Parametry robocze profilometruParametry robocze profilometruCharacteristic parameters of the beam profilerParametrWartośćparametruUwagiZakres przesuwu wzdłuż R 0…20 cm W tym 8 cm śrubąmikrometrycznąZakres zmian kąta φZakres zmian kąta ΘRozdzielczość kątowaprofilometru−90°…+90°−45° …+45°~0,1° Przy R = 20 cmTyp stolika obrotowego URS<strong>10</strong>0BPP Produkt NewportCorporationRozdzielczośćnominalna stolika obrot.Maksymalna prędkośćobrotu0,05°40°/sTyp łuku pomiarowego M-BGM120PP Produkt NewportCorporationRozdzielczość nominalnałuku pomiar.Maksymalna prędkośćobrotuTyp sterownika silnikówkrokowych0,05°20°/sESP301Produkt NewportCorporationTyp detektora PVI-3TE ProduktVIGO System S.A.Długość mierzonej fali 9,5 µm Przy maksymalnejczułościPowierzchnia światłoczułaPasmo wzmacniaczakoło, φ = 0,5 mm0,5 kHz – 50 MHzZakres zastosowań profilomertuZ soczewką immersyjnąJak już podkreślaliśmy, profilometr został zaprojektowany z przeznaczeniemdo badań naukowych nad własnościami kwantowychlaserów kaskadowych. Umożliwia on zarówno pomiarstandardowych parametrów emitowanej wiązki jak i prowadzenieunikalnych pomiarów, niedostępnych na komercyjnych urządzeniach.Do standardowych pomiarów można zaliczyć określeniepołożenia przewężenia wiązki (ang. waist position) z 0, średnicywiązki w przewężeniu (ang. waist diameter) d 0, rozbieżnościwiązki θ, itd.Znacznie bardziej skomplikowana jest sytuacja w przypadkuokreślenia parametru jakości wiązki M 2 (ang. beamquality factor). Zgodnie ze Standardem ISO 11146 [4] parametrM 2 jest określony jako iloraz parametru BPP (ang. beamparameter product) i λ/π. W przypadku idealnej wiązki gaussowskiejparametr BPP jest zdefiniowany jako iloczyn promieniawiązki w przewężeniu d 0/2 i połówkowej rozbieżnościwiązki θ/2. Dla wiązek niegaussowskich, tak jak w przypadkulaserów QCL, definicje takie są niewystarczajace i powinnybyć zmodyfikowane. Jest to przedmiotem aktualnie prowadzonychbadań [1, 5].W zakresie badań geometrii wiązki szczególnie ważne jestzbadanie rozkładu pola w jak najszerszym kącie bryłowym.Pozwoliłoby to wyjaśnić problem istnienia i postaci modówbocznych. Zasygnalizujmy na koniec potrzebę przeprowadzeniabadań wpływu warunków pracy lasera (długości impulsów,współczynnika wypełnienia, napięcia zasilania, itd.)na kształt wiązki. Przedstawiony układ umożliwia również badaniewpływu temperatury na kształt wiązki laserowej.PodsumowanieW artykule omówiono goniometryczne metody pomiaru rozkładupromieniowania laserów półprzewodnikowych ze szczególnymuwzględnieniem technik możliwych do zastosowaniaprzy projektowaniu i charakteryzacji kwantowych laserówkaskadowych. Przedstawiono unikalny układ goniometrycznyzaprojektowany w Instytucie Technologii Elektronowejprzeznaczony do takich pomiarów. Omówiono konstrukcjętego układu, jego układ sterowania i możliwości pomiarowe.Przedstawiono w skrócie szeroki zakres zastosowań układuw badaniach naukowych nad laserami kaskadowymi.Praca naukowa finansowana ze środków na naukę w latach20<strong>10</strong>–2012 jako projekt badawczy Nr N N515 524938.Literatura[1] Krishnaswami K., B. E. Bernacki, B. D. Cannon, N. Ho, N. C. Anheier:Emission and Propagation Properties of Midinfrared QuantumCasacade Lasers. IEEE Photon.Techn. Lett., vol. 20, pp. 306–308,2008.[2] Gresh T., M. Giovannini, N. Hoyer, J. Faist: Quantum cascade laserswith Large Optical Waveguides. IEEE Photon. Techn. Lett.,vol. 18, pp. 544-546, 2006.[3] Siegman A. E.: Defining, measuring, and optimizing laser beamquality. Proc. SPIE vol. 1868, pp. 2–12, 1993.[4] ISO Standard 11146, „Lasers and laser-related equipment – Testmethods for laser beam widths, divergence angles and beam propagationratios”, 2005.[5] Alda J.: Laser and Gaussian Beam Propagation and Transformation.in: Encyclopedia of Optical Engineering, Marcel Dekker, Inc.,2003.50<strong>Elektronika</strong> <strong>10</strong>/<strong>2011</strong>
