Elektronika 2011-10 I.pdf - Instytut Systemów Elektronicznych ...

energia (eV)1.5401.5381.5361.5341.5321.5301.5281.526Próbka Benergia H1e1poszerzenie H1e1aRys. 5. Energie i poszerzenia energetyczne podstawowego przejściaoptycznego H1e1 dla próbki B w funkcji miejsca pomiaru na płytceFig. 5. The Energy and FWHM of fundamental transition (H1e1) forsample B as a function of following measured places on the samplePodsumowaniebSpektroskopia fotoodbiciowa została wykorzystana do badaniaoptycznych właściwości supersieci GaAs/AlGaAs. Otrzymanowidma bogate w linie spektralne związane z procesem absorpcjimiedzy poziomami (podpasmami) energetycznymi w badanychsupersieciach. Modelowanie otrzymanych widm fotoodbiciowychw połączeniu z obliczeniami wykonanymi w przybliżeniu masyefektywnej pozwoliły na rozpoznanie kolejnych przejść optycznych,a zarazem na potwierdzenie założonych w procesie wzrostuskładów i grubości poszczególnych warstw barier i studni kwantowych.Ponadto wykonano pomiary fotoodbicia, które wykazaływysoką powtarzalność procesu wzrostu, jak również wysoką jednorodnośćwytwarzanych struktur w obrębie 2 calowych płytek.Praca zrealizowana w ramach projektu badawczego zamawianego(PBZ MNiSW-02/I/2007) pt. „Zaawansowane technologie dlapółprzewodnikowej optoelektroniki podczerwieni”.cdcba"PŁYTKA"d30252015105poszerzenie (meV)Literatura[1] Faist J., F. Capasso, D. L. Sivco, C. Sirtori, A. L. Hutchinson, and A.Y. Cho: Science 264, 553 (1994).[2] Sirtori C., P. Kruck, S. Barbieri, P. Collot, J. Nagle, M. Beck, J. Faist,and U. Oesterle: Appl. Phys. Lett. 73, 3486 (1998).[3] Page H., C. Becker, A. Robertson, G. Glastre, V. Ortiz, C. Sirtori:Applied Physics Letters, vol. 78,. 3529 (2001).[4] Kosiel K., J. Kubacka-Traczyk, P. Karbownik, A. Szerling, J. Muszalski,M. Bugajski, P. Romanowski, J. Gaca, M. Wójcik: MicroelectronicsJournal, 40 (2009) 565–569.[5] Kosiel K., J. Muszalski, A. Szerling, M. Bugajski, R. Jakieła: Vacuum82 (2008) 383–388.[6] Pollak F.H. in: Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss,vol. 2, Elsevier Science, Amsterdam, (1994), pp. 527–635.[7] Glembocki O.J. and B.V. Shanabrook: Photoreflectance spectroscopyof microstructures. in D.G. Seiler, C.L. Littler. (Eds.), ‘Semiconductorsand Semimetals’ Vol. 36, Academic Press, New York,(1992), p. 221.[8] Misiewicz J., R. Kudrawiec, K. Ryczko, G. Sęk, A. Forchel, J.C. Harmand,M. Hammar: J. Phys. Cond. Mat. 16, 3071 (2004).[9] Misiewicz J., G. Sęk, R. Kudrawiec, P. Sitarek: Thin Solid Films 450,14, (2004).[10] Misiewicz J., P. Sitarek, G. Sek, and R. Kudrawiec: Materials Science21, 264 (2003).[11] Motyka M., R. Kudrawiec, G. Sek, J. Misiewicz, I.L. Krestnikov andA. Kovsh: Semic. Sci. and Technol., 21 (2006) 1402–1407.[12] Motyka M., R. Kudrawiec, J. Misiewicz, M. Hümmer, K. Rößner, T.Lehnhardt, M. Müller, and A. Forchel: J. Appl. Phys. 103, 113514(2008).[13] Kudrawiec R., M. Motyka, J. Misiewicz, M. Hümmer, K. Rößner, T.Lehnhardt, M. Müller, and A. Forchel: Appl. Phys. Lett. 92, 041910(2008).