Elektronika 2011-10 I.pdf - Instytut Systemów Elektronicznych ...

Streszczenia artykułów ● Summaries of the articlesTUŚNIO N., TUŚNIO J.: Trójfazowy zasilacz prądu zmiennego 3×2,5 kWElektronika (LII), nr 10/2011, s. 61W opracowaniu przedstawiono zasadę działania i budowę trójfazowegozasilacza przeznaczonego do zasilania elementów grzejnych podczas badaniaprocesów fizykochemicznych zachodzących w czasie rozkładu bezpłomieniowego(tlenia), żarzenia i spalania różnych produktów i substancji.Konstrukcja zasilacza pozwala na równoczesne sterowanie napięciemwyjściowym lub mocą w trzech fazach (kanałach) z możliwością kalibracjiw każdym kanale. Zasilacz wyposażony jest w sekwencyjny układ odczytuwartości zadanej oraz napięć (mocy) w poszczególnych fazach oraz układalarmu.Słowa kluczowe: układy tyrystorowe, zasilacze, regulacjaTUŚNIO N., TUŚNIO J.: Three-phase AC power 3×2,5 kWElektronika (LII), no 10/2011, p. 61The paper presents the principle of operation and construction of threephaseAC power supply intended for the heating elements when examiningthe physicochemical processes occurring during decompositionof flameless (smoldering), the filament and burning of various productsand substances. The power pack design allows for simultaneous controlof output voltage or power in three phases (channels) with the possibilityof calibration of each channel. Power supply features a sequential readsystem setpoint and the voltage (power) in the different phases and alarmsystem.Keywords: thyristor, power supplies, controlSKWAREK A., WITEK K.: Lutowanie kondensacyjne – wybraneaspektyElektronika (LII), nr 10/2011, s. 65Lutowanie kondensacyjne jest aleternatywną metodą wykonywania połaczeńlutowanych w technologii montażu powierzchniowego. W porównaniuz próbkami wykonanymi w wyniku lutowania rozpływowego, wykonanespoiny mogą charakteryzować się lepszą ciągłością połączenia czy niższymstopniem utlenienia powierzchni.W artykule przedstawiono wybrane aspekty lutowania kondensacyjnego,mogące wpływać na jakość otrzymanych połączeń. Z przedstawionychponiżej badań równocześnie wynika, że wybór stopu stosowanego przylutowaniu kondensacyjnym może okazać się kluczowym czynnikiem wpływającymna jakość połączenia.Słowa kluczowe: lutowanie kondensacyjne, lutowanie rozpływowe, stopybezołowioweSKWAREK A., WITEK K.: Vapor Phase Soldering – chosen aspectsElektronika (LII), no 10/2011, p. 65Vapor phase soldering in an alternative method of solder joint creation inthe surface mount technology. In comparision to the samples performed inreflow soldering, the joints can be characterized by better uniformity andlower degree of surface oxidation.In this article the selected aspects of vapor phase soldering influencing thequality of joints are presented. The main conclusion from this experiment isthat the choice of proper alloy used in vapor phase soldering is the essiencialfactor influencing the joint quality.Keywords: vapor phase soldering, reflow soldering, Pb-free alloysSZWAGIERCZAK D.: Właściwości dielektryczne nieferroelektrycznejceramiki Gd 2/3CuTa 4O 12na kondensatory typu IBLCElektronika (LII), nr 10/2011, s. 68Opracowano warunki syntezy i spiekania nowego nieferroelektrycznegomateriału o składzie Gd 2/3CuTa 4O 12odznaczającego się wysoką przenikalnościąelektryczną. W artykule przedstawiono wyniki badań metodą spektroskopiiimpedancyjnej przeprowadzone w szerokim zakresie temperatur-55…700°C i w zakresie częstotliwości 10 Hz – 2 MHz. W widmach impedancyjnychwyróżniono dwa rodzaje odpowiedzi dielektrycznej, przypisanepółprzewodnikowym ziarnom i granicom międzyziarnowym o wyższejrezystancji. Analiza metodą EDS składu pierwiastkowego ceramiki Gd CuTa O 2/wskazuje na wzbogacenie granic ziaren w tlen i tantal i wnętrza3 4 12ziaren w miedź. Wysoka efektywna przenikalność wytworzonej ceramikiobserwowana przy niskich częstotliwościach