik 

Bild 4: Der VHF-UHF-Messempfänger ESU hatte wechselbare HF-Einschübe 

und einen für die 60er-Jahre typischen Messeingang nach Dezifix-B-Norm 

In diese Zeit fällt auch die Einführung 

des VHF-Feldstärkezeigers 

HUZ für den Frequenzbereich 

47 bis 225 MHz. Dieser hat 

eine Spitzenspannungsanzeige 

mit Bewertung nach CISPR. 

Auch wenn das Gerät die hohen 

Anforderungen der CISPR- 

Empfehlung No. 305 bzw. der 

überarbeiteten VDE-Vorschrift 

0876 bezüglich der Absolutgenauigkeit 

und Übersteuerungsfestigkeit 

nicht erfüllte, war der 

tragbare HUZ für orientierende 

Messungen im Feld vielseitig 

einsetzbar, zum Beispiel für 

die Untersuchung von Zündstörungen 

bei der Entstörung von 

Kraftfahrzeugen. 

1959 wurde schließlich der altbewährte 

Fernfeldmesser HHF 

durch das Feldstärkemessgerät 

HFH (Bild 3) ersetzt. Im 

Gegensatz zu den noch separaten 

Gerätevarianten beim 

Vorgänger HHF vereinte der 

HFH den Frequenzbereich von 

100 kHz bis 30 MHz in einem 

einzigen Gerät, das zur unmittelbaren 

Messung der Feldstärke 

wahlweise mit drei Rahmenantennen 

für die Bereiche 0,1...4, 

0,4...1,6 und 1,6...30 MHz oder 

einer abgesetzten Stabantenne 

und später auch einer abgesetzten 

Rahmenantenne betrieben 

werden konnte. 

Ein Novum war der mitlaufende 

„Eichgenerator“. Dieser 

ermöglichte die Kalibrierung 

einschließlich der Rahmenantenne 

bei jeder Messfrequenz 

und damit eine direkte Ablesung 

von Feldstärkewerten ohne 

Verwendung von Eichkurven. 

Für Störspannungsmessungen 

konnte die Anzeige von Mittelwert- 

auf Spitzenspannungsmessung 

umgeschaltet werden. 

Der Lieferumfang umfasste 

auch eine induktive und eine 

kapazitive Tastantenne, um beispielsweise 

die Wirksamkeit 

von Abschirmungen zu prüfen. 

Eine Besonderheit: Der Rahmen-Transportkoffer 

konnte zum 

Messtisch umgebaut werden. 

Zudem ließ sich der Frequenzbereich 

mit dem zusätzlich lieferbaren 

Längstwellenvorsatz HFHL 

bis hinab zu 10 kHz erweitern. 

Die zweite Epoche: Start mit 

CISPR-Detektoren 

Das Zeitalter der analogen Überlagerungsempfänger 

mit Bewertungsdetektoren 

nach CISPR 

1961 wurde der VHF-UHF- 

Messempfänger ESU (Bild 4) 

eingeführt. Mit drei wechselbaren 

Einschüben: HF-Teil I (25 

bis 225 MHz), HF-Teil II (160 

bis 475 MHz) und HF-Teil III 

(460 bis 900 MHz) deckte er 

den Frequenzbereich von 25 

bis 900 MHz ab. 1969 kam das 

HF-Teil IV (900 bis 1300 MHz) 

hinzu. Der ESU war ein röhrenbestückter 

Doppel-Überlagerungsempfänger 

mit spiralig 

verlaufender Analogskala 

zur Frequenzanzeige. Mit seinem 

robusten Metallgehäuse 

bringt er 30 kg auf die Waage 

und hat einen für die 60er-Jahre 

typischen Messeingang nach 

Dezifix-B-Norm – ein Verbindertyp, 

den Rohde & Schwarz 

entwickelt hatte. 

Einen wesentlichen Fortschritt 

stellte auch hier der mitlaufende 

„Eichgenerator“ dar, der bei 

jeder Messfrequenz zur Kalibrierung 

des Geräts herangezogen 

werden konnte. Erleichtert 

wurde die Handhabung auch 

durch wählbare Anzeigebereiche 

(linear 20 dB, logarithmisch 40 

bzw. 60 dB), die umschaltbare 

Mittelwert- oder Spitzenwertanzeige, 

eine variable Durchlassbandbreite 

(25 kHz und 

120 kHz) und wahlweise eine 

automatische Frequenznachstimmung. 

Der ESU war das Kernstück des 

VHF-UHF-Feldstärkemessgeräts 

HFU, das außerdem einen Breitbanddipol 

für 25 bis 80 MHz, 

eine logarith misch-periodische 

Breitbandantenne für 80 bis 

1000 MHz, Stativ und Mast, 

Kabel mit Dezifix-Anschlüssen 

sowie einen Transportkoffer 

umfasste. Der HFU war als 

Anschlussgerät (Frequenzerweiterung) 

zum HFH gedacht und 

ersetzte die früheren Feldstärkemessgeräte 

HHF und HFD. 

Der ESU besaß noch keine eingebaute 

Bewertungsfunktion 

für die Störfeldstärkemessung 

nach VDE 0876. Hierfür musste 

der separate Störmesszusatz 

EZS am ZF-Ausgang (2 MHz) 

angeschlossen werden. Nach 

erfolgter Frequenzabstimmung 

und Eichung war dann mittels 

ESU-Pegelschalter und EZS-Teiler 

eine Anzeige von etwa 0 dB 

am EZS einzustellen. Das Messergebnis 

in dB über 1 µV ergab 

sich dann aus der Summe der 

dB-Werte des EZS-Teilers, der 

ESU-Pegelschalterstellung und 

der Abweichung von 0 dB am 

EZS-Instrument. Addierte man 

schließlich noch den Antennenfaktor, 

erhielt man die Störfeldstärke 

in dB über 1 µV/m. Dieser 

aufwendige manuelle Prozess 

führte immerhin zu validen 

Resultaten. Die Nachfolgegeräte 

machten es dem Anwender dann 

aber dank automatischer Bewertung 

deutlich leichter. 

Für die Erschließung des UHF- 

Bereichs brauchte es auch portable 

Geräte. Dies führte 1964 

zur Einführung des UHF-Feldstärkezeigers 

HUZE für den Frequenzbereich 

470 bis 850 MHz, 

quasi die Erweiterung des 

bewährten HUZ. Mit Spitzenwertgleichrichtung 

und einer 

ZF-Bandbreite von 500 kHz war 

der HUZE bestens geeignet, um 

die Ausbreitungsbedingungen 

von Fernsehsignalen im UHF- 

Bereich zu ermitteln. 

1970 folgte der tragbare VHF- 

Feldstärkemesser HFV (Bild 5). 

Das Gerät diente zum Messen 

der Nutz- und Störfeldstärke 

im Frequenzbereich von 25 bis 

300 MHz. Der gesamte Bereich 

konnte ohne Umschaltung durchgestimmt 

werden. Die umschaltbare 

Mittelwert- und Spitzenwert-Anzeige, 

der große Messbereich 

von 130 dB, AM- und 

FM-Demodulation sowie die 

Möglichkeit zur Störbewertung 

nach VDE und CISPR bei 

genormter Messbandbreite von 

120 kHz prädestinierten das 

handliche Gerät für verschiedenste 

Funkkontroll- und Störmessungen. 

Der HFV war der 

erste Rohde?&?Schwarz-Funkstörmessempfänger 

mit normenkonformer 

Bewertung. Viele 

Generationen bis in die Gegenwart 

sollten ihm folgen. ◄ 

Bild 5: Mobiler VHF-Feldstärkemesser 

HFV mit Dipolantenne. Das Modell 

war nicht nur der erste volltransistorierte 

Rohde & Schwarz-Messempfänger, 

sondern auch der erste, der 

eine automatische Störbewertung 

gemäß VDE 0876 durchführen 

konnte 



Praxis 

Dezibel-Praxis 

Richtig rechnen mit dB, dBm, dBµ, dBi, dBc und dBHz 

Frank Sichla, 17,5 x 25,5 cm, 94 S., 82 Abb., zahlreiche 

Tabellen und Diagramme;120 Aufgaben zur Selbstkontrolle, mit 

Lösungen. 

ISBN 978-88976-056-2, 2007, 12,80 € 

Art.-Nr.:118064 

Das Dezibel ist in der Nachrichtentechnik zwar fest 

etabliert, erscheint aber oft noch geheimnisvoll. Will 

man genauer wissen, was dahinter steckt, kann man 

zu mathematiklastigen und trockenen Lehrbüchern 

greifen. Darin stehen viele Dinge, die man in der Funkpraxis 

gar nicht braucht und die eher verwirren. Andererseits 

vermisst man gerade die „Spezialitäten“, 

denen man schon immer auf den Grund gehen wollte. 

Der Autor dieses Buches hat dieses Dilemma 

erkannt und bietet daher hier eine frische, leicht 

verständliche und mit 120 Aufgaben und Lösungen 

überaus praxisgerechte Präsentation des Verhältnismaßes 

„dB“ mit all seinen Facetten. 


• Umrechnen bei Spannungen und Strömen 

• Pegel – Spannung oder Strom verstärken und dämpfen 

– Spannungspegel – Rechenregeln der Dezibel- 

Welt –Ausgangspunkt db-Angabe – Signalgenerator, 

Pegelmesser und Pegelplan 

• Umrechnen bei Leistungen 

• Leistung verstärken und dämpfen – Leistungspegel – 

Leistung und Spannung 

• Dezibel-Anwendung bei Hochfrequenzleitungen 

• Längen- und Frequenzabhängigkeit der Dämpfung – 

Verhältnisse bei Fehlanpassung – Das Schirmungsmaß 

• Dezibel-Anwendung bei Antennen 

• Gewinn – Öffnungswinkel – Vor/Rück- 

Verhältnis – EIRP und ERP – Funkwellen-Ausbreitung 

– Leistungsflussdichte – Richtfaktor – Wirkfläche – 

Ausbreitungsdämpfung 

• Dezibel-Anwendung beim Rauschen von Verstärkern, 

Empfängern und Antennen 

• Rauschbandbreite – Widerstandsrauschen 

und elektronisches Rauschen – Rauschmaß – 

Rauschen von Empfängern – Antennenrauschen – 

Großsignalverhalten – Rauschtemperatur und 

Systemgüte/Gütemaß 

• Dezibel-Anwendung bei Oszillatoren und Sendern 

• Ober- und Nebenwellen – Rauschen von Oszillatoren 

und Sendern – dBc/Hz und CNR 




Aus Forschung und Technik 

Sub-THz-Testumgebung für die 6G-Forschung 

Die 6G-Forschung befindet sich noch in einem sehr frühen Entwicklungsstadium. Insbesondere das, was die 

International Telecommunication Union (ITU) als Network 2030 bezeichnet, ist eine Vision, die noch Gestalt 

annehmen muss. 

Bild 1: Test-Aufbau für die FPGA-Anpassung im Empfänger der Sub-THz- 

Testumgebung 

Während die Industrie noch 

Jahre davon entfernt ist, mit der 

Entwicklung von Standards zu 

beginnen, steht der Sub-Terahertz-Bereich 

(Sub-THz) im 

Fokus der aktiven Forschung. 

Doch die Umsetzung eines 

hohen Durchsatzes in diesem 

Bereich von 100 bis 300 GHz 

oder im THz-Spektrum von 0,3 

bis 3 THz erfordert extreme 

Modulationsbandbreiten. Während 

sich 6G weiterentwickelt, 

benötigen Forscher eine flexible 

und skalierbare Testumgebung, 

um genaue Einblicke in die Leistung 

ihrer Designs zu erhalten. 

Die neue Sub-THz- 

Testumgebung 

Das Whitepaper „Eine neue Sub- 

Terahertz-Testumgebung für die 

6G-Forschung“ von Keysight 

stellt eine Testumgebung für das 

D-Band (110...170 GHz) und das 

G-Band (140...220 GHz) vor, 

mit dem die Signalformqualität 

durch Error-Vector-Magnitude-Messungen 

(EVM) mit 

Modulationsbandbreiten von 

bis zu 10 GHz belegter Bandbreite 

gemessen werden kann. 

Dabei ermöglicht leistungsstarke 

Mehrkanalhardware, kombiniert 

mit flexibler Signalerzeugungs- 

und Analyse-Software, 

die Bewertung von Kandidaten 

für die Signalformen für 6G. 

Im Moment birgt der Sub-THz- 

Frequenzbereich viele unbekannte 

Faktoren, zum Beispiel 

Kanalbeeinträchtigungen durch 

neue Sub-THz-Frequenzbänder. 

Um einen Datendurchsatz von 

100 Gbit/s oder mehr zu erreichen, 

könnten große Bandbreiten 

erforderlich sein, was zu erheblichen 

linearen Amplituden- und 

Phasenbeeinträchtigungen führen 

kann. Diese Beeinträchtigungen 

werden entweder von der 

Hardware, dem Kanal oder sogar 

von beidem verursacht. Darum 

verwenden Empfängersysteme 

häufig Basisbandfunktionen, 

beispielsweise Equalizer, um 

für einen Ausgleich zu sorgen. 

Möglich wird das zum Beispiel 

durch die FPGA-Anpassung 

eines neuen Empfängers für 

die Sub-THz-Testumgebung, 

wodurch sich Echtzeit-Basisband-Algorithmen 

während 

der Übertragung eines Signals 

mit großer Bandbreite über 

den OTA-Kanal (Over-the-Air) 

bewertet lassen. Die Implementierung 

eines adaptiven Echtzeit- 

Equalizers und einer BER-Messung 

werden als Beispiel für die 

benutzerdefinierte Anpassung 

des Testumgebungs-Empfängers 

gezeigt. Der Anpassungsansatz 

ist flexibel und nicht auf diese 

Keysight Technologies 

www.keysight.com 

Bild 2: High-Level-Blockdiagramm der Sub-THz-Testumgebung AWG PathWave System M8195A 



Ein M8131A mit 32 GSa/s digitalisiert 

die 6-GHz-ZF und überträgt 

die digitalisierten Abtastwerte 

über optische ODI-Verbindungen 

an das DSP-Modul 

M8132A. Der Echtzeit-Equalizer 

läuft im 640 Gbit/s DSP-Modul 

M8132A, das die entzerrten IQ- 

Daten und Equalizer-Koeffizienten 

über direkten Speicherzugriff 

(DMA) zur Nachbearbeitung 

an einen Host-PC überträgt. 

Die mit PathWave Test Automation 

erstellte 6G-Software gibt 

die Daten aus. 

FPGA-Anpassung des 

Testumgebungs-Empfängers 

Bild 3: Detailliertes Blockdiagramm der FPGA-Anpassung für den Empfänger der Sub-THz-Testumgebung 

Anwendung beschränkt, was 

weitere FPGA-Implementierungsmöglichkeiten 

für 6G-Sub- 

THz-Forschung und -Tests ermöglicht. 

RX FPGAs Sub-THz- 

Testumgebungen anpassen 

Bild 1 zeigt die Sub-THz- 

Testumgebung mit einem Keysight 

AXIe-Digitizer M8131A 

und dem DSP-Modul M8132A. 

Ein Keysight 65 GSa/s AWG 

M8195A erzeugt breitbandig 

modulierte ZF-Signale. 

