Optyczna spektroskopia nanostruktur - Kierunki zamawiane ...

przewodnictwa (a) oraz zaleŜność absorpcji związanej z defektami od stopnia i rodzaju domieszkowania (b)
[ 7 ]. Krzywa 1 odpowiada koncentracji p = 3.37 · 10 15 cm −3 , krzywa 2 charakteryzuje próbkę typu n o koncentracji
akceptorów N−A = 1.79 · 10 15 cm −3 , a krzywa 3 opisuje próbkę typu n o koncentracji akceptorów
N−A < 0.6 · 10 15 cm −3 .
Przejścia związane z defektami silnie zaleŜą od temperatury. Przejścia słabo zaznaczające się
w temperaturze pokojowej, po obniŜeniu temperatury stają się dobrze widoczne (Rys. 1.14). Dla
duŜej koncentracji domieszek ma miejsce przekrywanie się funkcji falowych, prowadzące do
powstania pasma, a w dalszej kolejności ogonów gęstości stanów i deformacji (Rys. 1.15). MoŜe
to prowadzić do powstania wykładniczej krawędzi absorpcji podstawowej.
Rysunek 1.14. Próg absorpcji związanej z przejściami
typu 3, widoczny w widmie absorpcji GaAs w
dwóch róŜnych temperaturach [ 8 ].
Rysunek 1.15. Schematyczna zalezność gęstości
stanów w pobliŜu dna pasma przewodnictwa
dla róŜnych koncentracji domieszki donorowej.
JeŜeli w półprzewodniku znajdują się równoczesnie donory i akceptory, to moŜliwe są równieŜ
przejścia akceptor – donor (przejście 4 na Rys. 1.11). Energia takich przejść dana jest wyra-
Ŝeniem
gdzie r jest odległością donora od akceptora. Ostatni człon wzoru opisuje oddziaływanie ku-
__________
7 M. Sturge, Phys. Rev. 127, 768 (1962).
32