2 - 國立聯合大學

Integration Technology尖 端 先 進 的 技 術• 2000 年 的 技 術• 圖 形 尺 寸 0.13 mm 或 更 小• 晶 圓 尺 寸 200 mm 或 300 mm• 矽 覆 蓋 絕 緣 技 術 (SOI) 和 淺 溝 槽 絕 緣 技 術 STI• 完 全 隔 離 矽 基 片 上 相 鄰 的 電 子 元 件• 防 止 元 件 間 輻 射 感 應 的 軟 性 誤 差 (soft error)• 增 加 IC 晶 片 電 晶 體 的 密 度 .• 高 輻 射 阻 抗 力• 應 用 矽 覆 蓋 絕 緣 技 術 的 晶 片 將 成 為 高 效 能 電 子 儀 器 的 主流