Kompakte VDI D-Band- oder 

G-Band-Aufwärtswandler wandeln 

die ZF vom 65 GSa/s AWG 

M8195A in das gewünschte Sub- 

THz-Frequenzband um. 

High-Level-Blockdiagramm des 

Systems. 

Die PathWave System Design 

Software generiert und lädt das 

6-GHz-ZF-Signal auf den 65 

GSa/s AWG M8195A. Ein VDI 

D-Band-Aufwärtswandler wandelt 

die ZF mit einem Keysight 

PSG Signalgenerator LO auf 

144 GHz um. Eine Hornantenne 

überträgt das 144-GHz-Signal in 

den Kanal. Eine weitere Hornantenne 

empfängt das Signal. Ein 

VDI-D-Band-Abwärtskonverter 

konvertiert das empfangene 

Signal mit einem PSG-Signalgenerator 

LO von Keysight zurück 

auf eine ZF von 6 GHz. 

Bild 3 zeigt ein detaillierteres 

Blockdiagramm der FPGA- 

Anpassung des Sub-THz- 

Testumgebungs-Empfängers. 

Der rote Kasten stellt die FPGA- 

Anpassung im 640-Gbit/s-DSP- 

Modul M8132A dar, das mit 

PathWave FPGA implementiert 

wurde. Ein FPGA-LO-Block 

konvertiert die ZF von 6 GHz 

auf ein komplexes Basisband 

herunter. Ein Magnituden-Trigger 

sorgt für eine grobe zeitliche 

Ausrichtung des Empfangssignals 

mit den vom Equalizer verwendeten 

idealen Referenzsymbolen. 

Ein Sample-Shift-Block 

verfeinert die zeitliche Ausrichtung 

und richtet das Empfangssignal 

nach dem Magnituden- 

Auf der Empfangsseite wandelt 

der kompakte VDI-Abwärtswandler 

das Signal in ein ZF- 

Signal um. Ein 32-GSa/s-Streaming-Digitizer 

M8131A digitalisiert 

das Signal. Je nach 

Abtastrate geben ein oder zwei 

ODI-Ports die digitalisierten 

Daten an das 640-Gbit/s-DSP- 

Modul M8132A weiter. 

Das 640-Gbit/s-DSP-Modul 

M8132A enthält zwei Xilinx 

VU9P FPGAs, die mit benutzerspezifischem 

HDL-Code (Hardware 

Description Language) 

und der PathWave FPGA-Programmierumgebung 

angepasst 

werden können. Bild 2 zeigt das 

Bild 4: OTA-Messung bei 144 GHz unter Verwendung der kundenspezifischen Echtzeit-FPGA-Equalizer- 

Implementierung, 8 GHz Symbolrate 


37


Die Autoren 

Abhängigkeit von der Kanalantwort 

darstellt werden. 

Eric Wilson ist F&E-Ingenieur 

bei Keysight Technologies, der 

sich auf FPGA-Design und 

DSP-Algorithmen spezialisiert 

hat. Eric trägt derzeit zur 

Entwicklung von PathWave 

FPGA bei und bietet FPGA- 

Expertise für die 6G-Initiative 

von Keysight. 

Mike Millhaem ist seit 2015 

technischer Architekt für 

5G/6G bei Keysight. In dieser 

Position hat Mike an der 

Entwicklung neuer Testarchitekturen 

für Massive MIMOund 

FR2-Infrastruktur- und 

Benutzergeräte gearbeitet. 

Mike entwickelt derzeit Testarchitekturen 

für Sub-THz-Testsysteme. 

Vor seiner aktuellen 

Position war Mike in der Entwicklung 

und im Marketing 

für Testsysteme tätig, die auf 

Kommunikationssysteme und 

Verteidigungssysteme und 

-komponenten für die Luftund 

Raumfahrt ausgerichtet 

sind. Mike hat einen BSEE- 

Abschluss von der University 

of Illinois, Champaign-Urbana. 

Greg Jue ist 5G/6G System 

Engineer bei Keysight Technologies 

und arbeitet an aufkommenden 

Millimeterwellen- 

Anwendungen jenseits von 50 

GHz. Greg ist Autor des neuen 

Keysight-Whitepapers „Eine 

neue Sub-Terahertz-Testumgebung 

für die 6G-Forschung“ 

und war ein technischer Mitarbeiter 

des neuen Keysight- 

Ebooks „Engineering the 5G 

World“. Greg hat im 5G-Team 

von Keysight, im Team für 

Luft- und Raumfahrt-/Verteidigungsanwendungen, 

im Team 

für Hochleistungs-Scopes 

und in EEsof gearbeitet und 

sich dabei auf 5G, WLAN 

802.11ac, LTE, WiMAX, 

Luft- und Raumfahrt-/Verteidigungsanwendungen 

und 

SDR spezialisiert. Greg hat den 

Abschnitt zur Entwurfssimulation 

im LTE-Buch von Agilent 

Technologies geschrieben und 

zahlreiche Artikel, Präsentationen, 

Anwendungshinweise 

und Whitepapers verfasst, 

darunter “Implementing a Flexible 

Testbed for 5G Waveform 

Generation and Analysis“ von 

Keysight. Greg hat bei Agilent 

Technologies Pionierarbeit 

bei der Kombination von 

Design-Simulation und Testlösungen 

geleistet und zahlreiche 

Anwendungshinweise 

zur Kombination von Simulation 

und Test für neue Technologien 

verfasst. Bevor er 1995 

zu HP/Agilent kam, arbeitete 

Greg am Systemdesign für das 

Deep-Space-Netzwerk am Jet 

Propulsion Laboratory der Caltech 

University. 

Zusammenfassung 

Um einen hohen Datendurchsatz 

zu erreichen, könnte 6G große 

Modulationsbandbreiten, hohe 

Symbolraten und Modulation 

höherer Ordnung bei Sub-THz- 

Frequenzen erfordern. Jedoch 

führen große Modulationsbandbreiten 

von bis zu 10 GHz 

belegter Bandbreite zu erheblichen 

linearen Amplitudenund 

Phasenbeeinträchtigungen, 

sowohl durch die Funkhardware 

als auch durch den Kanal. Diese 

Beeinträchtigungen können mit 

Empfänger-Basisbandalgorithmen 

abgeschwächt werden, 

wodurch der Datendurchsatz 

optimiert und die BER minimiert 

werden kann. 

Dieser Artikel macht deutlich, 

wie Keysights Empfänger für 

Sub-THz-Testumgebungen für 

die 6G-Forschung mit FPGA- 

HDL-Code angepasst werden 

kann. Bei dem vorgestellten 

Beispiel handelt es sich um 

einen adaptiven Echtzeit-Equalizer 

und BER, der auf einer 

144-GHz-OTA-Übertragung 

arbeitet, wobei der Ansatz auch 

andere FPGA-Implementierungen 

für 6G-Forschung und 

-Tests ermöglicht. 

Trigger weiter an den Referenzsymbolen 

aus. 

Nach der Triggerung und dem 

Abgleich dezimiert ein RRC- 

Filter das Signal um den Faktor 

4 bis auf die Symbolrate für 

den Entzerrer. Der Entzerrer verfügt 

über 20 parallele FIR-Filter 

(Finite Impulse Response) mit 

einem adaptiven LMS-Algorithmus 

(Least Mean Square) zur 

Aktualisierung. Die entzerrten 

IQ-Symbole werden anschließend 

über DMA an den Host- 

PC gesendet. Ein FPGA-BER- 

Block berechnet die uncodierte 

BER, indem er Bits aus den entzerrten 

IQ-Symbolen zurückgewinnt 

und sie mit den Referenzbits 

aus den Referenzsymbolen 

vergleicht. Die 20 FIR-Koeffizienten 

aus dem adaptiven LMS- 

Aktualisierungsalgorithmus werden 

ebenfalls per DMA an den 

Host-PC gesendet. 

Der grüne Kasten zeigt die 

PathWave Test Automation- 

Steuerung und den Software- 

Visualisierer, der die IQ-Konstellation, 

die BER über der Zeit 

und den Frequenzgang des Equalizers 

angibt, nachdem ein Fast- 

Fourier-Transformations-Algorithmus 

(FFT) zur Umwandlung 

der FIR-Zeitbereichskoeffizienten 

in den Frequenzbereich 

durchgeführt wurde. 

Beispielmessung 

Bild 4 zeigt die OTA-Messungen 

bei 144 GHz unter Verwendung 

der kundenspezifischen Echtzeit-FPGA-Equalizer-Implementierung 

bei einer Symbolrate von 

8 GHz. Die obere Kurve zeigt 

die Messung der Amplitude in 

Abhängigkeit von der Frequenz. 

Die blaue Kurve stammt vom 

ersten Durchlauf des Equalizers 

während der Initialisierung bei 

einem hohen Signal-Rausch- 

Verhältnis (SNR), sie ist also 

statisch. Die rote Kurve stellt 

die aktuelle komplexe Equalizer- 

Kennlinie dar, sie ist also dynamisch 

und reagiert auf die sich 

ändernden Kanalbedingungen. 

Die Konstellationsdarstellung, 

die I gegen Q anzeigt, erscheint 

in der unteren rechten Kurve. 

Die Messung der prozentualen 

BER in Abhängigkeit von der 

Zeit wird in der unteren linken 

Kurve angezeigt. 

Wären diese Messungen in 

Echtzeit mit einem zeitvariablen 

Kanal, könnte das Verhalten 

des komplexen Entzerrers, 

die IQ-Konstellation und die 

BER-Messung über die Zeit in 

Keysight Technologies bedankt 

sich bei Virginia Diodes Inc. 

(VDI) für die Bereitstellung der 

in diesem Artikel gezeigten VDI 

D- und G-Band-Hardware. ◄ 

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Praxis 

Praxiseinstieg in die 

vektorielle 

Netzwerkanalyse 

Joachim Müller, 

21 x 28 cm, 142 Seiten, 

zahlr. Abb. und Tabellen 

ISBN 978-3-88976-159-0, 

beam-Verlag 2011, 32,- € 

Art.-Nr.: 118100 

In den letzten Jahren ist es der Industrie gelungen, 

hochwertige vektorielle Netzwerkanalysatoren vom 

schwergewichtigen Gehäuse bis auf Handheldgröße zu 

verkleinern. Doch dem nicht genug: Durch ausgefeilte 

Software wurden einfache Bedienkonzepte bei steigender 

Funktionalität erreicht. 

Auch für den Funkamateur wird neuerdings die Welt 

der Netzwerkanalyse durch Selbstbauprojekte, deren 

Umfang und Funktionalität den Profigeräten sehr nahe 

kommen, erschlossen. Damit sind die Voraussetzungen 

für die Anwendung der vektoriellen Netzwerkanalyse im 

Feldeinsatz aus Sicht der verfügbaren Gerätetechnik 

geschaffen. 

Fehlte noch die geräteneutrale Anleitung zum erfolgreichen 

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Messaufbaus, unabhängig vom eingesetzten Gerät, um 

den Praxiseinstieg zu meistern. 

Ein Ausschnitt aus den 

wichtigsten Themen: 

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Netzwerkanalyse 

Elektrisch lang, elektrisch kurz, 

Reflexionsfaktor, Smithdiagramm 

• S-Parameter, Netzwerkparameter 

n-Tore, Welle, Matrizenschreibweise 

• Der Datenaustausch im Touchstone 

Fileformat 

• Grundfunktionen in der Gerätetechnik 

Skalar oder vektoriell, direktives Element, 

Selbstbauprojekte 

• Kalibrierung – Festlegung der 

Messbezugsebene 

Kalibriernormale, Offset, Embedding, Schrittfür-Schritt-Anleitung 

• Messungen an Antennen 

Wahl der Bezugsebene, Einfluss der 

Zuleitung, Fremdsignale 

• Untersuchungen an Leitungen 

Leitungsqualität, Stoßstellen, 

Steckverbindungen, Leitungstransformation, 

die Sünden beim Kabelanschluss 

• Messungen an Bauteilen 

Eigenresonanzen von Kondensatoren und 

Spulen, Quarze und Quarzfilter, Verstärker 

• Gruppenlaufzeit 





Erster Spike-Chip auf Basis eines neuronalen 

Netzwerks für Radar 

Der digitale SNN-Chip minimiert die Art und Weise, wie biologische Neuronen Sensordatenströme 

verarbeiten 

Imec präsentierte den weltweit ersten Chip, 

der Radarsignale mithilfe eines rekursiven 

neuronalen Netzwerks mit Spikes verarbeitet. 

Der Chip ahmt die Art und Weise nach, 

wie Gruppen biologischer Neuronen arbeiten, 

um zeitliche Muster zu erkennen, und 

verbraucht dabei 100 mal weniger Strom als 

herkömmliche Implementierungen, während 

die Latenzzeit um das Zehnfache reduziert 

wird – was eine nahezu sofortige Entscheidungsfindung 

ermöglicht. Beispielsweise 

können Mikro-Doppler-Radarsignaturen 

mit einer Leistung von nur 30 mW klassifiziert 

werden. 

Während die Architektur und die Algorithmen 

des Chips leicht auf die Verarbeitung 

einer Vielzahl von Sensordaten (einschließlich 

Elektrokardiogramm, Sprache, Sonar, 

Radar und Lidar-Ströme) abgestimmt werden 

können, wird der erste Anwendungsfall 

die Schaffung eines hochintelligenten 

Antikollisions-Radarsystems mit geringer 

Leistung für Drohnen umfassen, das viel 

effektiver auf sich nähernde Objekte reagieren 

kann. 

Künstliche Neuronale Netze (ANNs) haben 

sich bereits in einer Vielzahl von Anwendungsbereichen 

bewährt. Sie sind z.B. ein 

wesentlicher Bestandteil der in der Automobilindustrie 

üblichen radargestützten 

Antikollisionssysteme. ANNs haben jedoch 

auch ihre Grenzen. Zum einen verbrauchen 

sie zu viel Leistung, um in zunehmend eingeschränkte 

(Sensor-)Geräte integriert werden 

zu können. Darüber hinaus erfordert die 

zugrunde liegende Architektur und Datenformatierung 

von ANNs, dass die Daten 

einen zeitintensiven Weg vom Sensorgerät 

zum KI-Inferenzalgorithmus zurücklegen 

müssen, bevor eine Entscheidung getroffen 

werden kann. Deshalb Spiking Neuronale 

Netze (SNNs). 

Ilja Ocket, Programmmanager für neuromorphe 

Sensoren bei imec, erläutert. „SNNs 

funktionieren sehr ähnlich wie biologische 

neuronale Netzwerke, in denen Neuronen 

elektrische Impulse über den Zeitverlauf 

sparsam abfeuern, und zwar nur dann, wenn 

sich der sensorische Input ändert. Auf diese 

Weise kann der Energieverbrauch erheblich 

reduziert werden. Darüber hinaus können die 

Spikes-Neuronen auf unserem Chip immer 

wieder neu verbunden werden, wodurch das 

SNN zu einem dynamischen System wird, 

das zeitliche Muster lernt und sich erinnert. 

Die Technologie, die wir heute einführen, 

ist ein großer Sprung vorwärts in der Entwicklung 

wirklich selbstlernender Systeme“. 

