Optyczna spektroskopia nanostruktur - Kierunki zamawiane ...

stanu |b i > para elektron – dziura rekombinuje promieniście, emitując foton (rozproszony). Proces
ten wykorzystuje elektron, który pośrednicząc w procesie rozpraszania, sam nie zmienia swojego
stanu. Wirtualny charakter przejść z udziałem elektronu zapewnia zachowanie energii, natomiast
zachowany musi być jeszcze wektor falowy. JeŜeli padający foton ma energie równą energii
przerwy wzbronionej lub ekscytonu, to procesy z udziałem elektronu stają się rzeczywiste, co
prowadzi do bardzo silnego wzrostu elementu macierzowego, a więc prawdopodobieństwa procesu
rozproszenia. Warto wspomnieć, Ŝe w materiałach posiadających symetrie inwersji, fonony
obserwowane w widmie rozpraszania Ramana nie występują w widmie absorpcji ani odbicia.
Wynika to z faktu, Ŝe w podczerwieni aktywne są tylko fonony, opisywane reprezentacjami nieparzystymi,
podczas gdy tensor Ramana R nie znika jedynie dla reprezentacji parzystych (reguła
wykluczania). Czułość metody rozpraszania Ramana ilustruje Rys. 1.24. Przedstawiono na nim
widma ramanowskie dla warstw SiGe o róŜnej grubości, naniesionych na GaAs o orientacji
(110). Sygnał rozpraszania Ramana, charakterystyczny dla drgań zespołu atomów Si – Ge oraz Si
– Si staje się widoczny juŜ dla grubosci warstwy SiGe, odpowiadającej dwóm komórkom elementarnym
(10A). Dodatkowo moŜemy zauwaŜyć obecność napręŜeń w strukturze. Warstwy o
grubościach poniŜej 400A są silnie napręŜone, co widoczne jest jako przesuniecie energii fononów,
odpowiadającej drganiom Si – Ge oraz Si – Si. PowyŜej tej grubości warstwa ulega relaksacji
i energie fononów odpowiadają drganiom w materiale litym.
44