Model numeryczny lasera QCL oparty na formalizmienierównowagowych funkcji Greenaprof. dr hab. inż. Andrzej Kolek, dr inż. Grzegorz HałdaśPolitechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektronikiprof. dr hab. Maciej Bugajski, <strong>Instytut</strong> Technologii Elektronowej, WarszawaJednym ze sposobów modelowania przyrządów nanoelektronicznychjest metoda nierównowagowych funkcji Greena (NEGF)[1, 2]. Metodę tę i szczegóły jej stosowania w odniesieniu do nanostrukturwarstwowych opisano m.in. w pracach [1–5]. W tymprzypadku równania formalizmu NEGF oraz Poissona rozwiązywanesą w przestrzeni 1D z uwzględnieniem wektora pędu k ||w płaszczyźnie równoległej do warstw struktury. W szczególnościw/w równania rozwiązywane są w przestrzeni rzeczywistej, w kierunkuz, prostopadłym do warstw heterostruktury, w którym odbywasię transport ładunku. Metoda umożliwia wyznaczenie m.in.pędowo-energetyczno-przestrzennych rozkładów funkcji gęstościstanów N, gęstości elektronów n, gęstości prądu J oraz współczynnikaabsorpcji α. Wielkości te można wyznaczać z uwzględnieniemróżnego rodzaju rozproszeń elastycznych i nieelastycznychzachodzących w strukturze, które w formalizmie uwzględniasię za pomocą tzw. energii własnych (Σ R,< ).W pracy opisano wyniki symulacji struktury kwantowego laserakaskadowego (QCL) emitującego promieniowanie w zakresieśredniej podczerwieni (mIR). Struktura takiego przyrząduzawiera kilkadziesiąt identycznych modułów (okresów), którew warunkach polaryzacji tworzą układ kaskady. Z oczywistychwzględów obliczenia prowadzi się dla pojedynczego okresu,a „oddziaływanie” z sąsiednimi modułami jest imitowane przezodpowiednie warunki brzegowe. Z uwagi na okresowość całejstruktury warunki te mają cechy periodycznych warunków brzegowychz uwzględnieniem „przesunięcia” w dziedzinie energiiE o wartość ±eU wynikającą z napięcia elektrycznego (U ) napojedynczym okresie lasera. W pracy [5] opisano szczegółowowarunki brzegowe stosowane w użytym symulatorze. Ich cechącharakterystyczną jest nierównowagowy rozkład elektronów zasilających/opuszczającychpojedynczy moduł lasera wyznaczonyw sposób samo-uzgodniony, spełniający wspomniany wyżejwarunek okresowości. Obliczenia prowadzone są w przestrzenirzeczywistej, dla energii w paśmie przewodnictwa z uwzględnieniemnieparaboliczności. Poprzednie prace [3–5] nie uwzględniałytego zjawiska.Stany elektronowe i transport ładunkuw zakresie przedprogowym lasera QCL średniejpodczerwieniObliczenia przeprowadzono dla lasera kaskadowego GaAs/Ga 0.45Al 0.55As opisanego w pracy [6]. Fragment struktury laserabędący obiektem symulacji przedstawiono na rys. 1. Szerokośćkolejnych barier i studni różni się od oryginalnego projektutym, że w obliczeniach zastosowano siatkę dyskretyzującąo rozdzielczości a = 0,6 nm. Okres lasera ma wtedy długość ∆= 45,6 nm. Struktura na rys. 1 jest nieco większa. Zawiera onafragmenty sąsiednich okresów QCL. W szczególności pierwszai ostatnia studnia kwantowa należą do kolejnych okresówlasera. Takie zdefiniowanie obiektu, dla którego prowadzi sięobliczenia, umożliwia weryfikację „jakości” zastosowanych warunkówbrzegowych. Zgodnie z opisanym wcześniej wymogiemperiodyczności należy oczekiwać, że gęstość stanów i ich obsadzeniew pierwszej i ostatniej studni kwantowej będą identycznewzględem krawędzi pasma przewodnictwa. Wielkości teprzedstawiono na rys. 1 i 2. Jak widać sekwencje poziomówenergetycznych B, D, E (oznaczenia jak w pracy [7]) w pierw-Rys. 1. Krawędź pasma przewodnictwa (linia ciągła) i gęstość stanówN(z, k ||= 0, E) (kolorowa mapa) obliczone dla lasera spolaryzowanegonapięciem U = 0,234 V/okres (F = U/∆ = 51 kV/cm). Zaznaczono poziomylaserowe E 1-E 3w obszarze aktywnym (OA) lasera (20 < x < 36)oraz poziomy A-E w iniektorachFig. 1. Conduction band edge (solid line) and density of statesN (z, k ||= 0, E) (colour map) calculated for m-IR QCL biased by thevoltage U = 0.234 V/period (F = 51 kV/cm). Laser levels E 1-E 3in theactive region (OA), and levels in the injectors are labelled. The calculationsmade in real space involved scattering by phonons (bothoptical and acoustic), alloy disorder and interface roughness characterizedby exponential correlation with the parameters λ = 9 nm andδz = 0.28 nmRys. 2. Rozkład gęstości elektronów n (z, E) w obszarze symulowanejstruktury (napięcie U = 0,234 V/okres). Wartości funkcji podanow skali kolorówFig. 2. Density of electrons n(z, E) in the simulated structure (colourmap) for the bias of U = 0.234 V/periodszej i ostatniej studni są bardzo podobne. W znacznym stopniudotyczy to także gęstości elektronów pokazanej na rys. 2.Obliczenia przeprowadzono dla temperatury T = 77K, dla którejdostępne są dane eksperymentalne [6, 8]. Uwzględniono rozproszenianieelastyczne elektron-fonon (optyczny i akustyczny)oraz rozpraszania elastyczne elektronów na nieuporządkowanejstrukturze stopu Ga xAl 1-xoraz na chropowatości interfejsówwarstw heterostruktury. W tym ostatnim przypadku przyjęto, że<strong>Elektronika</strong> <strong>10</strong>/<strong>2011</strong> 51