11.07.2015 Views

Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Mikroelektronické <strong>praktikum</strong> 79U výkonových tranzistorů, kde je již zpracovaný signál svou velikostí srovnatelný shodnotami napětí a proudů pracovního bodu, musíme při analýze nebo návrhu obvodůvycházet z voltampérových charakteristik tranzistorů. Podrobný postup najde zájemce vliteratuře.Důležitou vlastností tranzistoru je také jeho vlastní šum. Činitel šumu je závislý nakmitočtu podle Obr. 5.46. V první části křivky do kmitočtu f 1 se činitel šumu tranzistoruzmenšuje, v druhé části (tzv. oblasti bílého šumu) je činitel šumu takřka neměnný a přikmitočtech vyšších než f 2 se opět šum zvětšuje vlivem zmenšení zesílení na vyššíchkmitočtech.Tab. 5.15: Křemíkové tranzistory PNP5.3.5 Pouzdření a značení tranzistorůVlastní polovodičový systém tranzistoru má nepatrné rozměry a je umístěn v různýchpouzdrech. Pouzdra se liší nejen tvarem, ale i materiálem. Vyrábějí se z kovu nebo plastu.Kovová pouzdra jsou dražší než plastová, zato lépe odvádějí ztrátové teplo z tranzistorovéhosystému. Často se setkáme s kombinací dvou materiálů, zvláště u výkonových tranzistorů.Potom je součástí plastového pouzdra kovová destička, určená k přišroubování na chladič.Jejím prostřednictvím se ztrátové teplo snadno odvádí z tranzistoru. Tvary a velikosti pouzderse u mnohých výrobců prakticky neliší. Proto řada pouzder má již mezinárodní označení, cožpřispívá k zjednodušení a rychlejší informovanosti.Nejčastěji budeme pracovat s tranzistory určenými pro napěťové zesilovače (Obr.5.47a). Elektrody mají většinou drátové vývody a jejich rozmístění je standardní. Uprostřed jebáze, po stranách emitor a kolektor. Tyto tranzistory snesou jen nepatrné zatížení a jsourozměrově nejmenší. Jinou skupinu tvoří spínací tranzistory (Obr. 5.47b). Vyrábějí se vkovových nebo plastových pouzdrech. Svými vlastnostmi se trochu liší od tranzistorů pronapěťové zesilovače, protože jsou konstruovány pro funkci: proud vede - nevede. Většinoumohou pracovat s většími kolektorovými proudy než tranzistory předchozí skupiny.Vysokofrekvenční tranzistory mají tvar někdy nezvyklý a nezřídka mají čtyři vývody (Obr.5.47c). Čtvrtý vývod si vyžádalo připojení kovového pouzdra (stínění). Tím se zlepšuječinnost tranzistoru při vysokých kmitočtech. Rozmístění elektrod bývá různé.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!