Der neuartige Chip von Imec wurde 

ursprünglich zur Unterstützung des Elektrokardiogramms 

(EKG) und der Sprachverarbeitung 

in Geräten mit beschränkter 

Stromversorgung entwickelt. Dank seiner 

generischen Architektur, die ein völlig neues 

digitales Hardware-Design aufweist, kann er 

jedoch auch leicht umkonfiguriert werden, 

um eine Vielzahl anderer sensorischer Eingaben 

wie Sonar-, Radar- und Lidar-Daten 

zu verarbeiten. Im Gegensatz zu analogen 

SNN-Implementierungen sorgt das ereignisgesteuerte 

digitale Design von imec dafür, 

dass sich der Chip präzise und reproduzierbar 

so verhält, wie von den Simulationswerkzeugen 

für neuronale Netze vorhergesagt. 

Ein Anwendungsfall etwa ist ein intelligenteres 

Anti-Kollisionssystem mit geringer 

Leistung für Drohnen (und Autos). Hintergrund 

dazu: Die Drohnenindustrie arbeitet 

– noch mehr als die Automobilbranche – mit 

begrenzten Systemen (z.B. begrenzte Batteriekapazität), 

die rasch auf Veränderungen in 

ihrer Umgebung reagieren müssen, um auf 

herannahende Hindernisse angemessen reagieren 

zu können. „Daher ist die Schaffung 

eines Anti-Kollisionssystems mit niedriger 

Latenz und geringer Leistung für Drohnen 

einer der Haupteinsatzbereiche für unseren 

neuen Chip. Da unser Chip seine Verarbeitung 

in der Nähe des Radarsensors durchführt, 

sollte er es dem Radar-Sensorsystem 

ermöglichen, viel schneller – und genauer 

– zwischen sich nähernden Objekten zu 

unterscheiden. Dies wiederum wird es den 

Drohnen ermöglichen, fast augenblicklich 

auf potenziell gefährliche Situationen zu 

reagieren“, erklärt Ilja Ocket. „Ein Szenario, 

das wir derzeit untersuchen, sind autonome 

Drohnen, die für die Navigation im Warenlager 

auf ihre bordeigene Kamera und Radarsensorsysteme 

angewiesen sind, und die bei 

der Ausführung komplexer Aufgaben einen 

Sicherheitsabstand zu Wänden und Regalen 

einhalten. Diese Technologie könnte auch 

in vielen anderen Anwendungsfällen eingesetzt 

werden – von Robotik-Szenarien 

über den Einsatz von fahrerlosen Transportsystemen 

(AGVs) bis hin zur Gesundheitsüberwachung. 

„Dieser Chip erfüllt die Nachfrage der Industrie 

nach extrem stromsparenden neuronalen 

Netzwerken, die wirklich aus Daten lernen 

und eine personalisierte KI ermöglichen. 

Für die Entwicklung dieses Chips haben 

wir Experten aus verschiedenen Disziplinen 

innerhalb des imec zusammengebracht - von 

der Entwicklung von Trainingsalgorithmen 

und neuronalen Netzwerkarchitekturen, die 

auf den Neurowissenschaften basieren, über 

biomedizinische und Radarsignalverarbeitung 

bis hin zum Design digitaler Chips mit 

extrem niedrigem Stromverbrauch. Hier 

macht imec wirklich einen Unterschied“, 

schließt Kathleen Philips, Programmdirektorin 

für kognitive IoT-Sensorik bei imec. 

■ Imec 

www.imec-int.com 



Praxis 

Digitale Oszilloskope 

Der Weg zum 

professionellen Messen 

Joachim Müller 

Format 21 x 28 cm, Broschur, 388 Seiten, 

ISBN 978-3-88976-168-2 

beam-Verlag 2017, 24,95 € 

Das Oszilloskop ist eines der wichtigsten Messgeräte, das 

in allen Teilgebieten der Elektronik und auch darüber hinaus 

verwendet wird, um Signalverläufe über der Zeitachse 

darzustellen. Das in den 1930er Jahren erfundene Gerät hat, 

speziell in den zurückliegenden letzten zwei Jahrzehnten, 

eine rasante Weiterentwicklung vom ursprünglich reinen 

analogen zum volldigitalisierten Konzept erfahren. Mit der 

Digitalisierung konnten zusätzliche Funktionen realisiert 

werden, was dem Oszilloskop heute den Zugang zu 

seither noch nicht abgedeckten Applikationen eröffnet. 

Das dadurch für den Anwender deutlich gewachsene 

Hintergrundwissen vermittelt, auf praxis bezogene Weise, 

das neue Werk. Das digitale Oszilloskop arbeitet unter völlig 

anderen Rahmenbedingungen, als das vergleichsweise 

einfache analoge Konzept. Durch die Analog-Digital- 

Wandlung entstehen Effekte, die bisher beim analogen 

Oszilloskop völlig unbekannt waren. Beispiele hierzu sind 

Aliasing oder Blindzeit. Beim Aliasing treten Geistersignale 

auf, die im ursprünglichen Signalverlauf nicht vorhanden 

sind. Durch Blindzeiten können relevante Signalereignisse 

unerkannt bleiben. Um diese und weitere Effekte zu 

beherrschen sind für den erfolgreichen Einsatz digitaler 

Oszilloskope entsprechende Kenntnisse ihres internen 

Funktionsprinzips essentiell. 

Der inhaltliche Schwerpunkt und die Darstellung 

von Praxis-Demonstrationen basieren auf einem R&S 

High-End-Oszilloskop, womit auch Auswirkungen in 

Grenzbereichen aufgezeigt werden können. Liegen 

beim Leser Anwendungssituationen vor, die geringeren 

Anforderungen entsprechen, können die vorgeschlagenen 

Versuchs parameter auf ein entsprechend reduziertes 

Maß angepasst werden. Für die Umsetzung der 

vorgeschlagenen Praxis-Demonstrationen reichen in der 

Regel das vorhandene Oszilloskop und ein Laborgenerator. 

Ein Blick in den Inhalt zeigt, in welcher Breite das Thema 

behandelt wird: 

• Verbindung zum Messobjekt über passive und aktive 

Messköpfe 

• Das Vertikalsystem – Frontend und Analog-Digital- 

Converter 

• Das Horizontalsystem – Sampling und Akquisition 

• Trigger-System 

• Frequenzanalyse-Funktion – FFT 

• Praxis-Demonstationen: Untersuchung von Taktsignalen, 

Demonstration Aliasing, Einfluss der Tastkopfimpedanz 

• Einstellungen der Dezimation, Rekonstruktion, 

Interpolation 

• Die „Sünden“ beim Masseanschluss 

• EMV-Messung an einem Schaltnetzteil 

• Messung der Kanalleistung 

Weitere Themen für die praktischen Anwendungs- 

Demos sind u.a.: Abgleich passiver Tastköpfe, 

Demonstration der Blindzeit, Demonstration FFT, 

Ratgeber Spektrumdarstellung, Dezimation, Interpolation, 

Samplerate, Ratgeber: Gekonnt triggern. 

Im Anhang des Werks findet sich eine umfassende 

Zusammenstellung der verwendeten Formeln und 

Diagramme. 




Quarze und Oszillatoren 

So erzeugt man einen präzisen Takt 

Das entscheidende Element für den ordnungsgemäßen Betrieb eines digitalen Systems ist ein 

maßgeschneidertes Clock-Signal. Dieser Artikel behandelt wichtige Aspekte eines Taktoszillators. 

Quelle: 

Ashish Kumar und 

Pushek Madaan, Cypress 

Semiconductor: Oscillators: 

How to generate a precise 

clock source, EDN February 

2013 


Der Artikel konzentriert sich 

auf die verschiedenen Aspekte 

eines Oszillators für eine genaue 

Taktgenerierung, auch bei sich 

verändernder Temperatur und 

Zeit. Zu den behandelten Themen 

gehören: 

• Grundlegende Kriterien für die 

Schwingung 

• Quarzoszillator 

• Stabilität 

• Q-Faktor und seine Bedeutung 

Wichtigkeit des Taktes 

In der modernen Technik ist 

die digitale Logik entweder in 

Form eines FPGAs, Mikrocontrollers, 

Mikroprozessors oder 

einer diskreten Logik zum Kern 

aller elektronischen Schaltungen 

geworden. 

Bild 1: Ersatzschaltbild eines Quarzes 

Digitale Systeme verwenden 

viele Komponenten, die miteinander 

verbunden werden 

müssen, um die erforderlichen 

Funktionen auszuführen. Das 

entscheidende Element für 

den ordnungsgemäßen Betrieb 

eines digitalen Systems ist ein 

Clock-Signal, das es all diesen 

digitalen Komponenten ermöglicht, 

optimal zu kommunizieren 

und eine Synchronisation zwischen 

ihnen herzustellen. Daher 

brauchen solche Systeme immer 

eine Quelle zur Erzeugung dieses 

Taktsignals, z. B. in Form 

eines Oszillators. Die meisten 

heutigen Mikrocontroller haben 

einen integrierten RC-Oszillator, 

doch der von ihm erzeugte 

Takt ist typischerweise nicht gut 

genug, um die Präzisionsanforderungen 

zu erfüllen, die für die 

Kommunikation mit anderen 

Modulen im System erforderlich 

sind. Somit ist ein externer 

Oszillator erforderlich, der dem 

gesamten System ein Taktsignal 

liefert, welches alle Anforderungen 

an Präzision, Signalintegrität 

und Stabilität erfüllt. 

Was ist ein Oszillator? 

In der Elektronik kann jede 

Schaltung ein Oszillator sein, die 

in der Lage ist, ein sich wiederholendes 

Signal ohne Eingabe zu 

erzeugen. Mit einfachen Worten, 

ein Oszillator wandelt Gleichstrom 

in Wechselstrom mit der 

gewünschten Frequenz um. Eine 

Oszillatorschaltung verwendet 

im Allgemeinen einen Verstärker 

mit positivem Feedback: Um 

die Schwingungen aufrechtzuerhalten, 

müssen die Schaltkreise 

den Barkhausen´schen Kriterien 

entsprechen, d.h., die Verstärkung 

des Oszillationssystems 

mit geschlossenem Regelkreis 

muss 1 sein und die Phasenverschiebung 

um den Regelkreis 

muss n x 6,28 betragen, wobei 

n eine beliebige ganze Zahl sein 

kann. Das Ganze wird im Aufmacherbild 

verdeutlicht. 

Automatic Gain Control 

Bei anfänglicher Erregung ist 

das einzige Signal in der Schaltung 

Rauschen. Die Komponente 

des Rauschens, welche die Frequenz- 

und Phasenbedingung für 

die Schwingung erfüllt, breitet 

sich im System aus und nimmt 

in der Amplitude aufgrund positiver 

Rückkopplung zu. Die 

Amplitude des Signals erhöht 

sich, bis es durch die internen 

Eigenschaften des aktiven Elements 

selbst oder durch eine 

externe automatische Verstärkung 

(Automatic Gain Control, 

AGC) begrenzt wird. Die Zeit, 

die zum Aufbau der Schwingung 

benötigt wird, hängt von mehreren 

Faktoren ab, wie der Amplitude 

des Rauschsignals und der 

Verstärkung der Schleife. 

Wenn es um Präzision und Stabilität 

bezüglich Temperatur und 

Zeit geht, werden Quarzoszillatoren 

wegen der hohen Güte Q 

eines Quarzes (im Bereich von 

10 4 bis 10 6 im Vergleich zu etwa 

10 2 für LC) gewählt. 

Quarzoszillatoren 

Das größte Verkaufsargument 

von Quarzoszillatoren ist ihre 

Fähigkeit, eine konstante Frequenz 

unter verschiedenen Lastund 

Temperaturbedingungen 

zu erzeugen. Ein Quarz weist, 

eng beieinander liegend, eine 



Bild 2: Verlauf der Reaktanz des Kristalls über der Frequenz 

Serien- und eine Parallelresonanzstelle 

auf. Die erzeugte Frequenz 

hängt von der Form und 

Größe des Kristalls ab sowie 

von der Schaltung. Je dünner 

der Kristall ist, desto höher ist 

die Resonanzfrequenz. 

Bild 1 bringt das Ersatzschaltbild 

eines Quarzes. Wie man sieht, 

kann ein Quarz als LCR-Schaltung 

modelliert werden. Hier 

sind L m , C m und R m die Bewegungsinduktivität, 

die Bewegungskapazität 

und der Bewegungswiderstand 

des Kristalls 

und C S ist die Shunt-Kapazität, 

die aufgrund der elektrischen 

Verbindungen zum Kristall 

gebildet wird. 

Quarzoszillatoren arbeiten, je 

nach Schaltungsart, auf der Serienresonanzfrequenz 

f s , gebildet 

durch die Serienresonanz von 

L s und C s , oder auf der Parallelresonanzfrequenz 

f p gebildet 

durch die Parallelresonanz von 

L s und die Reihenkombination 

von C s und C p . 

Bild 2 zeigt die Frequenzkurve 

der Reaktanz des Kristalls. Bei 

Frequenzen weit von f p erscheint 

der Kristall kapazitiv. Zwischen 

f s und f p erscheint er induktiv. 


Die Frequenz eines Quarzoszillators 

liegt üblicherweise zwischen 

f s und f p . 

Oszillator und Stabilität 

Wenn es um Oszillatoren geht, 

gibt es viele Faktoren, welche 

die Frequenzstabilität beeinflussen 

können, wie Alterung, 

Rauschen, Temperatur, Haltekreis, 

Haltbarkeit, Magnetfeld, 

Luftfeuchtigkeit, Versorgungsspannung 

und Schock. Einige 

dieser wichtigen Faktoren werden 

nachstehend erörtert: 

Instabilitäten aufgrund der Zeit 

Zeitliche Instabilitäten können 

in zwei Kategorien unterteilt 

werden: Altern und kurzfristige 

Instabilität. Altern ist eine systematische 

Frequenzveränderung, 

die über lange Zeiträume beobachtet 

wird infolge interner 

Änderungen im Oszillator. Diese 

Frequenzänderung beträgt zwar 

nur wenige ppm, kann jedoch 

sehr wichtig sein im Umgang 

mit Systemen mit präzisen Frequenzanforderungen, 

wie DTV- 

Boxen usw. Im Gegensatz dazu 

sind kurzfristige Instabilitäten 

zufälliger Natur. 

Es gibt mehrere Faktoren, die 

zum Altern beitragen können, 

wie Stoffübergang, Stress auf 

den Kristall, Wärmeausdehnung, 

Montagekraft, Verbindungselemente, 

Drive-Pegel des Kristalls 

und Gleichstrom (Vorspannen). 

Zum Kurzzeitrauschen: Der Ausgang 

eines idealen Oszillators 

liefert eine perfekte Sinuswelle. 

In einem nichtidealen System 

treten aufgrund von zufälligem 

Rauschen oder Flimmerrauschen 

jedoch Abweichungen in 

der Phase des Signals auf, die 

bewirken, dass sich die Frequenz 

ändert, um den 2 x 6,28 Phasenzustand 

aufrechtzuerhalten. Die 

Phasensteigung d f /d f ist direkt 

proportional zu Q und Q muss 

für maximale Frequenzstabilität 

hoch sein. Daher sollte Cm 

minimiert werden. Je steiler die 

Steigung der Reaktanz zwischen 

f s und f p ist, umso besser ist die 

Frequenzstabilität. 

