11.07.2015 Views

Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Mikroelektronické <strong>praktikum</strong> 109musíme vstupní napětí zmenšit dříve, než je přivedeme na bázi. Později uvidíme, že usložitějších zesilovačů existuje i jiná možnost.Dosud jsme si neodpověděli na otázku, jestli zvýšení napájecího napětí současněs novým nastavením pracovního bodu přinese nějaký užitek. Odpověď zní ano. V takovémpřípadě se zvětší možnost rozkmitu výstupního napětí. Znamená to, že signál, který bylpředtím zkreslen, může být nyní zesílen bez zkreslení.6.3.3 Řazení napěťových zesilovačů za sebouJiž jsme se zmínili o tom, že většinou pracujeme se slabými vstupními signály, takžezesílení jednoho napěťového zesilovače nestačí. Proto řadíme dva i více stupňů za sebou.Vazba mezi stupni může být podle Obr. 6.32. S větším zesílením však mohou nastat i většíproblémy. Musíme si uvědomit, že křemíkové tranzistory zesilují i vysoké kmitočty, které vnízkofrekvenčním zesilovači nemůžeme potřebovat.Obr. 6.32: Dvoustupňový zesilovač: a) s přímou vazbou, b) s kapacitní vazbou, c) stransformátorovou vazbouObr. 6.33: Dvoustupňový napěťový zesilovač skapacitní vazbou mezi prvním a druhým stupňem.Tranzistory T 1 , T 2 jsou libovolné BC, KC, U CC = 4,5až 15 VObr. 6.34: Kondenzátor C zp (menšínež 100 pF) způsobuje napěťovouzápornou zpětnou vazbu pro vysokékmitočty a tím zlepšuje stabilituzesilovačeUvažujme zapojení s kapacitní vazbou podle Obr. 6.33 (s konkrétními hodnotamiodporů a kapacit). Toto zapojení by nemuselo vždy pracovat spolehlivě a bez problémů.Pravděpodobnost potíží je tím větší, čím mají oba stupně větší zesílení. Bude proto správnédoplnit je některými součástkami. Tak např. u tranzistoru je vhodné zmenšit zesílenívysokých kmitočtů (které se mohou projevit šumem nebo syčením, případně superpozicísignálů o vyšším kmitočtu - Obr. 6.35a). Dosáhneme toho zápornou zpětnou vazbou zvýstupu na vstup tranzistoru, to je z kolektoru na bázi, pomocí kondenzátoru s maloukapacitou (Obr. 6.34). Tato napěťová zpětná vazba zmenší zesílení kmitočtů nad horníhranici slyšitelnosti, případně v horní oblasti slyšitelných kmitočtů.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!