Elektronika 2011-10 I.pdf - Instytut Systemów Elektronicznych ...

tur ze studnią kwantową InGaSb/GaSb oraz InGaAsSb/GaSb.Wykonano opracowanie wzrostu warstw z glinem AlGaSb/GaSboraz AlGaAsSb/GaSb z prekurorami TMAl i DMEAAl. Ostateczniewykonano struktury studni kwantowej InGaSb/AlGaAsSb/GaSbi InGaAsSb/AlGaAsSb/GaSb oraz heterostruktury samego lasera.Charakteryzacja jakości strukturalnej warstw odbywała sięw oparciu o mikroskopię optyczną, AFM, SEM i TEM oraz dyfrakcjęrentgenowską. Do pomiaru grubości warstw wykorzystanomikroskopię SEM i TEM. Skład chemiczny warstw wyznaczanoza pomocą dyfrakcji rentgenowskiej oraz spektroskopii EDS. Pomiarwłaściwości optycznych wykonywany był za pomocą spektroskopiifotoluminescencyjnej, absorbcyjnej oraz fotoodbiciowejw 300K oraz 10K. Wobec braku półizolacyjnych podłoży GaSbcharakteryzację elektryczną uzyskiwano w oparciu o pomiaryefektu Hall’a na podłożach półizolacyjnych GaAs oraz o pomiaryECV. Do analizy zanieczyszczeń wykorzystano technikę SIMS.Wykonane struktury laserowe poddano dalszej obróbce z nanoszeniemkontaktów i montażem oraz charakteryzacji. Symulacjenumeryczne przyrządów laserowych przeprowadzono za pomocąprogramu PICS 3D firmy Crosslight Software Inc.WynikiAnaliza zależności jakości warstw od podstawowych parametrówtechnologicznych wykazała w przypadku warstw homoepitaksjalnychGaSb/GaSb wrażliwość na sposób przygotowania i orientacjępodłoża, najlepsze warstwy otrzymano dla podłoży odchylonych6° w kierunku po wygrzaniu w reaktorze w 600°Cprzez 30 min bez trawienia mokrego przed procesem. Optymalnetemperatury procesu były w zakresie 550…600°C, ciśnienie ok.100 mbar i iloraz V/III w zakresie 2…5. Koncentracja nieintencjonalnawarstw GaSb/GaAs typu p wyniosła ok. 7E16 cm -3 . Wynikite nie odbiegają od publikowanych wartości [1-6] za wyjątkiemwpływu trawienia chemicznego przed procesem. Optymalizacjaepitaksji warstw z indem wykazała, że najlepszą powierzchnięi linię XRD otrzymano przy zastosowaniu temperatury wzrostu600°C i ilorazu V/III od 1 do 2. Uzyskano warstwy o zawartościindu dochodzącej do x(In)=0.3, jednak dobrej jakości heterostrukturyz wyraźną linią XRD odpowiadały x(In)