Instabilitäten aufgrund der 

Temperatur 

Die Resonanzfrequenzen eines 

Kristalls werden für Raumtemperatur 

angegeben. Ihre Temperaturabhängigkeit 

ist relativ 

gering. Wenn sich allerdings 

die Temperatur extrem ändert, 

kann die Abweichung von der 

Nennfrequenz bis zu einige 

Zehntel ppm betragen. Dies ist 

akzeptabel für Anwendungen 

wie Computing. Wo Genauigkeit 

und Präzision, bei Anwendungen 

wie Navigation, Radar, 

Funkkommunikation, Satellitenkommunikation 

usw., eine große 

Rolle spielen, ist diese Variation 

eventuell nicht akzeptabel. Somit 

wird für solche Anwendungen 

ein zusätzliches Ausgleichselement 

im System erforderlich. 

Instabilitäten aufgrund der 

Abstimmbarkeit 

Das Abstimmen eines Oszillators 

über einen weiten Frequenzbereich 

kann zu Instabilitäten führen. 

Daher werden Filter verwendet, 

um unerwünschte Frequenzmodi 

zurückzuweisen. Dies 

macht es jedoch für abstimmbare 

Oszillatoren schwierig, 

eine höhere Frequenzstabilität 

zu erreichen, da die Lastreaktanz 

nun auch durch die Streukapazität 

und Induktivität der in den 

Filtern verwendeten Elemente 

beeinflusst wird. 

Der Q-Faktor 

Hier ist zwischen Leerlauf- und 

Betriebsgüte zu unterscheiden. 

Der Q-Faktor gibt grundsätzlich 

das Verhältnis der im Resonator 

gespeicherten Energie (in L 

und C) zum begleitenden Energieverlust 

(in R, dem Dämpfungswiderstand) 

an. Durch die 

Beschaltung tritt zum internen R 

ein externer R hinzu, daher ist 

die Betriebsgüte immer geringer 

als die Leerlaufgüte. 

Einige der Vorteile eines 

höheren Q-Faktors sind: 

Mit einem höheren Q ist das 

Phasenrauschen geringer, da 

das Phasenrauschen stark von 

der Güte des Kristalls abhängt. 

Eine engere Bandbreite ist ein 

weiterer Vorteil eines höheren 

Q-Faktors, denn dies führt zu 

einer besseren Frequenzstabilität. 

Q ist proportional zu der 

Zeit, während der die Anregung 

abklingt. Somit steigert 

ein höheres Q die Abklingzeit. 

Die Abklingzeit, zusammen mit 

der Schleifenverstärkung, hilft 

bei der Reduzierung der Oszillatorstartzeit. 

◄ 

43


Kennwerte unter der Lupe 

VCXOs und ihre kritischen Parameter 

Ein Voltage Controlled Crystal Oscillator (VCXO) nutzt die Tatsache aus, dass ein Quarz nur dann resonant 

auf seiner spezifizierten Frequenz ist, wenn die Lastkapazität am Oszillatorausgang einen bestimmten Wert 

aufweist. 

Bild 1: Typische Quarz-VCXO-Linearität 

Unter Nutzung folgender 

Quellen: 

Absolute Pull 

Range Definition, 

Anwendungshinweis der 

Firma Vectron International, 

www.vectron.com 

Definitions of VCXO 

Specifications, 

Applikationsreport der Firma 

SiTime Corporation, 

www.sitime.com 

Damit einher gehen einige 

Kennwerte, die man zum Teil 

nicht auf die leichte Schulter 

nehmen sollte. Der Artikel 

nimmt verschiedene VCXO- 

Spezifikationen unter die Lupe, 

bei denen man eventuell zweimal 

hinschauen sollte, und will 

damit helfen, Design-Fehler zu 

vermeiden. 

Den im Vorspann bemühten 

„bestimmten Wert“ der Lastkapazität 

C L nennt man Bürdekapazität 

C Lnom . Diese gibt der 

Hersteller an. Ein üblicher Wert 

ist 15 pF. Es gilt die Beziehung: 

ppm = C m /2 [(1/(C S +C L ) - 

(1/(C S +C Lnom )] 10 6 

C m 

C S 

C L 

Bewegungskapazität 

(motional capacitance) 

Shunt-Kapazität 

Lastkapazität 

C Lnom Bürdekapazität 

(nomineller Wert) 

Beim Vergrößern von C L steigt 

demnach der Betrag des Frequenzfehlers. 

Im Falle C L > C Lnom 

schwingt der Quarz auf einer 

Frequenz unterhalb der Center- 

Frequenz, im Falle C L < C Lnom auf 

einer Frequenz oberhalb dieser. 

Auf diese Weise lässt sich die 

Schwingfrequenz normalerweise 

nur um bis zu etwa 100 parts per 

million (ppm) verändern. Ein 

10-MHz-Quarz könnte um 1 kHz 

verstimmt werden. In der Praxis 

werden solche Feineinstellungen 

aber gewünscht. 

Dieses Feature ist im VCXO 

implementiert. Ein VCXO nutzt 

in aller Regel eine eingebaute 

Kapazitätsdiode in Reihe zum 

Quarz (eine Induktivität wäre 

theoretisch ebenfalls möglich). 

Benötigt werden VCXOs etwa 

in digitalen Settop-Boxen, bei 

digitalen TV-Applikationen und 

in Laboranwendungen. 

Parameterunterschiede 

beachten 

Bezüglich Frequenzstabilität und 

Zieh- bzw. Einstellbereich (Total 

Pull Range, TPR und Absolute 

Pull Range, APR) können sich 

VCXOs beträchtlich unterscheiden. 

Die Frequenzvariation kann 

je nach Typ nur einen Bruchteil 

eines parts per million betragen 

oder bis zu über 1000 ppm. Weitere 

wesentliche Eigenschaften 

eines VCXOs sind die Linearität 

der Abstimmung, die Frequenzstabilität, 

das Phasenrauschen 

und der Ausgangspegel 

in Abhängigkeit von der Frequenzvariation. 

Die Linearität 

der Abstimmung wird als die 

prozentuale Abweichung vom 

gesamten Abstimmbereich definiert. 

Eine Linearität von 3% 

besagt, dass innerhalb eines 

Abstimmbereichs von beispielsweise 

100 kHz die Frequenzabweichung 

3 kHz betragen kann. 

Diese 3-kHz-Abweichung kann 

überall im Abstimmbereich auftreten. 

Der VCXO CFPV von IQD z. B. 

ist mit Frequenzen im Bereich 

1,5...80 MHz lieferbar und hat 

einen APR von mindestens ±100 

ppm für eine Steuerspannung 

von 1,65 V ±1,65 V. Die Linearität 

wird mit mindestens ±10% 

angegeben. 

TPR vs. APR 

TPR und APR sind verschieden. 

Die Firma Vectron Technologies 

verwendet den absoluten Ziehbereich, 

um den Betrag der Abweichung 

zu definieren, den ein 



Bild 2: Typische SiTime-VCXO-Linearität 

VCXO über die Mittenfrequenz 

f o erreichen kann. Der APR ist 

demnach der garantierte Mindestbetrag, 

um den der VCXO 

um die Mittenfrequenz f o variiert 

werden kann. Diese Angabe 

wird über den gesamten Einsatztemperaturbereich, 

die Alterung, 

Versorgungs- und Lastschwankungen 

aufrechterhalten: 

APR = Ziehbereich - Verschlechterungen 

aufgrund von Temperatur, 

Alterung, Stromversorgung 

und Last 

Für einen VCXO, bei dem der 

APR dementsprechend angegeben 

ist, gibt es keine Vermutungen 

darüber, wie groß die 

mögliche Frequenzabweichung 

unter bestimmten Bedingungen 

ist. Denn der APR ist unter allen 

Bedingungen verfügbar. 

Eine der beliebtesten APR-Optionen 

ist beispielsweise 50 ppm, 

was an vierter Stelle durch ein G 

im Bezeichnungs-Code definiert 

wird. Ein 16,384 MHz VI VCXO 

hätte hingegen nicht mehr als 

20 ppm Temperaturdrift, 5 ppm 

Alterung (20 Jahre, 40 °C), 5 

ppm aufgrund von Stromversorgungsschwankungen 

und 4 

ppm aufgrund von Lastschwankungen. 

Eine Anwendung, spezifiziert 

in Bezug auf Total Pull, 

müsste mindestens 84 ppm Total 


Pull haben, um die Spezifikationen 

zu erfüllen. 

Um die APR-Garantie zu bieten, 

sind Oszillatoren hinsichtlich 

Temperatur, Alterung und Stromversorgung 

gut charakterisiert. 

Man achte auf mögliche Variationen 

von Typ zu Typ! Jeder 

VCXO wird bei Vectron International 

z. B. über der Temperatur 

auf den Ziehbereich getestet. 

Dies ist ein vollautomatischer 

Prozess, bei dem die Oszillatoren 

kontinuierlich während 

eines Temperaturzyklus von 0 

bis 70 oder -40 bis +85 °C einschließlich 

Einlaufen getestet 

werden. Die entsprechenden 

Daten werden automatisch zur 

Analyse gespeichert. Auch eine 

Alterungscharakterisierung 

wird durchgeführt und korreliert. 

Variationen aufgrund von 

Stromversorgung und Last sind 

ebenfalls gut bekannt. 

Der TPR ist nicht an die harten 

Bedingungen des APR geknüpft. 

Oszillatoren, die mit einer Total 

Pull Range spezifiziert sind, können 

aufgrund eines scheinbar 

höheren Pull-Bereichs fälschlicherweise 

überlegen erscheinen. 

Um jedoch sicherzustellen, 

dass ein in Bezug auf Total Pull 

angegebener VCXO den Design- 

Anforderungen entspricht, muss 

der Hersteller kontaktiert werden, 

um Abweichungen aufgrund 

von Temperatur, Alterung, 

Stromversorgung und Last zu 

definieren. Das sind Einflussvariationen, 

die dann von dem 

angegebenen TPR abgezogen 

werden müssen. Es kann nicht 

davon ausgegangen werden, dass 

die VCXO-Leistung gleich dem 

Gesamtziehbereich abzüglich 

der „Stabilität“ ist, sofern die 

Stabilität nicht klar definiert 

wurde - und diese klare Definition 

ist selten der Fall. 

Die Angabe des APR reduziert 

also den Zeitaufwand für das 

Definieren und Verstehen von 

VCXO-Spezifikationen. 

Ein Beispiel 

In einem digitalen Kommunikationsnetz 

hat der Quellentakt 

einen definierten maximalen 

Fehler von der Mitte der Frequenz 

über Temperatur, Alterung 

und Stromversorgungsschwankungen. 

Dieser Fehler 

wird durch eine Vielzahl von 

Faktoren bestimmt und praktisch 

von der Anwendung diktiert. Der 

Empfänger enthält einen VCXO, 

der in der Lage sein muss, den 

Quellenfehler zu verfolgen, um 

bei sich den richtigen Takt wiederherzustellen 

und/oder auf eine 

höhere Frequenz umzusetzen. 

Ein Stratum-4-Level-Takt zum 

Beispiel schreibt einen Fehler 

von 32 ppm unter allen Umgebungsbedingungen 

vor (Worst- 

Bild 3: Typische Quarz-VCXO-K V -Variation 

Case). Der VCXO muss also 

bis 32 ppm auch ziehen können 

und zwar ebenfalls unter Worst- 

Case-Bedingungen. Nach der 

Definition von Vectron International 

(APR-Methode) sind hier 

also mindestens 32 ppm erforderlich, 

was sehr transparent 

ist. Die TPR-Methode anderer 

Hersteller macht die Sache hingegen 

schwieriger, denn es ist 

zu hinterfragen, inwiefern hier 

Temperaturstabilität, Alterung, 

Versorgungsschwankungen oder 

Variationen der Ausgangslast 

hineinspielen. Ein in Bezug auf 

den APR spezifizierter VCXO 

mit einem APR von 32 ppm wäre 

auf Anhieb die richtige Wahl und 

wird immer in der Lage sein, den 

Empfänger unter den widrigsten 

Bedingungen an den Quellentakt 

zu binden. 

Fazit: Der APR ist eine überlegene 

Methode zur Angabe der 

Abweichungsfähigkeit eines 

VCXOs und wird daher immer 

mehr auch von anderen Lieferanten 

in der Branche bevorzugt. 

Das linke Aufmacherbild 

(Bild 1) zeigt eine typische 

SiTime-VCXO-Frequenz- 

Spannungs-Charakteristik. Die 

Kurve variiert mit den genannten 

externen Bedingungen, sodass 

die Frequenzausgabe bei einer 

gegebenen Eingangsspannung 

um so viel variieren kann wie 

die spezifizierte Frequenzstabilität 

des VCXOs. Für solche 

45


Bild 4: Typische SiTime-VCXO-K V -Variation 

VCXOs sind die Frequenzstabilität 

und der APR unabhängig 

voneinander. Dies ermöglicht 

eine sehr große Auswahl an Pull- 

Optionen, ohne Kompromisse 

einzugehen bei der Frequenzstabilität. 

Das rechte Aufmacherbild 

zeigt eine typische VCXO- 

Frequenz-Spannungs-Kennlinie 

auf Quarzbasis. Für VCXOs auf 

Quarzbasis muss man, um einen 

höheren APR zu erzielen, normalerweise 

einen Kristall mit 

niedrigerer Güte (Q) verwenden. 

Dies hat jedoch auch den 

Effekt einer Verschlechterung 

der Frequenzstabilität. Daher 

muss ein Kompromiss zwischen 

Frequenzstabilität und TPR/APR 

geschlossen werden. Man wählt 

den niedrigsten APR, der den 

Anforderungen der Anwendung 

entspricht. 

Obere und untere 

Steuerspannung 

Die obere und untere Steuerspannung 

sind die Grenzen des Aussteuerbereichs. 

Das Anlegen von 

Spannungen über die obere und 

unter die untere Spannung hinaus 

macht sich bei der Ausgangsfrequenz 

nicht mehr bemerkbar. Mit 

anderen Worten: Die Frequenz- 

Spannungs-Charakteristik des 

VCXOs ist jenseits dieser Spannungen 

gesättigt. 

Linearität 

In jedem VCXO gibt es eine 

gewisse Abweichung der Frequenz-Spannungs-Charakteristik 

von einer idealen geraden Linie. 

Die Linearität ist das Verhältnis 

dieser maximalen Abweichung 

zum gesamten Ziehbereich, ausgedrückt 

in Prozent. Typische 

VCXOs auf Quarzbasis erreichen 

die Frequenzsteuerungsfunktion 

durch einen Varaktor 

(Kapazitätsdiode), der führt auf 

eine gekrümmte Kennlinie (Bild 

1). Die Linearitätsspezifikationen 

für diese Oszillatoren liegen 

in der Regel im Bereich von 

5% bis 10%. Zum Vergleich zeigt 

Bild 2 die Linearität von VCXOs 

der 380X-Serie von SiTime. Die 

Charakteristik ist extrem linear, 

typischerweise viel kleiner als 

1% (Bild 6). 

