Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké uÄÂenàtechnické v Brně
Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké uÄÂenàtechnické v Brně
Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké uÄÂenàtechnické v Brně
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
62 FEKT Vysokého učení technického v Brně5.2.7 Vícevrstvé diodyKombinací čtyř vrstev polovodičů P a N se třemi přechody vzniká čtyřvrstvá neboliShockleyova dioda. Na Obr. 5.21 je znázorněna v řezu spolu se schématickou značkou. Je-lina anodu přivedeno záporné a na katodu kladné napětí, chová se čtyřvrstvá dioda jako běžnádioda, to znamená, že má v tomto směru velký odpor.Při opačnépolarizaci má prvekpři zvyšujícím senapětí též velkýodpor. Při určitémnapětí U B0 všakdioda skokempřejde do vodivéhostavu a chová sejako běžná diodazapojená vpropustném směru.Napětí U B0 senazývá spínacínapětí.Voltampérová Obr. 5.21: Čtyřvrstvá dioda a její ampérvoltová charakteristikacharakteristikačtyřvrstvé diody jena Obr. 5.22. Do původního stavu pak dioda přejde až po odpojení napájecího napětí.5.2.8 TyristorČtyřvrstvá dioda s další vyvedenou elektrodou připojenou na vnitřní vrstvu P, se nazývátyristor PNPN. Vyvedená elektroda se nazývá řídicí a její pomocí lze zmenšovat velikostnapětí U B0 , při kterém tyristor přechází do vodivého stavu. Dva typy tyristorů s vyznačenýmipolaritami a značkami jsou nakresleny na Obr. 5.22.Obr. 5.22: TyristoryObr. 5.23: Ampérvoltová charakteristika tyristoru