Elektronika 2011-10 I.pdf - Instytut Systemów Elektronicznych ...

log 10I [a.u]642#A70 pomiar na GaSbobliczenia:GaAs 0.86 umGaAsSb(0.005) 0.14 umGaSb 4um20 nm60x40x90xInAs:Te n-type10 ML InAs:Te/10 ML GaSb n-type10 ML InAs/10 ML GaSb undoped10 ML InAs/10 ML GaSb:Be p-type5x10 17 cm -35x10 17 cm -3undoped2x10 17 cm -3100 nmGaSb:Be p-type2x10 17 cm -30900 nmGaSb:Be p-type1x10 18 cm -360 61 62 63 64 65 662θ [deg]400 μm2” (100) GaSbundopedRys. 5. Krzywa dyfrakcji rentgenowskiej dla struktury GaSb na GaAsFig. 5. X-ray diffraction pattern of GaSb on GaAsRys. 8. Schemat struktury detektora na bazie supersieci InAs/GaSbna GaSb wykonanej w ITEFig. 8. Schematic layer structure of InAs/GaSb superlattice detectoron GaSb fabricated at IETlog 10I [a.u]642#A83pomiarobliczenia:GaAs 0.9A (0.3ML)InAs 29.9 A (9.9 ML)InSb 4.3 A (1.3 ML)GaSb 29.6 A (9.7 ML)Rys. 6. Obraz AFM dla struktury GaSb na GaAsFig. 6. AFM image of GaSb on GaAs053 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 672θ [deg]PL intensity (a.u.)240160800Wavelength (µm)6.5 6 5.5 5 4.5 4A080A072A092 InAs V/II=4.2, FWHM = 13.44 meVA091 InAs V/II=2.8A090 InAs V/II=3.5A089 InAs V/II=4.2, FWHM = 16.46 meVA080 (on GaAs) InAs V/II=5.6, FWHM = 14.35 meVA072 InAs V/II=5.6, FWHM = 14.7 meVA092200 225 250 275 300 325 350Energy (meV)T=10KRys. 7. Fotoluminescencja supersieci InAs/GaSb wytworzonych przyróżnych stosunkach strumieniach pierwiastków V/III podczas wzrostuInAs wytwarzanych na podłożach GaAs i GaSbFig. 7. Photoluminescence of InAs/GaSb superlattices grown at differentV/III flux ratios of InAs layer on GaAs and GaSb substratesRys. 9. Krzywa dyfrakcji rentgenowskiej dla struktury InAs/GaSb naGaSb wykonanej w ITEFig. 9. X-ray diffraction pattern of InAs/GaSb structure on GaSb fabricatedat IETNa rysunku 10 przedstawiono widma fotodpowiedzi dla strukturydetektora wykonanej w ITE. Struktura ta składa ze 130 parwarstw typu p – rys. 8. Długofalowa granica widma dla tej strukturywynosi ok. 5,5 μm w T = 14K. Po prawej stronie przedstawionowidma dla podobnych struktur wykonanych w Instytucie Fraunhofera.W tym przypadku długofalowa granica widma zmierzonaw nieco wyższej temperaturze, w 77K wynosi 5 μm. Zmniejszenieabsorpcji przy długości fali ok. 4,2 mikrona jest artifactem i wynikaz istnienia linii absorpcyjnej CO 2w powietrzu. Kolejne widma fotoodpowiedzisą zmierzone dla struktur z różną ilością par warstwtypu p w supersieciach 130…940.Z rozważań przeprowadzonych przez Rehma i in. wynika, żesprawność struktur detektora typu p-i-n na bazie supersieci InAs/GaSb silnie zależy od ilości par warstw typu p [2]. Maksymalnewartości sprawności uzyskuje się dla detektorów z supersieciz bardzo dużą ilością warstw, wynoszącą ok. 1000 par warstw10 ML InAs/10 10 ML. Grubość takiej supersieci wynosi ok. 6μm. Oznacza to, że detektory z supersieci InAs/GaSb o długo-20Elektronika 10/2011