Die Slope K V 

Die Steigung der Frequenz- 

Spannungs-Charakteristik ist 

ein kritischer Entwurfsparameter 

in vielen PLL-Applikationen 

mit geringer Bandbreite. Die 

Steigung ist die Ableitung der 

Frequenz-Spannungs-Kennlinie: 

Frequenzabweichung geteilt 

durch die entsprechende Steuerspannungsänderung 

über einen 

kleinen Spannungsbereich. Sie 

wird typischerweise in kHz/V, 

MHz/V oder ppm/V. Die entsprechende 

„Piste“ wird normalerweise 

genannt. 

Statt Steigung sagt man oft 

Slope und verwendet das Symbol 

K V , basierend auf der in 

PLL-Designs verwendeten Terminologie. 

Die Slope eines Standard-VCXOs 

auf Quarzbasis kann im Laufe 

der Zeit erheblich bezüglich 

des Steuerspannungsbereichs 

variieren, typischerweise 10% 

bis 20%. Einige Datenblätter 

geben möglicherweise einen 

Durchschnitts-K V an. Aber da 

K V wichtige PLL-Leistungsparameter 

wie Bandbreite und 

Phasenspanne beeinflusst, muss 

die gesamte K V -Variation verstanden 

und im Design berücksichtigt 

werden. Die Bilder 

3 und 4 zeigen typische KV- 

Eigenschaften quarzbasierter 

VCXOs und SiTime-VCXOs 

der 380X-Familie. Die extrem 

linearen Eigenschaften der 

SiTime-380X-VCXO-Familie 

sind erkennbar; über den gesamten 

Eingangsspannungsbereich 

gibt es nur eine sehr geringe K V - 

Variation (typischerweise

Produktindex 

A 

Analyzer 

5G-NR-fähig.....................................50 

AC/DC-Power ...................................50 

Antennen .......................................50 

Kabel ..........................................50 

Logik. ..........................................50 

Modulations .....................................50 

Modulations- ....................................50 

Netzwerk........................................50 

PIM. ...........................................50 

Rauschzahl......................................50 

Signal ..........................................50 

sonstige ........................................50 

Spektrum .......................................50 

Vektor-Netzwerk..................................50 

Antennen 

5G-NR/IoT-fähig .................................50 

Aktiv ...........................................50 

Breitband .......................................50 

Cassegrain ...................................... 51 

Dipol. .......................................... 51 

Feeds .......................................... 51 

GPS ........................................... 51 

Horn ........................................... 51 

Inhouse-Betrieb .................................. 51 

konische, bikonische .............................. 51 

Log-periodische.................................. 51 

Mess. .......................................... 51 

MiMo ..........................................52 

Mobil ..........................................52 

Module .........................................52 

Multi-GNSS .....................................52 

NFC ...........................................52 

Parabol.........................................52 

Patch ..........................................52 

Phased-Array ....................................52 

Satelliten .......................................52 

Schlitz. .........................................52 

sonstige ........................................52 

Vertikal .........................................52 

Yagi. ...........................................53 

B 

Bauelemente 

Balun ..........................................53 

bedrahtete ......................................53 

Chip-Kondensatoren ..............................53 

Durchsteckausführung.............................53 

Elektronenröhren .................................53 

HF-Abschlüsse. ..................................53 

HF-Übertrager ...................................53 

Induktivitäten ....................................53 

Lastwiderstände, induktivitätsarm ...................53 

LTCC. ..........................................54 

luftund raumfahrttaugliche ........................54 

MEMS-Relais. ...................................54 

SAW-Filter ......................................54 

SAW-Komponenten, sonstige .......................54 

SAW-Oszillatoren. ................................54 

SAW-Verzögerungsleitungen. .......................54 

SMD-Widerstände ................................54 

sonstige Widerstände .............................54 

variable Widerstände ..............................54 

C 

Chipsets 

5G. ............................................54 

Bluetooth .......................................55 

CDMA. .........................................55 

DECT ..........................................55 

DVB ...........................................55 

GSM ...........................................55 

ISM. ...........................................55 

LTE ............................................55 

RFID ...........................................55 

UMTS ..........................................55 

WLAN. .........................................56 

ZigBee .........................................56 

D 

Dämpfungsglieder 

Festwert ........................................56 

Leistungs .......................................56 

programmierbar ..................................56 

sonstige ........................................56 

variabel. ........................................56 

Dienstleistungen 

ASIC-Entwicklung ................................56 

Auftragsentwicklung ..............................56 

Beschichtung ....................................56 

Bestücken, Löten .................................57 

Consulting ......................................57 

EMV-Messungen .................................57 

Gutachten. ......................................58 

HF-konfektioniert. ................................58 

Hybride, kundenspezifisch. .........................58 

ICs, kundenspezifisch .............................58 

Kalibrier-Service .................................58 

Layout-Service. ..................................58 

Leiterplatten-Service ..............................58 

Seminare/Workshops .............................58 

Dioden 

Avalanche. ......................................58 

Gunn. ..........................................58 

IMPATT. ........................................58 

Laser. ..........................................58 

LED. ...........................................58 

OLED ..........................................58 

Paare, Quartette ..................................58 

Photo ..........................................59 

PIN ............................................59 

Rausch .........................................59 

Schottky ........................................59 

sonstige ........................................59 

Step Recovery ...................................59 

Tunnel. .........................................59 

Varactor ........................................59 

E 

Elektromechanische Komponenten 

Blitzschutz ......................................59 

Buchsen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59 

Durchführungen. .................................59 

Gebläse. ........................................59 

Gehäuse, 19-Zoll .................................59 

Gehäuse, abgeschirmte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59 

Gehäuse, Aluminium ..............................59 

Gehäuse, HF. ....................................60 

Gehäuse, Kunststoff. ..............................60 

Heat-Pipes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 

HF-Dichtungen. ..................................60 

HF-Relais .......................................60 

Kühlkörper ......................................60 

Lüfter ..........................................60 

EMV 

Absorberhallen. ..................................60 

Absorbermaterial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 

Antennenmasten .................................61 

Antennensets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 

Drehtische ......................................61 

Entstördrosseln ..................................61 

Entstörfilter. .....................................61 

Erstellung geschirmter Räume. ......................62 

Glasscheiben, HF-dicht ............................62 

GTEM-Zellen ....................................62 

Leistungsverstärker ...............................62 

Messempfänger ..................................62 

Messkammern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62 

Referenzstrahler ..................................62 

Zelte ...........................................62 

HF-Einkaufsführer 2021/2022 47

Produktindex 

F 

Filter 

abstimmbare ....................................62 

Bandpass .......................................62 

Bandstop .......................................63 

BAW ...........................................63 

Breitband .......................................63 

Durchführungs ...................................63 

EMI ............................................63 

Helix ...........................................64 

Hochpass .......................................64 

Hohlraumresonator ...............................64 

Interdigital ......................................64 

Koaxial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 

LTCC. ..........................................64 

Mechanische ....................................64 

Quarz ..........................................64 

reflexionsarme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 

SAW ...........................................64 

sonstige ........................................65 

Tiefpass ........................................65 

ZF .............................................65 

G 

Generatoren 

Basisband- und Modulations........................66 

Digital-Signal....................................66 

Funktions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 

HF-Signal. ......................................66 

Impuls. .........................................66 

Mikrowellen .....................................66 

Rausch .........................................66 

sonstige ........................................66 

Taktsignal. ......................................66 

Vektorsignal .....................................66 

Wellenform (AWG) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 

GPS 

Antennen .......................................66 

Chipsätze .......................................67 

Empfänger-Baugruppen............................67 

Evaluation-Kits...................................67 

Module .........................................67 

H 

HF- und Mikrowellen-Transistoren 

Bipolar .........................................67 

FET ............................................67 

GaAs. ..........................................67 

GaN. ...........................................67 

HEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 

LDMOS. ........................................67 

MOSFET. .......................................67 

pHEMT .........................................67 

SiGe ...........................................67 

sonstige ........................................67 

I 

Integrierte Schaltungen 

Aktive Mischer ...................................67 

kundenspezifisch .................................67 

Mixed Signal ....................................67 

MMICs .........................................67 

Modulatoren, I/Q .................................68 

Modulatoren, Phasen. .............................68 

Modulatoren, sonstige .............................68 

PLL. ...........................................68 

Schaltbare Dämpfungsglieder .......................68 

Schalter ........................................68 

Synthesizer, DDS .................................68 

Synthesizer, Fractional-N. ..........................68 

Synthesizer, sonstige. .............................68 

Up/Down Converter ...............................68 

K 

Kabel 

Konfektionierung .................................68 

hochflexibel .....................................68 

Koaxial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69 

Mikrowellen .....................................69 

semirigid .......................................69 

sonstige ........................................69 

Test ............................................69 

Kondensatoren 

Cryogenic Ceramic ...............................69 

Durchführungs ...................................70 

Folien ..........................................70 

für Luft- und Raumfahrt ............................70 

Glimmer ........................................70 

Hochvolt. .......................................70 

Keramik ........................................70 

Multichip Array. ..................................70 

Singlelayer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70 

sonstige ........................................70 

Super ..........................................70 

Trimmer ........................................70 

Ultra-Porcelain. ..................................70 

Vielschicht-Chip .................................70 

L 

LWL-Komponenten 

Dämpfungsglieder ................................70 

Kabel-Tester .....................................70 

konfektionierte Kabel ..............................71 

Messgeräte. .....................................71 

Steckverbinder ...................................71 

M 

Materialien 

Abschirm .......................................71 

Absorber. .......................................71 

Basis. ..........................................71 

dielektrische. ....................................71 

Ferrit. ..........................................71 

Keramik ........................................71 

Keramiksubstrate .................................71 

magnetische. ....................................71 

sonstige ........................................71 

sonstige Substrate ................................71 

Teflonsubstrate. ..................................71 

Messgeräte und Tester 

Antennen .......................................71 

ATE-Systeme ....................................72 

Bitfehlerraten ....................................72 

Digitalmultimeter .................................72 

elektronische Lasten ..............................72 

Feldstärke. ......................................72 

Frequenzmesser. .................................72 

Frequenznormale .................................72 

Frequenzteiler. ...................................72 

Funkmessplätze ..................................72 

Funkstör-Messempfänger ..........................72 

GAP-Filler ......................................72 

Gebrauchtgeräte. .................................72 

HF-Millivoltmeter. ................................72 

High Performance ................................72 

Jitter ...........................................73 

Kalibrier-Kits ....................................73 

Kalibrier-Standards ...............................73 

Kommunikations .................................73 

Labornetzgeräte ..................................73 

LCR. ...........................................73 

Leasing. ........................................73 

Low Cost ....................................... 74 

LTE ............................................ 74 

Messkabel ...................................... 74 

Messnormale .................................... 74 

Millimeterwellen. ................................. 74 

Netzwerk. ....................................... 74 

Pegel .......................................... 74 

Phasen ......................................... 74 

Phasenrausch. ................................... 74 

Rausch ......................................... 74 

sonstige ........................................ 74 

Source Measure Unit ..............................75 

Standard. .......................................75 

SWR/Leistungs ..................................75 

Tastköpfe .......................................75 

Temperatur-Testkammern ..........................75 

Testfassungen ...................................75 

Testphasenstabil .................................75 

Übertragungskanalsimulatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 

Verzögerungsleitungen ............................75 

WLAN. .........................................75 

Zeit- und Frequenz-Referenzen ......................75 

Zubehör ........................................75 

Mikrowellenkomponenten 

Abschlüsse, Hohlleiter. ............................75 

Abschlüsse, sonstige. .............................76 

Bias-Tees .......................................76 

Combiner .......................................76 

Dämpfungsglieder ................................76 

DC-Blocks ......................................76 

Detektoren ......................................76 

Diplexer ........................................76 

Drehkupplungen. .................................76 

Dummy Loads ...................................76 

E/H-Tuner.......................................77 

Filter ...........................................77 

Flanschadapter. ..................................77 

Flansche. .......................................77 


Flanschverbinder .................................77 

Gain Equalizer ...................................77 

Gleichrichter.....................................77 

Hohlleiter-Bögen .................................77 

Hohlleiter-Materialien .............................77 

Hohlleiter-Übergänge..............................77 

Hohlleiter, flexibel ................................77 

Hohlleiter, starr...................................78 

Hybrid-Koppler ..................................78 

Isolatoren .......................................78 

Koppler, sonstige .................................78 

Limiter .........................................78 

Mischer ........................................78 

Multiplexer ......................................78 

Phasenschieber ..................................78 

Resonatoren, dielektrische..........................78 

Resonatoren, Hohlraum ............................78 

Richtkoppler.....................................78 

Pin-Dioden......................................79 

sonstige ........................................79 

YIG-Komponenten ................................79 

Zirkulatoren .....................................79 

O 

Oszillatoren 

Clock ..........................................79 

EMXO ..........................................79 

MEMS. .........................................79 

MEMS-OCXO....................................79 

OCXO ..........................................79 

PLL. ...........................................80 

Referenz ........................................80 

Rubidium .......................................80 

sonstige ........................................80 

Synthesizer......................................80 

TCXO ..........................................80 

VCSO ..........................................80 

VCTCXO ........................................80 

VCXO ..........................................80 

XO. ............................................80 

YIG ............................................81 

Oszilloskope 

analog. .........................................81 

digital ..........................................81 

Mixed Domain ...................................81 

Mixed Signal ....................................81 

Stand Alone .....................................81 

USB ...........................................81 

S 

Schalter 

Dioden .........................................81 

Ferrit. ..........................................81 

FET ............................................81 

Hohlleiter .......................................81 

Koaxial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81 