[14] Kudrawiec R., B. Paszkiewicz, M. Motyka, J. Misiewicz, J. Derluyn,A. Lorenz, K. Cheng, J. Das, and M. Germain: J. Appl. Phys. 104,096108 (2008).[15] Kudrawiec R., H. B. Yuen, S. R. Bank, H. P. Bae, M. A. Wistey,James S. Harris, M. Motyka, and J. Misiewicz: J. Appl. Phys. 104,033526 (2008).[16] Bastard G.: Wave mechanics applied to semiconductor Heterostructures.EDP Sciences 1992.Goniometryczna metoda pomiaru przestrzennego rozkładunatężenia promieniowania kwantowych laserów kaskadowychdr hab. Kazimierz Regiński, prof. dr hab. inż. Bohdan Mroziewicz,mgr inż. Emilia Pruszyńska-KarbownikInstytut Technologii Elektronowej, WarszawaWraz z rozwojem technologii wytwarzania laserów półprzewodnikowychrównolegle postępuje rozwój metod ich charakteryzacji.W zakresie metod pomiaru wiązek emitowanych przez laserymamy obecnie do dyspozycji dwie zasadnicze grupy przyrządówpomiarowych zwanych często profilometrami: przyrządy typu mozaiki przyrządy typu goniometrycznego.W profilometrach typu mozaik, rejestracja natężenia promieniowaniaodbywa się przy pomocy płaskiej matrycy światłoczułej.Urządzenia te mogą być wyposażone w filtry służące do osłabieniapromieniowania laserowego w ruchome szczeliny, lub teżw ruchome przesłony. Głowice pomiarowe takich profilometrówumieszczane są zwykle na liniowych przesuwach pozwalającychna zmianę odległości detektora od żródła promieniowania. Dziękitakiej konstrukcji przyrządy typu mozaik mogą rejestrować trójwymiarowyrozkład promieniowania w dalekim polu.Przyrządy typu goniometrycznego posiadają zwykle pojedynczydetektor, natomiast układ mechaniczny, umożliwiającyzmianę położenia detektora względem żródła promieniowania,jest bardzo rozbudowany. W odróżnieniu od profilometrów typumozaik, które są urządzeniami popularnymi przeznaczonymi do48standardowych pomiarów, profilometry goniometryczne są częstobudowane przez eksperymentatorów z przeznaczeniem dobadań naukowych nad nowymi typami laserów [1].Ze względu na wielką różnorodność typów laserów półprzewodnikowych(mamy tu na myśli głównie zakres widmowy, moci rozkład przestrzenny wiązki) nie ma w omawianej dziedzinieuniweralnych układów i metodologii pomiarowych. Układy pomiaroweoraz związane z nimi metodologie pomiarów musząbyć nakierowane na konkretny typ lasera. Szczególnie trudnasytuacja ma miejsce w przypadku kwantowych laserów kaskadowych(QCL) pracujących w zakresie średniej podczerwieni (MIR).Analiza przestrzennego rozkładu pola tych laserów napotyka naistotne trudności z kilku powodów. Po pierwsze w zakresie MIRwybór detektorów do rejestracji promieniowania jest bardzo ograniczony.Detektory te mają małą powierzchnię fotoczułą, dużypoziom szumów, i na dodatek są bardzo kosztowne. Uniemożliwiato w praktyce wykonywanie pomiarów w oparciu o matrycedetektorów. Kolejną przeszkodą jest znaczna rozbieżność wiązkiw laserze kaskadowym [2]. Stwarza ona konieczność wykonywaniapomiarów na dużej powierzchni w dużym kącie bryłowym.Elektronika 10/2011