Le présent document se veut une contribution à un travail ... - EuroSAE
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Du côté du STTA/SRE, il faut retenir les noms de l'ingénieur militaire<br />
M.-G. de Coligny, qualifié parfois de « visionnaire » (avec les risques que cela<br />
comportait), ou encore d’hommes imaginatifs comme l’ingénieur militaire Jean<br />
Bertrais et le capitaine Hervé, ainsi que de Maurice Fouilliart, promu de maîtreouvrier<br />
<strong>à</strong> ingénieur après des soirées de <strong>travail</strong>, et qui a consacré plus de quarante<br />
années de sa vie aux composants électroniques.<br />
Parmi les recherches initiées dans le domaine des matériaux, on peut citer<br />
les études de tellurure de bismuth fritté (dopé n ou dopé p) menées par le<br />
« mandarin » Tien Chi, du RPC, en vue de réali<strong>se</strong>r des structures <strong>à</strong> effet Peltier<br />
4 , et les études de plastocéramiques de titanate de baryum (et d’autres titanates)<br />
par M. Peyssoux, également du RPC. Si les premières ont conduit <strong>à</strong> peu<br />
d'applications dans le monde occidental, alors que les Rus<strong>se</strong>s ont largement<br />
utilisé des techniques très voisines pour des alimentations rustiques de radars<br />
militaires, les études sur le titanate de baryum ont permis de développer toute<br />
<strong><strong>un</strong>e</strong> industrie de condensateurs céramique <strong>à</strong> LCC.<br />
Dans le domaine des dispositifs électroniques amplificateurs, le STTA a financé<br />
successivement la technologie des « tubes miniatures », puis celle des<br />
tubes « subminiatures », en même temps que celle des tubes « crayons »<br />
conçus pour les utilisations <strong>à</strong> fréquences très élevées.<br />
Il a enfin financé le début du développement des <strong>se</strong>mi-conducteurs, d'abord<br />
au germanium au RPC, qui développa le premier récepteur <strong>à</strong> transistors<br />
(J.-P. Vas<strong>se</strong>ur), dénommé SOLISTOR, très esthétique, mais dont la fréquence<br />
intermédiaire n'était que de 155 kHz, <strong>à</strong> cau<strong>se</strong> de la médiocre fréquence de coupure<br />
des transistors germanium du RPC.<br />
En 1957, le STTA passait en parallèle deux contrats d'étude pour des composants<br />
au silicium : diodes redres<strong>se</strong>u<strong>se</strong>s de petite, moyenne et « grande »<br />
intensité et transistors, auxquels on ne demandait que d'amplifier. Ces contrats<br />
étaient passés d'<strong><strong>un</strong>e</strong> part au RPC, d'autre part <strong>à</strong> Thomson-Cronstadt. <strong>Le</strong> vendredi<br />
saint de 1958, le signataire de ces lignes réceptionnait avec Maurice<br />
Fouilliart, dans les laboratoires de Thomson, les cinq premiers transistors au<br />
silicium français. Ces transistors, comme les diodes redres<strong>se</strong>u<strong>se</strong>s, étaient réalisés<br />
par alliage, et de performances réduites. Un contrat fut ensuite passé en<br />
1959 (avec succès) <strong>à</strong> l'équipe Dumas créée <strong>à</strong> SILEC, pour réali<strong>se</strong>r des diodes<br />
silicium redres<strong>se</strong>u<strong>se</strong>s de cour<strong>se</strong>, avec <strong><strong>un</strong>e</strong> technique de « double diffusion »<br />
acqui<strong>se</strong> aux États-Unis lors des études doctorales de Dumas.<br />
De Coligny avait lancé au milieu des années 1950 l'étude d'<strong>un</strong> tube fonctionnant<br />
<strong>à</strong> très bas<strong>se</strong> température, l'indicateur C. Vingt ans trop tôt, sans doute : il<br />
fallut en effet attendre ce délai pour utili<strong>se</strong>r des techniques cryogéniques de ce<br />
type, dans les amplificateurs refroidis des stations terriennes par exemple.<br />
Mais le domaine privilégié des investigations pilotées par la <strong>se</strong>ction SRE du<br />
STTA est celui des dispositifs et tubes hyperfréquences. Outre les études de<br />
circulateurs <strong>à</strong> ferrites financées <strong>à</strong> LTT, des études de magnétrons de puissance<br />
ont été financées par le STTA dans l’industrie, en bande S (λ = 10 cm) et en<br />
bande X (λ = 3 cm) <strong>à</strong> LTT, cependant que la SEFT (Section d'études et fabrica-<br />
4 L'effet Peltier marche dans les deux <strong>se</strong>ns : d'<strong><strong>un</strong>e</strong> part, en faisant pas<strong>se</strong>r <strong>un</strong> courant dans le<br />
dispositif, on refroidit <strong><strong>un</strong>e</strong> jonction par rapport <strong>à</strong> l'autre ; d'autre part, en chauffant <strong><strong>un</strong>e</strong> jonction<br />
par rapport <strong>à</strong> l'autre, on fournit du courant électrique.<br />
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