i/lub w wyższych temperaturachwynika z samorzutnego tworzenia się kondensatorów z zaporowąwarstwą wewnętrzną na granicach ziaren podczas jednoetapowego wypalaniaw atmosferze powietrza.Słowa kluczowe: ceramika Gd 2/3CuTa 4O 12, właściwości dielektryczne,kondensator IBLCSZWAGIERCZAK D.: Dielectric properties of nonferroelectric Gd CuTa O 2/ceramic for IBLC-type capacitors3 4 12Elektronika (LII), no 10/2011, p. 68The synthesis and sintering procedure was developed for a new nonferroelectricmaterial with the composition Gd 2/3CuTa 4O 12which showshigh dielectric permittivity. The paper presents the results of impedancespectroscopic studies carried out in a wide temperature range from -55 to700°C and in the frequency range 10 Hz – 2 MHz. Two types of dielectricresponse were revealed in impedance data, attributed to semiconductinggrains and more resistive grain boundaries. Chemical composition ofGd 2/3CuTa 4O 12ceramic determined by EDS method indicates an enhancedcontent of oxygen and tantalum at grain boundaries regions and anenrichment in copper in grain interiors. High effective permittivity of theobtained ceramics observed at low frequencies and/or higher temperaturesresults from spontaneous formation of capacitors with internal barrierlayers at grain boundaries, fabricated during one step firing in air.Keywords: Gd 2/3CuTa 4O 12ceramic, dielectric properties, IBLC capacitorKLIMIEC E., ZARASKA W., KUCZYŃSKI Sz.: Wpływ kierunku mechanicznegoodkształcenia folii PVDF na wartość sygnału elektrycznegoElektronika (LII), nr 10/2011, s. 72Badania wpłwu kierunku naprężenia działającego na próbkę, na wartośćsygnału piezoelektrycznego, prowadzono na foliach z polifluorku winylidenuPVDF o grubości 28, 52 i 110 µm w trzech kierunkach: 33, 31, i 32.Ponieważ badania piezoelektrycznych folii nie są znormalizowane, prowadzonoje na stanowisku pomiarowym, w skład którego wchodziły siłownikiwłasnej konstrukcji. Wartości napięcia piezoelektrycznego przy naprężeniachściskających wynosiły do 3 V dla próbek o powierzchni 10 cm 2 przynaprężeniu 12 N/cm 2 Przy naprężeniach rozciągających w kierunku 31 wartościnapięć dochodziły do 250 V z powierzchni 7 cm 2 . Przy naprężeniachrozciągających w kierunku 32 wartości napięć były 6 razy mniejsze niż dlakierunku 31. Badania wykazały, że otrzymana wartość piezoelektrycznegonapięcia przy rozciąganiu jest kilkadziesiąt razy większa, niż przy ściskaniu,dla próbek o zbliżonych wielkościach powierzchni elektrod. Wartośćpiezoelektrycznego sygnału była większa, dla folii o większej grubości.Słowa kluczowe: PVDF, piezopolimery, stałe piezoelektryczne, g 3n, d 3nKLIMIEC E., ZARASKA W., KUCZYŃSKI Sz.: Influence of mechanicaldeformation direction of PVDF film, to the electric signal valueElektronika (LII), no 10/2011, p. 72This paper presents investigation of acting stress direction to the piezoelectricsignal value of the polyvinylidene fluoride PVDF film sample with28, 52 and 110 µm thickness in three directions: 33, 31 and 32. Becausethe investigations of piezoelectric films are not standardize, investigationswere conducted on measuring positions in composition with own constructionactuators. For stress in 33 direction, piezoelectric voltage value wasup to 3V for samples with 10 cm 2 surface and acting stress 12 N/cm 2 . Fortension stress in 31 direction, piezoelectric voltage value was up to 250V for samples with 7 cm 2 . For tension stress in 32 direction, piezoelectricvoltage value was 6 times smaller than voltge value in 31 direction.Investigations showed that the obtained values of piezoelectric voltagefor streatched film is a few dozen times bigger than for compression forsamples with similar electrodes surface. The value of piezoelectric signalwas bigger for thicker film samples.Keywords: PVDF, piezopolymers, piezoelectric constant g 3nand d 3nElektronika 10/2011