Matrix ..........................................82 

PIN ............................................82 

sonstige ........................................82 

Schaltfelder .....................................82 


Software 

Tools für HF-Designer .............................82 

Bibliotheken .....................................82 

EDA. ...........................................82 

EMV ...........................................82 

HF-System-Simulation ............................82 

sonstige ........................................82 

Tools für HF-Designer .............................82 

Steckverbinder 

BNC ...........................................82 

Koax ...........................................82 

LWL ...........................................83 

Mikrowellen .....................................83 

N. .............................................83 

PIM-arme .......................................83 

Präzisions. ......................................83 

Push-on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83 

SMA ...........................................83 

sonstige ........................................84 

TNC ...........................................84 

Stromversorgung 

AC/DC-Wandler ..................................84 

DC/DC-Wandler. .................................84 

Geräte. .........................................84 

Module .........................................84 

Überspannungsschutz .............................84 

T 

Transceiver-Module 

Gigabit-Ethernet. .................................84 

optische ........................................84 

VHF/UHF .......................................84 

V 

Verstärker 

Produktindex 

Begrenzer .......................................84 

Bipolar .........................................85 

Breitband .......................................85 

CATV ..........................................85 

Doherty. ........................................85 

GaAs. ..........................................85 

GaN. ...........................................85 

HEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85 

Komparator. .....................................85 

Leistungs .......................................85 

logarithmische ...................................85 

Low Noise. ......................................85 

Mikrowellen .....................................86 

MMIC ..........................................86 

MOSFET. .......................................86 

Operations ......................................86 

sonstige ........................................86 

Trenn. ..........................................86 

TWT ...........................................86 

Verteiler ........................................86 

Video ..........................................86 

ZF .............................................86 

FREQUENCY 

CONTROL 

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49 

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Produkte und Lieferanten 

Analyzer, 

5G-NR-fähig 

EMCO Elektronik GmbH .............106 

Laser 2000 GmbH ...................108 

Meilhaus Electronic GmbH...........109 

mmt gmbh .........................109 

Narda Safety Test Solutions .......... 110 

Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG .... 111 

Siglent Technologies ................ 113 

Unitronic GmbH..................... 114 

Analyzer, 

AC/DC-Power 

Aaronia AG ..........................103 

Anritsu GmbH .......................103 

AR Deutschland GmbH . . . . . . . . . . . . . . 103 

Chauvin Arnoux GmbH ..............104 

dataTec AG ..........................105 


HTB Elektronik ......................107 


municom GmbH .................... 110 

pro nova Elektronik GmbH........... 111 

PSE-Priggen Special Electronic....... 111 


SI Scientific Instruments GmbH ...... 112 

Analyzer, 

Antennen 

Aaronia AG ..........................103 

DigiComm GmbH ...................105 

Heuermann HF-Technik GmbH.......107 



SSB-Electronic GmbH................ 113 

TACTRON ELEKTRONIK .............. 113 

Telemeter Electronic GmbH.......... 113 


Analyzer, 

Kabel 

Aaronia AG ..........................103 

Anritsu GmbH .......................103 

CompoTEK GmbH ...................104 

dataTec AG ..........................105 

DigiComm GmbH ...................105 




Laser 2000 GmbH ...................108 


mmt gmbh .........................109 

MTS Systemtechnik GmbH........... 110 



RADIALL GmbH ..................... 111 

Spectrum Elektrotechnik ............ 113 


Analyzer, 

Logik 

ALLDAQ GmbH......................103 

Anritsu GmbH .......................103 

dataTec AG ..........................105 




Rigol Technologies EU GmbH ........ 111 


Tektronix GmbH..................... 113 

Analyzer, 

Modulations 

ALLICE Messtechnik GmbH ..........103 

Anritsu GmbH .......................103 


municom GmbH .................... 110 



Analyzer, 

Modulations- 

IZT GmbH ...........................108 




Analyzer, 

Netzwerk 


Anritsu GmbH .......................103 

dataTec AG ..........................105 

DigiComm GmbH ...................105 


germania elektronik GmbH ..........107 



Laser Components GmbH ...........108 





Analyzer, 

PIM 

Anritsu GmbH .......................103 


Globes Elektronik GmbH & Co. KG. ...107 


MIWEKO GmbH .....................109 


Rosenberger HF-Technik............. 112 

Analyzer, 

Rauschzahl 

Anritsu GmbH .......................103 

bsw TestSystems & Consulting AG ...104 




municom GmbH .................... 110 




Analyzer, 

Signal 

Aaronia AG ..........................103 


Anritsu GmbH .......................103 


dataTec AG ..........................105 

DigiComm GmbH ...................105 

Eisch-Kafka electronic GmbH ........105 


Eschke, Dr. Elektronik GmbH ........106 

GAUSS INSTRUMENTS ...............107 


IZT GmbH ...........................108 

Meilhaus Electronic GmbH. ..........109 





Tektronix GmbH. .................... 113 

Telemeter Electronic GmbH. ......... 113 

Analyzer, 

sonstige 

Aaronia AG ..........................103 

Anritsu GmbH .......................103 




Heuermann HF-Technik GmbH. ......107 


HY-LINE Power Components. ........107 

Karl Kruse GmbH & Co. KG ...........108 

Laser 2000 GmbH ...................108 


mmt gmbh .........................109 

municom GmbH .................... 110 


Analyzer, 

Spektrum 

Aaronia AG ..........................103 

ALLDAQ GmbH. .....................103 


Anritsu GmbH .......................103 

Chauvin Arnoux GmbH ..............104 

dataTec AG ..........................105 

Digital Devices GmbH ...............105 






IZT GmbH ...........................108 



PSE-Priggen Special Electronic. ...... 111 



SatService GmbH. ................... 112 






Analyzer, 

Vektor-Netzwerk 

ALLDAQ GmbH. .....................103 


Anritsu GmbH .......................103 





Heuermann HF-Technik GmbH. ......107 



mmt gmbh .........................109 

PSE-Priggen Special Electronic. ...... 111 





WiMo Antennen + Elektronik ........ 114 

Antennen, 

5G-NR/IoT-fähig 

A.N. Solutions GmbH ................103 

bda connectivity GmbH .............104 

CompoTEK GmbH ...................104 

Endrich Bauelemente GmbH.........106 

Globes Elektronik GmbH & Co. KG....107 

HY-LINE Communication Products ...107 

iDTRONIC GmbH ....................107 

IK Elektronik GmbH. .................108 

IMST GmbH .........................108 


m2m Germany GmbH ...............109 

MC Technologies GmbH .............109 

MEV Elektronik Service ..............109 

MICROCHIP TECHNOLOGY GmbH....109 

mmt gmbh .........................109 

MRC Gigacomp GmbH & Co. KG......109 

municom GmbH .................... 110 

RFMW Europe Ltd. .................. 111 

Rosenberger HF-Technik. ............ 112 

Round Solutions GmbH & Co. KG..... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 

Sevskiy GmbH. ...................... 112 

SPINNER GmbH ..................... 113 

tekmodul GmbH .................... 113 

Tragant GmbH ...................... 114 

Unitronic GmbH. .................... 114 

WDI AG ............................. 114 

Antennen, 

Aktiv 

Aaronia AG ..........................103 

Börsig GmbH. .......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 









Melatronik GmbH ...................109 


MIWEKO GmbH .....................109 


RADIALL GmbH ..................... 111 

Rittmann HF Technik ................ 111 


Rutronik GmbH. ..................... 112 

Sat-Service Schneider ............... 112 

Sevskiy GmbH. ...................... 112 


Tragant GmbH ...................... 114 


WDI AG ............................. 114 


Antennen, 

Breitband 

Aaronia AG ..........................103 

Anritsu GmbH .......................103 





Börsig GmbH........................104 


coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 



emv Service GmbH ..................106 


Frankonia EMC Test-Systems .........107 






IMST GmbH .........................108 

Industrial Electronics GmbH .........108 




MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 






RADIALL GmbH ..................... 111 

RF-Lambda Europe GmbH ........... 111 




Rutronik GmbH...................... 112 


Seibersdorf Labor GmbH ............ 112 

SEMIC RF Electronic GmbH .......... 112 

Sevskiy GmbH....................... 112 

SPINNER GmbH ..................... 113 




Tragant GmbH ...................... 114 


WDI AG ............................. 114 

Antennen, 

Cassegrain 






MIWEKO GmbH .....................109 

SatService GmbH.................... 112 



Antennen, 

Dipol 


Aaronia AG ..........................103 

Anritsu GmbH .......................103 

Börsig GmbH........................104 


coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 

DigiComm GmbH ...................105 












MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 

MRC Gigacomp GmbH & Co. KG. .....109 


pro nova Elektronik GmbH. .......... 111 

RADIALL GmbH ..................... 111 

Radio Frequency Systems............ 111 




Rutronik GmbH...................... 112 



Sevskiy GmbH....................... 112 

SPINNER GmbH ..................... 113 


Tragant GmbH ...................... 114 


WDI AG ............................. 114 


Antennen, 

Feeds 

CompoTEK GmbH ...................104 








MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



Rutronik GmbH...................... 112 

SatService GmbH.................... 112 


Sevskiy GmbH....................... 112 



Antennen, 

GPS 

Acal BFi Germany GmbH.............103 

Althaus, Martin Ing.-Büro ............103 

Anritsu GmbH .......................103 

AuCon GmbH .......................104 

Börsig GmbH........................104 

coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 

DigiComm GmbH ...................105 


Endrich Bauelemente GmbH. ........106 






Lange-Electronic GmbH .............108 





municom GmbH .................... 110 


RADIALL GmbH ..................... 111 



Round Solutions GmbH & Co. KG. .... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 

Sevskiy GmbH. ...................... 112 



TecSys GmbH ....................... 113 

tekmodul GmbH .................... 113 

Tragant GmbH ...................... 114 


WDI AG ............................. 114 

Antennen, 

Horn 

Aaronia AG ..........................103 

Anritsu GmbH .......................103 



eg-electronic GmbH. ................105 



ERM-Mikrowellentechnik . . . . . . . . . . . . 106 







IMST GmbH .........................108 





MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 






RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 


Sevskiy GmbH. ...................... 112 



Antennen, 

Inhouse-Betrieb 

Aaronia AG ..........................103 


Börsig GmbH. .......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 




MIWEKO GmbH .....................109 



Rutronik GmbH. ..................... 112 

Sevskiy GmbH. ...................... 112 

SPINNER GmbH ..................... 113 

SSB-Electronic GmbH. ............... 113 


Tragant GmbH ...................... 114 


Antennen, 

konische, bikonische 

Aaronia AG ..........................103 

ALLDAQ GmbH. .....................103 












MIWEKO GmbH .....................109 





RUPPtronik. ......................... 112 


Sevskiy GmbH. ...................... 112 


Antennen, 

Log-periodische 

Aaronia AG ..........................103 

Anritsu GmbH .......................103 













MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 






Sevskiy GmbH. ...................... 112 


Tragant GmbH ...................... 114 


Antennen, 

Mess 

Aaronia AG ..........................103 


Anritsu GmbH .......................103 


CompoTEK GmbH ...................104 






51






MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 







Sevskiy GmbH....................... 112 



Antennen, 

MiMo 


Börsig GmbH........................104 

coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 






MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 






Rutronik GmbH...................... 112 

Sevskiy GmbH....................... 112 

SPINNER GmbH ..................... 113 



Tragant GmbH ...................... 114 


Antennen, 

Mobil 

Aaronia AG ..........................103 


Börsig GmbH........................104 

coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 





IK Elektronik GmbH..................108 

IMST GmbH .........................108 



MIWEKO GmbH .....................109 



RADIALL GmbH ..................... 111 


Rutronik GmbH...................... 112 

Sevskiy GmbH....................... 112 


tekmodul GmbH .................... 113 

Tragant GmbH ...................... 114 



Antennen, 

Module 

Aaronia AG ..........................103 

coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 




iDTRONIC GmbH ....................107 


IMST GmbH .........................108 



MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



Rutronik GmbH...................... 112 

Sevskiy GmbH....................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 

Tragant GmbH ...................... 114 


Antennen, 

Multi-GNSS 

Börsig GmbH........................104 

coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 










mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 



Rutronik GmbH...................... 112 

Sevskiy GmbH....................... 112 


tekmodul GmbH .................... 113 

Tragant GmbH ...................... 114 

u-blox AG ........................... 114 


WDI AG ............................. 114 

Antennen, 

NFC 

coftech GmbH ......................104 

ELATEC GmbH.......................106 



iDTRONIC GmbH ....................107 

IMST GmbH .........................108 



mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 

Rutronik GmbH...................... 112 


Sevskiy GmbH....................... 112 


WDI AG ............................. 114 

Antennen, 

Parabol 





MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



Radio Frequency Systems. ........... 111 

Rutronik GmbH. ..................... 112 



Antennen, 

Patch 

coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 





iDTRONIC GmbH ....................107 

IMST GmbH .........................108 




MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 


RADIALL GmbH ..................... 111 


Rutronik GmbH. ..................... 112 


Sevskiy GmbH. ...................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 

Tragant GmbH ...................... 114 


VTQ Videotronik GmbH. ............. 114 

Antennen, 

Phased-Array 



IMST GmbH .........................108 


MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


RADIALL GmbH ..................... 111 


Sevskiy GmbH. ...................... 112 


Antennen, 

Satelliten 

CompoTEK GmbH ...................104 




IMST GmbH .........................108 


MIWEKO GmbH .....................109 




Rutronik GmbH. ..................... 112 





Antennen, 

Schlitz 

CompoTEK GmbH ...................104 




MIWEKO GmbH .....................109 



Sevskiy GmbH. ...................... 112 


Antennen, 

sonstige 


Aaronia AG ..........................103 


Anritsu GmbH .......................103 


Börsig GmbH. .......................104 


CompoTEK GmbH ...................104 


ELECTRADE GmbH ..................105 









MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



RADIALL GmbH ..................... 111 




Rutronik GmbH. ..................... 112 


Sevskiy GmbH. ...................... 112 

SPINNER GmbH ..................... 113 


Tragant GmbH ...................... 114 

WDI AG ............................. 114 


Antennen, 

Vertikal 

CompoTEK GmbH ...................104 




MIWEKO GmbH .....................109 



Rutronik GmbH. ..................... 112 

Sevskiy GmbH. ...................... 112 

SPINNER GmbH ..................... 113 

Tragant GmbH ...................... 114 



Antennen, 

Yagi 

Anritsu GmbH .......................103 

CompoTEK GmbH ...................104 

DigiComm GmbH ...................105 




MIWEKO GmbH .....................109 



Rutronik GmbH...................... 112 

Sevskiy GmbH....................... 112 


Tragant GmbH ...................... 114 



Bauelemente, 

Balun 

CompoTEK GmbH ...................104 

EICHHOFF Kondensatoren GmbH ....105 




MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 

Neosid Pemetzrieder GmbH . . . . . . . . . 110 


Rutronik GmbH...................... 112 




WDI AG ............................. 114 

Würth Elektronic eiSos............... 114 

Bauelemente, 

bedrahtete 

AMS Technologies AG ...............103 

Arrow Central Europe GmbH.........103 

AXTAL GmbH & Co. KG...............104 

coftech GmbH ......................104 

Digital Electronic Siegfried Lehrer....105 



Freicomp GmbH.....................107 



Infratron GmbH .....................108 


menges electronic gmbh ............109 


pk components GmbH .............. 111 

Quarztechnik Daun GmbH........... 111 

Rutronik GmbH...................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 

SRT Resistor Technology............. 113 

WDI AG ............................. 114 

wts // electronic components........ 114 


Bauelemente, 

Chip-Kondensatoren 

CompoTEK GmbH ...................104 



Freicomp GmbH.....................107 




KAMAKA Vertriebs GmbH ...........108 



MTS Systemtechnik GmbH. .......... 110 

municom GmbH .................... 110 


Rutronik GmbH...................... 112 



Telcona AG .......................... 113 


WDI AG ............................. 114 

wts // electronic components. ....... 114 


Bauelemente, 

Durchsteckausführung 



Freicomp GmbH.....................107 





municom GmbH .................... 110 

Rutronik GmbH...................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 

WDI AG ............................. 114 


Bauelemente, 

Elektronenröhren 

Digital Electronic Siegfried Lehrer. ...105 



Nucletron Technologies GmbH ...... 110 

Bauelemente, 

HF-Abschlüsse 

Börsig GmbH........................104 





MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 



RADIALL GmbH ..................... 111 


RUPPtronik.......................... 112 


SPINNER GmbH ..................... 113 




WDI AG ............................. 114 

Bauelemente, 

HF-Übertrager 


Arrow Central Europe GmbH. ........103 

CBF Electronics Vertriebs GmbH .....104 

CompoTEK GmbH ...................104 

eg-electronic GmbH.................105 

Freicomp GmbH.....................107 


Graefe HF-Technik ...................107 


iDTRONIC GmbH ....................107 




MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 



RADIALL GmbH ..................... 111 

Rutronik GmbH. ..................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 

