Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké uÄÂenàtechnické v Brně
Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké uÄÂenàtechnické v Brně
Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké uÄÂenàtechnické v Brně
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Mikroelektronické <strong>praktikum</strong> 79U výkonových tranzistorů, kde je již zpracovaný signál svou velikostí srovnatelný shodnotami napětí a proudů pracovního bodu, musíme při analýze nebo návrhu obvodůvycházet z voltampérových charakteristik tranzistorů. Podrobný postup najde zájemce vliteratuře.Důležitou vlastností tranzistoru je také jeho vlastní šum. Činitel šumu je závislý nakmitočtu podle Obr. 5.46. V první části křivky do kmitočtu f 1 se činitel šumu tranzistoruzmenšuje, v druhé části (tzv. oblasti bílého šumu) je činitel šumu takřka neměnný a přikmitočtech vyšších než f 2 se opět šum zvětšuje vlivem zmenšení zesílení na vyššíchkmitočtech.Tab. 5.15: Křemíkové tranzistory PNP5.3.5 Pouzdření a značení tranzistorůVlastní polovodičový systém tranzistoru má nepatrné rozměry a je umístěn v různýchpouzdrech. Pouzdra se liší nejen tvarem, ale i materiálem. Vyrábějí se z kovu nebo plastu.Kovová pouzdra jsou dražší než plastová, zato lépe odvádějí ztrátové teplo z tranzistorovéhosystému. Často se setkáme s kombinací dvou materiálů, zvláště u výkonových tranzistorů.Potom je součástí plastového pouzdra kovová destička, určená k přišroubování na chladič.Jejím prostřednictvím se ztrátové teplo snadno odvádí z tranzistoru. Tvary a velikosti pouzderse u mnohých výrobců prakticky neliší. Proto řada pouzder má již mezinárodní označení, cožpřispívá k zjednodušení a rychlejší informovanosti.Nejčastěji budeme pracovat s tranzistory určenými pro napěťové zesilovače (Obr.5.47a). Elektrody mají většinou drátové vývody a jejich rozmístění je standardní. Uprostřed jebáze, po stranách emitor a kolektor. Tyto tranzistory snesou jen nepatrné zatížení a jsourozměrově nejmenší. Jinou skupinu tvoří spínací tranzistory (Obr. 5.47b). Vyrábějí se vkovových nebo plastových pouzdrech. Svými vlastnostmi se trochu liší od tranzistorů pronapěťové zesilovače, protože jsou konstruovány pro funkci: proud vede - nevede. Většinoumohou pracovat s většími kolektorovými proudy než tranzistory předchozí skupiny.Vysokofrekvenční tranzistory mají tvar někdy nezvyklý a nezřídka mají čtyři vývody (Obr.5.47c). Čtvrtý vývod si vyžádalo připojení kovového pouzdra (stínění). Tím se zlepšuječinnost tranzistoru při vysokých kmitočtech. Rozmístění elektrod bývá různé.