Optyczna spektroskopia nanostruktur - Kierunki zamawiane ...

peratury, gałąź krawędzi absorpcji związana z pochłanianiem fononu znika, natomiast gałąź odpowiadająca
procesowi z emisja fononu (proporcjonalna do n p. + 1) widoczna jest zarówno w
wysokich, jak i niskich temperaturach. Dzięki temu pomiar temperaturowej zaleŜności krawędzi
absorpcji dla przejść skośnych pozwala wyznaczyć nie tylko energie E ig , ale równieŜ energie
fononu Ep. Rysunek 1.7a przedstawia zachowanie współczynnika absorpcji krzemu w obszarze
przejść skośnych w róŜnych temperaturach. Na Rys. 1.7 b ukazana jest schematycznie krawędź
absorpcji dla dwóch temperatur oraz sposób wyznaczania przerwy energetycznej i energii fononu
uczestniczącego w przejściu.
Rysunek 1.7. Krawędź absorpcji krzemu w obszarze przejść skośnych dla róŜnych temperatur (a) [ 3 ] oraz
schematyczny przebieg krawędzi absorpcji wraz ze sposobem wyznaczania wartości przerwy energetycznej i energii
fononu (b).
Poszczególne rodzaje przejść absorpcyjnych róŜnią się intensywnością, związana z prawdopodobieństwem
zajścia procesu. Przejścia proste charakteryzują sie współczynnikiem absorpcji
rzędu 10 4 – 10 5 cm −1 , przejścia proste wzbronione 10 3 – 10 4 cm −1 , a przejścia skośne 10 2 – 10 3
cm −1 .
I.7 REGUŁY WYBORU
Zerowanie się dipolowego elementu macierzowego związane jest zazwyczaj z symetrią funkcji
falowych |v› |c› oraz operatora ep w danym układzie krystalicznym. Hamiltonian posiada
symetrie odpowiadającą grupie symetrii kryształu. Zatem dla kaŜdego elementu a i tej grupy zachodzi:
18