SPINNER GmbH ..................... 113 


WDI AG ............................. 114 


Würth Elektronic eiSos. .............. 114 

Bauelemente, 

Induktivitäten 

Acal BFi Germany GmbH. ............103 


API Technologies Spectrum Control. .103 



CompoTEK GmbH ...................104 

CompuMess Elektronik GmbH . . . . . . . 105 



EGSTON System Electronics..........105 


Freicomp GmbH. ....................107 




HY-LINE Power Components.........107 



municom GmbH .................... 110 


NKL GmbH .......................... 110 



Rutronik GmbH. ..................... 112 

Schaffner ........................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 


Telcona AG .......................... 113 

Vacuumschmelze GmbH & Co. KG.... 114 

WDI AG ............................. 114 



Bauelemente, 

Lastwiderstände, 

induktivitätsarm 




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53








municom GmbH .................... 110 




Rutronik GmbH...................... 112 




WDI AG ............................. 114 



Bauelemente, 

LTCC 


CompoTEK GmbH ...................104 

Freicomp GmbH.....................107 

IMST GmbH .........................108 




municom GmbH .................... 110 




Rutronik GmbH...................... 112 

WDI AG ............................. 114 


Bauelemente, 

luftund raumfahrttaugliche 


Börsig GmbH........................104 


CompoTEK GmbH ...................104 










municom GmbH .................... 110 



RADIALL GmbH ..................... 111 



RUPPtronik.......................... 112 

Rutronik GmbH...................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 


WDI AG ............................. 114 


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Xilinx GmbH. ........................ 114 

Bauelemente, 

MEMS-Relais 

Analog Devices. .....................103 


Rutronik GmbH. ..................... 112 

Bauelemente, 

SAW-Filter 

coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 







MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 

PETERMANN-TECHNIK GmbH ........ 110 


Rutronik GmbH. ..................... 112 

SAW Components Dresden ......... 112 

Telcona AG .......................... 113 

WDI AG ............................. 114 

Bauelemente, 

SAW-Komponenten, sonstige 


AXTAL GmbH & Co. KG. ..............104 

coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 





GEYER electronic GmbH .............107 




MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 



QuartzCom AG ...................... 111 


Rutronik GmbH. ..................... 112 


Telcona AG .......................... 113 

WDI AG ............................. 114 

Bauelemente, 

SAW-Oszillatoren 


coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 






MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 




Rutronik GmbH. ..................... 112 


Telcona AG .......................... 113 

WDI AG ............................. 114 

Bauelemente, 

SAW-Verzögerungsleitungen 

coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 





Bauelemente, 

SMD-Widerstände 








Rutronik GmbH. ..................... 112 

SRT Resistor Technology. ............ 113 

SUSUMU Deutschland GmbH ........ 113 



WDI AG ............................. 114 



Bauelemente, 

sonstige Widerstände 









Rutronik GmbH. ..................... 112 

SRT Resistor Technology. ............ 113 



WDI AG ............................. 114 



Bauelemente, 

variable Widerstände 





Neumüller Elektronik GmbH ......... 110 



Rutronik GmbH. ..................... 112 


WDI AG ............................. 114 


Chipsets, 

5G 

CompoTEK GmbH ...................104 







Rutronik GmbH...................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 


Chipsets, 

Bluetooth 



CompoTEK GmbH ...................104 

ELATEC GmbH.......................106 


iDTRONIC GmbH ....................107 


LinTech GmbH ......................108 








Rutronik GmbH...................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 


Chipsets, 

CDMA 





Rutronik GmbH...................... 112 

Chipsets, 

DECT 





Chipsets, 

DVB 






Chipsets, 

GSM 








Rutronik GmbH. ..................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 



Chipsets, 

ISM 



Analog Devices. .....................103 


CompoTEK GmbH ...................104 

CONRADT Mess- u. Regeltechnik. ....105 






Rutronik GmbH. ..................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 

Semtech GmbH ..................... 112 

Chipsets, 

LTE 


iDTRONIC GmbH ....................107 





Rutronik GmbH. ..................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 

u-blox AG ........................... 114 


Chipsets, 

RFID 


CompoTEK GmbH ...................104 

ELATEC GmbH. ......................106 


iDTRONIC GmbH ....................107 



Rutronik GmbH. ..................... 112 

Chipsets, 

UMTS 



Hi-Rel Business • Power Management • Obsolescence-Lösungen • E-Mobilität 

Gründungsjahr: 1992 

Mitarbeiter: 15 

Firmenausrichtung: 

KAMAKA Electronic Bauelemente 

Vertriebs GmbH ist ein international 

tätiger Vertragsdistributor 

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Produkte, vor allem im Hi- 

Rel und Power Management Bereich. 

Um den globalen Entwicklungen 

gerecht zu werden, haben wir unsere 

bereits bestehenden Geschäftsbereiche 

um die Sparte „E-Mobilität“ 

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eines smarten und ressourcenschonenden 

Lebensstils, ist E-Mobilität 

ein lukrativer Wachstumsmarkt, in 

den immer mehr Unternehmen nicht 

nur aus der Automobilbranche, sondern 

auch weit darüber hinaus, involviert 

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Obsolescence Lösungen für abgekündigte 

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Aircraft-, Military & Defence-, 

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55





Rutronik GmbH...................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 


Chipsets, 

WLAN 



CompoTEK GmbH ...................104 


iDTRONIC GmbH ....................107 







Rutronik GmbH...................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 


Chipsets, 

ZigBee 









Rutronik GmbH...................... 112 

tekmodul GmbH .................... 113 


Dämpfungsglieder, 

Festwert 

Aaronia AG ..........................103 


ALLDAQ GmbH......................103 


Anritsu GmbH .......................103 


AuCon GmbH .......................104 


Börsig GmbH........................104 


CompoTEK GmbH ...................104 

DEV Systemtechnik GmbH & Co. KG ..105 








Laser 2000 GmbH ...................108 



MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



municom GmbH .................... 110 




RADIALL GmbH ..................... 111 




RUPPtronik.......................... 112 



SPINNER GmbH ..................... 113 





Wainwright Instruments GmbH ...... 114 

WDI AG ............................. 114 




Leistungs 

ALLDAQ GmbH......................103 

Anritsu GmbH .......................103 


BONN Elektronik GmbH .............104 

CompoTEK GmbH ...................104 









MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



municom GmbH .................... 110 



RADIALL GmbH ..................... 111 



RUPPtronik.......................... 112 






WDI AG ............................. 114 


programmierbar 


Anritsu GmbH .......................103 


Becker Nachrichtentechnik GmbH ...104 





MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



municom GmbH .................... 110 





RUPPtronik. ......................... 112 





sonstige 

Anritsu GmbH .......................103 










Laser 2000 GmbH ...................108 

MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



municom GmbH .................... 110 







Rutronik GmbH. ..................... 112 




WDI AG ............................. 114 


variabel 


Anritsu GmbH .......................103 


AuCon GmbH .......................104 




CompoTEK GmbH ...................104 







Laser 2000 GmbH ...................108 



MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



municom GmbH .................... 110 






RUPPtronik. ......................... 112 




WDI AG ............................. 114 

Dienstleistungen, 

ASIC-Entwicklung 


eesy-ic GmbH .......................105 

IMST GmbH .........................108 



Silicon Radar GmbH ................. 113 



Auftragsentwicklung 



Albrecht Telecommunications .......103 



Atlantik Elektronik GmbH. ...........104 

AXTAL Consulting ...................104 



Bopla Gehäuse Systeme GmbH ......104 

Cicor Group .........................104 

CONRADT Mess- u. Regeltechnik.....105 



eesy-ic GmbH .......................105 

EISENLOHR Indstrie-Elektronik.......105 

eviron GmbH. .......................106 

Fischer Elektronik GmbH & Co. KG ...106 

foxblue electronics ..................107 

Freicomp GmbH. ....................107 


Heiland Electronic ...................107 


IMG GmbH ..........................108 

IMST GmbH .........................108 



LinTech GmbH ......................108 


MIWEKO GmbH .....................109 


Mühlhaus, Dr. GmbH ................ 110 

MW Components GmbH. ............ 110 


Quarztechnik Daun GmbH. .......... 111 

Quintenz Hybridtechnik GmbH ...... 111 

RF Consult GmbH ................... 111 


S. Kipper EMV-Service ............... 112 


Schmidiger GmbH. .................. 112 

Sevskiy GmbH. ...................... 112 






Beschichtung 


EMI-tec GmbH ......................106 

EUKATEC Europe Ltd. ................106 






Nanogate Schwäbisch Gmünd ...... 110 

NEUHAUS Elektronik GmbH.......... 110 


SRG Elektronik ...................... 113 

VTQ Videotronik GmbH.............. 114 


Bestücken, Löten 

Atlantik Elektronik GmbH............104 


Christ Electronic GmbH..............104 

Cicor Group .........................104 


EMTRON electronic GmbH...........106 

eviron GmbH........................106 


GAC Technical Service & Logistik .....107 


IMG GmbH ..........................108 








SCHURTER AG ....................... 112 

SRG Elektronik ...................... 113 




Consulting 

7layers GmbH .......................103 



ALLDAQ GmbH......................103 


Altair Engineering GmbH ............103 


AuCon GmbH .......................104 




CE-LAB GmbH.......................104 

CETECOM GmbH ....................104 

CTC advanced GmbH................105 

Deutsche Ges. für EMV-Technologie . 105 


eesy-ic GmbH .......................105 


ELATEC GmbH.......................106 

EMC Test NRW GmbH................106 

EMCC Dr. Rasek......................106 


Euro EMC Service....................106 

eviron GmbH........................106 

FlowCAD ...........................107 

Freicomp GmbH.....................107 




IMG GmbH ..........................108 

IMST GmbH .........................108 



Langer EMV-Technik GmbH ..........108 

LinTech GmbH ......................108 


MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 

NKL GmbH .......................... 110 





RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 




Sevskiy GmbH. ...................... 112 


tekmodul GmbH .................... 113 


EMV-Messungen 

7layers GmbH .......................103 



Atlantik Elektronik GmbH. ...........104 


CE-LAB GmbH. ......................104 

CeCert GmbH . ......................104 

CETECOM GmbH ....................104 

Christ Electronic GmbH..............104 

CTC advanced GmbH. ...............105 



ELMAC GmbH .......................106 

EMC Test NRW GmbH. ...............106 

EMCC Dr. Rasek. .....................106 

Euro EMC Service. ...................106 

eviron GmbH. .......................106 


IMG GmbH ..........................108 

IMST GmbH .........................108 

KFE GmbH ..........................108 

KRIWAN Testzentrum GmbH .........108 




NKL GmbH .......................... 110 




Schaffner ........................... 112 

Schipper Group GmbH .............. 112 

Schmidiger GmbH. .................. 112 

SCHURTER AG ....................... 112 


Stockmann GmbH. .................. 113 


Ihr Partner für maßgeschneiderte Lösungen - 

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individuelle und hochwertige Geräte, Systeme und Komponenten 

„Made in Germany“. Unsere elektronischen Produkte 

umfassen u.a. Koaxrelais, Abschwächer, Leistungsteiler, Systeme 

für die Verteilung von NF-, Video- und HF-Signalen, HF Matrizen, 

konfektionierte Koaxkabel, uvm. Für die Mobilfunk- und Telekommunikationsbranche 

liefern wir kundenspezifische Schirmboxen und 

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Mit unserem modernen CNC-Fertigungszentrum fertigen wir kundenspezifische 

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optische Industrie und Hochfrequenztechnik. 

Die Distribution von koaxialen Steckverbindern der Firma IMS Connectors und die 

Konfektionierung von Koaxkabeln runden unser Produktangebot ab. 

mts-systemtechnik.de 


57



Gutachten 




CE-LAB GmbH.......................104 


EMC Test NRW GmbH................106 

EMCC Dr. Rasek......................106 

Euro EMC Service....................106 

eviron GmbH........................106 


IMG GmbH ..........................108 









HF-Kabel, konfektioniert 


Anritsu GmbH .......................103 


AuCon GmbH .......................104 

Börsig GmbH........................104 





elspec group ........................106 





INGUN Prüfmittelbau GmbH.........108 






MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 



municom GmbH .................... 110 

Pickering Interfaces ................. 110 


RADIALL GmbH ..................... 111 





RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH...................... 112 

