Tecnologia della fotorivelazione basata su dispositivi a ... - Matematica
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straordinaria <strong>della</strong> densità di corrente inversa, nota come “corrente di tunneling”, la quale sovrasterebbe una<br />
qualsiasi fotocorrente utile.<br />
Adesso esponiamo il fenomeno del breakdown a valanga (“avalanche breakdown”), con riferimento alla figura<br />
26.<br />
Fig. 26<br />
Rappresentazione concettuale del breakdown a valanga (|V| poco <strong>su</strong>periore a VBD).<br />
Supponiamo di seguire una singola lacuna (h0) che viene estratta nei pressi di xn * ed immessa nella zds*, a causa<br />
<strong>della</strong> polarizzazione inversa. La lacuna h0, a causa <strong>della</strong> presenza del campo estraente, è accelerata lungo il <strong>su</strong>o<br />
tragitto all’interno <strong>della</strong> zds*, ricevendo un’energia cinetica Ee elevatissima in virtù del voltaggio inverso molto<br />
elevato (campo molto forte). L’energia Ee, che è maggiore dell’energia di ionizzazione del silicio Ei, consente alla<br />
lacuna, non appena “urta” contro un legame covalente Si – Si (formato dalla sovrapposizione di due orbitali ibridi<br />
sp 3 , ciascuno dei quali fornisce un elettrone di valenza), di romperlo, liberando un elettrone e1 ed una lacuna h1;<br />
l’elettrone secondario e1 va in banda di conduzione e la lacuna secondaria h1 in quella di valenza. Quindi mentre<br />
attraverso la <strong>su</strong>perficie attiva S posta prima del legame rotto e ortogonale all’asse x fluiva un flusso Fin, associato<br />
alla lacuna h0, una <strong>su</strong>perficie S identica e parallela, posizionata dopo il legame rotto, è attraversata dal flusso Fin e<br />
da un secondo flusso pari a PFin, il quale è associato alla lacuna termogenerata h1, dove P è la probabilità che h0<br />
possa produrre la ionizzazione. P, compresa fra 0 ed 1 e tendente a 0 se |V| < VBD, ri<strong>su</strong>lta tanto maggiore quanto<br />
maggiore è la V inversa. A <strong>su</strong>a volta h1 romperà un legame, a breve distanza dal primo, provocando una seconda<br />
ionizzazione in cui si generano un elettrone e2 ed una lacuna h2; a quest’ultima è associato un flusso P 2 Fin. Gli<br />
elettroni come e1 ed e2 sono chiamati “raggi delta” ed il loro comportamento è analogo a quello delle lacune h1, h2,<br />
ecc…, salvo alcune eventuali differenze nella probabilità di produrre ionizzazioni per impatto. Il flusso di lacune<br />
che attraversa la <strong>su</strong>perficie attiva S in prossimità di –xp* è dato da:<br />
Fout = Fin + PFin + P 2 Fin + P 3 Fin + …… + P n Fin +……<br />
= 1 + P + P 2 + P 3 +…… =<br />
=<br />
=<br />
= M<br />
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