Bachelorarbeit Chris Bauer - Geothermie Wiki - zwerg - KIT
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3.2. Auswahl geeigneter Hochtemperaturbauteile<br />
3.2.2. MOSFETs<br />
Das wichtigste Bauteil der Leistungselektronik sind die eigentlichen Leistungsschalter,<br />
welche die Motorspulen mit Strom beschalten (siehe Unterabschnitt 2.2.1 Grundlegen-<br />
de Elektronik Komponenten).<br />
Als Schalter werden MOSFETs eingesetzt, welche für den genannten Spannungs- und<br />
Strombereich des zu betreibenden Motors ausgelegt sein müssen. Zusätzlich muss die<br />
Strombelastbarkeit, besonders bei den Umgebungstemperaturen von bis zu 200°C, be-<br />
achtet werden. Die MOSFETs müssen hier genügend Reserven aufweisen, wobei ein<br />
möglichst geringer Widerstand von Drain to Source (RDSon) vorteilhaft ist.<br />
Zusätzlich sollten die Schaltzeiten der MOSFETs möglichst kurz sein, um die Verlus-<br />
te beim Schalten des PWM-Signals möglichst gering zu halten. Während des Ein- und<br />
Ausschaltvorgangs wird der Ohmsche Bereich des Transistors durchfahren. Der MOS-<br />
FET verändert in Abhängigkeit der angelegten Spannung am Gate den Ohmschen Wi-<br />
derstand RDSon. Der Widerstand sollte über einen sehr kurzen Zeitraum ansteigen oder<br />
sinken, wobei dann nur kurzfristig eine große Verlustleistung über dem MOSFET ab-<br />
fällt. Die Schaltzeit verhält sich proportional zu den Verlusten beim Schalten. Sind die<br />
Schaltzeiten sehr schnell, ist die Verlustleistung sehr gering.<br />
Anforderungen an die MOSFETs zusammengefasst:<br />
• Umgebungstemperaturen bis zu 200°C<br />
• Min. 48V Sperrspannung von Drain to Source<br />
• Min 5A Drain Dauerstrom bei 25°C Umgebungstemperatur<br />
• Min 2A Drain Dauerstrom bei 200°C Umgebungstemperatur<br />
• Schaltzeiten möglichst kurz aufgrund dynamischer Belastung<br />
Der maximale Dauerstrom ist für den Betrieb mit einem PWM-Signal nicht die Belas-<br />
tungsgrenze. Er gibt jedoch eine grobe Richtung über die Belastungsgrenze, aufgrund<br />
des Widerstands RDSon und des thermischen Übergangswiderstands von Junction to<br />
Case, an.<br />
Hochtemperatur MOSFETs, welche bis zu 200°C Umgebungstemperatur funktionieren,<br />
werden derzeit von drei Herstellern angeboten. Nach den Einflussgrößen Spannung<br />
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