Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

76 FEKT Vysokého učení technického v BrněZapojení má však taky nevýhody. Napětí U B jeoproti použití jednoho tranzistoru dvojnásobné. Zbytkovýproud tranzistoru T 1 se zesiluje β 2 krát a převádí dotranzistoru T 2 , takže výsledný I CE0 = β 2 I CE01 + I CE02 . Ukřemíkových tranzistorů, které mají malý zbytkový proud,je tato nevýhoda minimální. Údaj o zesilovacím činitelinetřeba přeceňovat. Při volbě tranzistoru se častěji řídímejinými hledisky než je hodnota h 21E . Musíme respektovatnapř. maximální hodnoty napětí a proudů. Překročenímtěchto hodnot můžeme tranzistor zničit. Při použitítranzistorů je důležité znát maximální velikost napětíU CBmax a U CEmax· Toto napětí je udáno v katalogu výrobcem. Přípustné napětí U CE se uvádí sodporem R B , zapojeným mezi bázi a emitor při daném proudu I CE0 . Dalším důležitýmparametrem je maximální ztrátový výkon tranzistoru P tot (při dané teplotě) a maximálnípřípustný kolektorový proud (příp. i mezní proud báze). Parametry tranzistorů závisí ve velkémíře na teplotě. Např. proud I CB0 se zvětšuje s teplotou. Při zvětšení teploty o 10°C můžemepočítat s jeho dvojnásobným zvětšením.Tab. 5.13: Spínací tranzistoryObr. 5.44: Darlingtonovozapojení tranzistorů