Mikroelektronické praktikum - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Mikroelektronické praktikum 895.5 Shrnutí kapitolyZákladem polovodičových prvků je přechod PN – přechod mezi oblastí polovodiče typu N apolovodiče typu P.Hlavní parametry diody - zajímají nás v prvé řadě vlastnosti v závěrném směru a velikosti„prahového napětí“ v propustném směru nevěnujeme velkou pozornost. Víme, že jakmile seotevře přechod, nosiče nábojů se okamžitě uvedou do pohybu. Velikost takto vznikléhoproudu je určena prakticky jen Ohmovým zákonem. To znamená, že tu rozhoduje odporzařazený v elektrickém obvodu. Nejčastěji to bývá rezistor, nikoliv vnitřní odpor diod, kterýje ostatně velmi malý. Každý typ diody má stanovenou maximální velikost proudu I F . Tentoproud je dioda schopna trvale vést a podle toho diodu vybíráme.Elektrody tranzistoru – E-emitor, B-báze, C-kolektorNázev elektrických veličin v obvodu bipolárního tranzistoruI B - proud bázeI C - proud kolektoruI E - proud emitoruU BE - napětí mezi bází a emitoremU CB - napětí mezi kolektorem a bázíU CE - napětí mezi kolektorem a emitoremU S - napětí báze proti nulovému potenciáluU C - napětí kolektoru proti nulovému potenciáluU E - napětí emitoru proti nulovému potenciálu3 základní zapojení bipolárního tranzistoruSE se společným emitoremSC se společným kolektoremSB se společnou bázíUnipolární tranzistory – řízené elektrickým polemTranzistory s trvalým a indukovaným kanálemJFET a MOSFETElektrody unipolárního tranzistoru S-source, D-drain, G-gate