Schlöder GmbH ..................... 112 

Sevskiy GmbH....................... 112 




tde - trans data elektronik .......... 113 

Telegärtner Karl Gärtner GmbH ...... 113 


Tragant GmbH ...................... 114 



W+P Products GmbH ................ 114 


Hybride, kundenspezifisch 


Cicor Group .........................104 






MIWEKO GmbH .....................109 





Sevskiy GmbH....................... 112 



ICs, kundenspezifisch 


eesy-ic GmbH .......................105 

IMST GmbH .........................108 





RUPPtronik.......................... 112 




Xilinx GmbH......................... 114 


Kalibrier-Service 


Anritsu GmbH .......................103 

AuCon GmbH .......................104 



EMCC Dr. Rasek......................106 















Testo Industrial Services GmbH ...... 113 


Layout-Service 







Cicor Group .........................104 



eviron GmbH........................106 

FlowCAD ...........................107 


Heiland Electronic ...................107 


IMST GmbH .........................108 

LinTech GmbH ......................108 


mmt gmbh .........................109 





Sevskiy GmbH. ...................... 112 




Leiterplatten-Service 



Cicor Group .........................104 

FlowCAD ...........................107 




Multi Leiterplatten GmbH ........... 110 


Sevskiy GmbH. ...................... 112 



Seminare/Workshops 

7layers GmbH .......................103 


ALLDAQ GmbH. .....................103 


Altair Engineering GmbH ............103 

Anritsu GmbH .......................103 




CE-LAB GmbH. ......................104 

CETECOM GmbH ....................104 


eesy-ic GmbH .......................105 

ELATEC GmbH. ......................106 

EMC Test NRW GmbH. ...............106 

EMCC Dr. Rasek. .....................106 

Euro EMC Service. ...................106 

eviron GmbH. .......................106 

FIBEROPTIC-SOLUTION ..............106 

FlowCAD ...........................107 

IMG GmbH ..........................108 

IMST GmbH .........................108 






Mühlhaus, Dr. GmbH ................ 110 




Rutronik GmbH. ..................... 112 




Semtech GmbH ..................... 112 


tekmodul GmbH .................... 113 

Testo Industrial Services GmbH ...... 113 

Dioden, 

Avalanche 







Rutronik GmbH. ..................... 112 

WDI AG ............................. 114 

Dioden, 

Gunn 








RUPPtronik. ......................... 112 


Dioden, 

IMPATT 




Dioden, 

Laser 




municom GmbH .................... 110 


Rutronik GmbH. ..................... 112 


Dioden, 

LED 

ACTRON AG .........................103 






municom GmbH .................... 110 


Rutronik GmbH. ..................... 112 

Telcona AG .......................... 113 


Dioden, 

OLED 

ACTRON AG .........................103 



Rutronik GmbH. ..................... 112 

Dioden, 

Paare, Quartette 






Dioden, 

Photo 


Anritsu GmbH .......................103 





Laser 2000 GmbH ...................108 



municom GmbH .................... 110 


Rutronik GmbH...................... 112 


Dioden, 

PIN 








Laser 2000 GmbH ...................108 







Rutronik GmbH...................... 112 


Dioden, 

Rausch 




municom GmbH .................... 110 



Dioden, 

Schottky 














RUPPtronik.......................... 112 

Rutronik GmbH...................... 112 


Taiwan Semiconductor Europe ...... 113 

WDI AG ............................. 114 


Dioden, 

sonstige 










Rutronik GmbH...................... 112 


Taiwan Semiconductor Europe ...... 113 


Dioden, 

Step Recovery 









Dioden, 

Tunnel 









RUPPtronik.......................... 112 

Rutronik GmbH...................... 112 


Dioden, 

Varactor 









RUPPtronik.......................... 112 

Rutronik GmbH...................... 112 


WDI AG ............................. 114 

Elektromechanische 

Komponenten, Blitzschutz 


AuCon GmbH .......................104 

Börsig GmbH........................104 

CompoTEK GmbH ...................104 


DigiComm GmbH ...................105 









RADIALL GmbH ..................... 111 


RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 



WDI AG ............................. 114 



Komponenten, Buchsen 

A-Switch GmbH .....................103 

ACTRON AG .........................103 


BKL-Electronic Kreimendahl GmbH ..104 

Börsig GmbH. .......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 


EMC GmbH. .........................106 






key-electronic Kreimendahl .........108 







RADIALL GmbH ..................... 111 

RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 

Schützinger GmbH .................. 112 



WDI AG ............................. 114 





Komponenten, 

Durchführungen 

BKL-Electronic Kreimendahl GmbH ..104 

CompoTEK GmbH ...................104 










key-electronic Kreimendahl .........108 



municom GmbH .................... 110 

Pflitsch GmbH & Co. KG. ............. 110 


RADIALL GmbH ..................... 111 


RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 




THORA Elektronik GmbH ............ 114 

WDI AG ............................. 114 


Komponenten, Gebläse 






Rutronik GmbH. ..................... 112 

Schroff GmbH ....................... 112 


Komponenten, 

Gehäuse, 19-Zoll 

apra-norm Elektromechanik .........103 


Börsig GmbH. .......................104 


FIBEROPTIC-SOLUTION ..............106 





Rutronik GmbH. ..................... 112 

Schroff GmbH ....................... 112 




Komponenten, 

Gehäuse, abgeschirmte 

ALBATROSS PROJECTS GmbH ........103 



Börsig GmbH. .......................104 




Feuerherdt GmbH ...................106 










Rutronik GmbH. ..................... 112 

Schroff GmbH ....................... 112 





Komponenten, 

Gehäuse, Aluminium 



Börsig GmbH. .......................104 


Dold, E. & Söhne KG .................105 





OKW Gehäusesysteme GmbH ....... 110 


59


Rutronik GmbH...................... 112 

Schroff GmbH ....................... 112 




Komponenten, 

Gehäuse, HF 




Börsig GmbH........................104 



EMI-tec GmbH ......................106 










Rutronik GmbH...................... 112 

Schroff GmbH ....................... 112 




Komponenten, 

Gehäuse, Kunststoff 



Börsig GmbH........................104 


Dold, E. & Söhne KG .................105 





iDTRONIC GmbH ....................107 




OKW Gehäusesysteme GmbH ....... 110 


Rutronik GmbH...................... 112 

Schroff GmbH ....................... 112 

Schützinger GmbH .................. 112 


Komponenten, 

Heat-Pipes 

A-Switch GmbH .....................103 

ACTRON AG .........................103 


coftech GmbH ......................104 


Wir haben Lösungen für Ihre 

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Das EUKATEC ® -Beschichtungsverfahren 

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www.eukatec.com 



Rutronik GmbH. ..................... 112 

WDI AG ............................. 114 



Komponenten, 

HF-Dichtungen 



CompoTEK GmbH ...................104 



EMI-tec GmbH ......................106 









MIWEKO GmbH .....................109 

MTC Micro Tech Components GmbH. 109 


NEUHAUS Elektronik GmbH. ......... 110 


Rutronik GmbH. ..................... 112 

Schlöder GmbH ..................... 112 

Schroff GmbH ....................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 





Komponenten, 

HF-Relais 











MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 

municom GmbH .................... 110 


Pickering Interfaces ................. 110 


RADIALL GmbH ..................... 111 


RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 







Komponenten, 

Kühlkörper 

A-Switch GmbH .....................103 

ACTRON AG .........................103 




coftech GmbH ......................104 


EMC GmbH. .........................106 







Rutronik GmbH. ..................... 112 

Schroff GmbH ....................... 112 


WDI AG ............................. 114 



Komponenten, 

Lüfter 

A-Switch GmbH .....................103 







EMC GmbH. .........................106 






Rutronik GmbH. ..................... 112 

Schroff GmbH ....................... 112 



EMV, 

Absorberhallen 


Elix-St. GmbH .......................105 




H + H High Voltage Technology......107 



mmt gmbh .........................109 



Rutronik GmbH. ..................... 112 


EMV, 

Absorbermaterial 

Aaronia AG ..........................103 




CompoTEK GmbH ...................104 



Elix-St. GmbH .......................105 


EMI-tec GmbH ......................106 


60 HF-Einkaufsführer 2021/2022 

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MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 






Rutronik GmbH...................... 112 





EMV, 

Antennenmasten 

Aaronia AG ..........................103 








MIWEKO GmbH .....................109 



Rutronik GmbH...................... 112 


EMV, 

Antennensets 

Aaronia AG ..........................103 

ALLDAQ GmbH......................103 




iDTRONIC GmbH ....................107 




MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


Rutronik GmbH...................... 112 



EMV, 

Drehtische 







mmt gmbh .........................109 



Rutronik GmbH...................... 112 



EMV, 

Entstördrosseln 


Anritsu GmbH .......................103 







Freicomp GmbH.....................107 







mmt gmbh .........................109 


NKL GmbH .......................... 110 


Rutronik GmbH...................... 112 

Schaffner ........................... 112 

Schlöder GmbH ..................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 

Telcona AG .......................... 113 


Vacuumschmelze GmbH & Co. KG. ... 114 

WDI AG ............................. 114 



EMV, 

Entstörfilter 










EMTRON electronic GmbH. ..........106 

eviron GmbH........................106 

Freicomp GmbH.....................107 







mmt gmbh .........................109 

municom GmbH .................... 110 


NKL GmbH .......................... 110 



Rutronik GmbH...................... 112 

Schaffner ........................... 112 

Schlöder GmbH ..................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 

Telcona AG .......................... 113 

WDI AG ............................. 114 


EMV, 

Erstellung geschirmter Räume 


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61







mmt gmbh .........................109 


Rutronik GmbH...................... 112 


EMV, 

Glasscheiben, HF-dicht 




EMI-tec GmbH ......................106 












EMV, 

GTEM-Zellen 

ALLDAQ GmbH......................103 










EMV, 

Leistungsverstärker 

ALLDAQ GmbH......................103 












H + H High Voltage Technology. .....107 







MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 




Rutronik GmbH...................... 112 




EMV, 

Messempfänger 

Aaronia AG ..........................103 

ALLDAQ GmbH......................103 















Rutronik GmbH...................... 112 



EMV, 

Messkammern 





CETECOM GmbH ....................104 

Christ Electronic GmbH. .............104 




H + H High Voltage Technology. .....107 


INGUN Prüfmittelbau GmbH. ........108 


mmt gmbh .........................109 





EMV, 

Referenzstrahler 

Aaronia AG ..........................103 

ALLDAQ GmbH. .....................103 





EMV, 

Zelte 

Aaronia AG ..........................103 

ALLDAQ GmbH. .....................103 





Filter, 

abstimmbare 














MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 






RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 




SPINNER GmbH ..................... 113 





Filter, 

Bandpass 

Aaronia AG ..........................103 




Anritsu GmbH .......................103 


AuCon GmbH .......................104 





coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 












KVG Quartz Crystal GmbH . . . . . . . . . . . 108 





MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 

HR-E 40-1 

Nahfeldsonde 

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municom GmbH .................... 110 





QuartzCom AG ...................... 111 




RUPPtronik.......................... 112 

Rutronik GmbH...................... 112 

s.m.a.e. GmbH....................... 112 


SCHURTER AG ....................... 112 


Sevskiy GmbH....................... 112 


SPINNER GmbH ..................... 113 





WDI AG ............................. 114 


Filter, 

Bandstop 





coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 















MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 







RUPPtronik.......................... 112 

Rutronik GmbH...................... 112 


SCHURTER AG ....................... 112 



SPINNER GmbH ..................... 113 


TDK-Lambda Germany .............. 113 



WDI AG ............................. 114 

Filter, 

BAW 



CompoTEK GmbH ...................104 






MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 



Rutronik GmbH...................... 112 


WDI AG ............................. 114 

Filter, 

Breitband 





Börsig GmbH........................104 




CompoTEK GmbH ...................104 















MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 




QuartzCom AG ...................... 111 



RUPPtronik.......................... 112 

Rutronik GmbH...................... 112 

Schaffner ........................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 


Sevskiy GmbH....................... 112 






WDI AG ............................. 114 

Filter, 

Durchführungs 

Anritsu GmbH .......................103 







Freicomp GmbH. ....................107 




MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 



Rutronik GmbH. ..................... 112 

Schaffner ........................... 112 




WDI AG ............................. 114 


Filter, 

EMI 









3D-Formdichtungen 

EMV-Zelte 

EMV 

Freicomp GmbH. ....................107 









MIWEKO GmbH .....................109 

municom GmbH .................... 110 


NKL GmbH .......................... 110 





Rutronik GmbH. ..................... 112 

s.m.a.e. GmbH. ...................... 112 

Schaffner ........................... 112 

Schlöder GmbH ..................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 



WDI AG ............................. 114 



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Helix 



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RUPPtronik.......................... 112 



Filter, 

Hochpass 


AuCon GmbH .......................104 




CompoTEK GmbH ...................104 















MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 







RUPPtronik.......................... 112 

s.m.a.e. GmbH....................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 


Sevskiy GmbH....................... 112 


SPINNER GmbH ..................... 113 




WDI AG ............................. 114 

Filter, 

Hohlraumresonator 







MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 





Filter, 

Interdigital 







mmt gmbh .........................109 




RUPPtronik. ......................... 112 



Filter, 

Koaxial 


Anritsu GmbH .......................103 

AuCon GmbH .......................104 

Börsig GmbH. .......................104 


CompoTEK GmbH ...................104 










MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 


RADIALL GmbH ..................... 111 




RUPPtronik. ......................... 112 


Sevskiy GmbH. ...................... 112 


SPINNER GmbH ..................... 113 




Filter, 

LTCC 





municom GmbH .................... 110 



WDI AG ............................. 114 



Filter, 

Mechanische 







MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 




RUPPtronik. ......................... 112 





Filter, 

Quarz 



coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 










MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 

QuartzCom AG ...................... 111 

Quarztechnik Daun GmbH. .......... 111 


Rutronik GmbH. ..................... 112 


Telcona AG .......................... 113 


WDI AG ............................. 114 


Filter, 

reflexionsarme 




MIWEKO GmbH .....................109 

municom GmbH .................... 110 


Filter, 

SAW 


coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 





GEYER electronic GmbH .............107 






MIWEKO GmbH .....................109 




municom GmbH .................... 110 


QuartzCom AG ...................... 111 


Rutronik GmbH...................... 112 



Telcona AG .......................... 113 

WDI AG ............................. 114 

Filter, 

sonstige 


API Technologies Spectrum Control..103 




coftech GmbH ......................104 

CompoTEK GmbH ...................104 








JENJAAN Corp. ......................108 


Laser 2000 GmbH ...................108 



MIWEKO GmbH .....................109 




QuartzCom AG ...................... 111 


Rutronik GmbH...................... 112 

s.m.a.e. GmbH....................... 112 

Sevskiy GmbH....................... 112 





WDI AG ............................. 114 


Filter, 

Tiefpass 



AuCon GmbH .......................104 




CompoTEK GmbH ...................104 
















MIWEKO GmbH .....................109 

mmt gmbh .........................109 


municom GmbH .................... 110 







RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 

s.m.a.e. GmbH. ...................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 



SPINNER GmbH ..................... 113 





WDI AG ............................. 114 


Filter, 

ZF 



CompoTEK GmbH ...................104 











MIWEKO GmbH .....................109 


municom GmbH .................... 110 



QuartzCom AG ...................... 111 


RUPPtronik. ......................... 112 

Rutronik GmbH. ..................... 112 

SCHURTER AG ....................... 112 


WDI AG ............................. 114 

Quarze, Oszillatoren, Filter - 

analoge Technik in digitalen Zeiten 

• ohne uns läuft nix 

c o f t e c h ist ein international ausgerichtetes 

Design-in Haus und professionelles Serviceunternehmen. 

Wir betreiben weltweite 

Geschäfte und bieten kundenorientierte 

technische Beratung für Quarzkomponenten 

(Schwingquarze, Quarzoszillatoren, Quarzfilter), 

SAW Filter und Duplexer , Keramik filter sowie 

Antennen für interne und externe Anwendung. 

Unser Unternehmen verfügt über globale Kontakte, 

insbesondere zu Quarz- und Antennenherstellern 

in Asien, U.S. Amerika und Europa. 

Durch stetige persönliche Dialoge vor Ort 

erfahren unsere Produktionspartner Details zu 

den einzelnen Kundenprojekten. Dieses Verständnis 

beim Hersteller führt zu einer besseren 

Produktberatung und Lösungen von technischen 

Fragen. 

So blicken wir auf eine über 40-jährige Erfahrung 

im Umgang mit frequenzselektiven Komponenten 

für unterschiedliche Anwendungen 

in der drahtlosen Übertragung von Daten und 

Sprache. Durch unsere jahrelange Produktionserfahrung 

von Quarzbarren kennen wir die 

Eigenarten und Besonderheiten des Rohstoffes. 

Mit unserem Gespür für neue Entwicklungen 

am Markt helfen wir gerne bei der 

Problemlösung für neue und innovative Produkte. 

Wir verstehen den individuellen, spezifischen 

Produktbedarf als Herausforderung, 

die wir gerne annehmen. 

coftech GmbH • Heinrich-Held-Str. 33 • 45133 Essen 

Tel.: 0201/87225-74 • Fax: 0201/87225-55 

info@coftech.de • www.coftech.de 


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Generatoren, 

Basisband- und Modulations 



Anritsu GmbH .......................103 


dataTec AG ..........................105 


Electro Rent Deutschland GmbH.....105 









Generatoren, 

Digital-Signal 


ALLDAQ GmbH......................103 


Anritsu GmbH .......................103 


dataTec AG ..........................105 






IZT GmbH ...........................108 


MIWEKO GmbH .....................109 






Spectrum Instrumentation GmbH ... 113 



Generatoren, 

Funktions 

Aaronia AG ..........................103 

ALLDAQ GmbH......................103 



dataTec AG ..........................105

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