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Diplom - Institut für Chemie und Biochemie an der FU Berlin - Freie ...

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18 KAPITEL 3. EXPERIMENTELLER TEIL<br />

3.2 Tieftemperaturkristallisation<br />

Die Kühlung erfolgte durch einen Stickstoffkaltgasstrom. Die Temperierung <strong>und</strong> Regulierung<br />

erfolgte über Heizung im Verdampfer <strong>und</strong> Heizung des Gasstromes. Durch<br />

diese Vorgehensweise wird eine gleichbleibende Temperatur am Kristallort möglich.<br />

Um aus <strong>der</strong> Schmelze einen Einkristall zu züchten, wird möglichst nah am Schmelzpunkt<br />

die Temperatur fein reguliert. Diese Regulierung k<strong>an</strong>n durch eine zusätzliche<br />

externe Heizung erfolgen. Die Kristallisationsversuche <strong>an</strong> einem Siemens 4-Kreis-<br />

Diffraktometer erfolgten mit einer Heizwendel unterhalb des Kristalls bei χ = 0 ◦ .<br />

Aufgr<strong>und</strong> <strong>der</strong> Gegebenheiten am Bruker-AXS-3-Kreis-Diffraktometer ist diese Stellung<br />

nicht möglich, da dort χ = 54.81 ◦ vorgegeben ist. Dennoch war es auch dort<br />

möglich, Einkristalle aus <strong>der</strong> Schmelze zu züchten. Um den Temperaturgradienten zu<br />

erhöhen, war dabei die Anbringung einer Metallspitze nahe dem Kristall nötig. Auf<br />

eine Heizwendel konnte so verzichtet werden. In diesem Zust<strong>an</strong>d wurde die Probe<br />

gezielt mit einem möglichst kleinen Kristall gehalten <strong>und</strong> l<strong>an</strong>gsam rotiert. Aufgr<strong>und</strong><br />

<strong>der</strong> Stellung bei χ = 54.81 ◦ erfolgt auf diese Wiese eine ständige Umkristallisation,<br />

die schließlich zu einem Einkristall führte. Die Beurteilung des Kristalls erfolgte in<br />

diesem Stadium durch optische Kriterien. Nach l<strong>an</strong>gsamen Abkühlen um weitere 5<br />

- 10 K erstarrte die Probe vollständig. In diesem Zust<strong>an</strong>d konnte d<strong>an</strong>n mit Rotationsaufnahmen<br />

die Kristallgüte besser eingeschätzt werden. Durch Optimierung <strong>der</strong><br />

Kristallisationsbedingungen wurde so ein guter Einkristall gezüchtet, dessen Güte<br />

durch eine Testmessung innerhalb von 60 Minuten endgültig beurteilt wurde. Im<br />

Allgemeinen muß dieses Verfahren schrittweise so oft wie<strong>der</strong>holt werden, bis m<strong>an</strong><br />

zu einem guten Einkristall kommt. Dabei dient die Testmessung normalerweise nur<br />

als Sicherheit, da mit einer guten Rotationaufnahme oft auch ein guter Einkristall<br />

erk<strong>an</strong>nt werden k<strong>an</strong>n.<br />

3.3 Meßstrategie <strong>und</strong> Datensammlung<br />

Symmetrie <strong>und</strong> Zellgröße bestimmen die Meßstrategie hauptsächlich. Mit Hilfe des<br />

Programmes Astro k<strong>an</strong>n die Meßstrategie am Computer <strong>für</strong> eine gegebene Orientierungsmatrix<br />

erarbeitet werden. Dabei muß <strong>für</strong> Ladungsdichtemessungen auf eine<br />

möglichst hohe Red<strong>und</strong><strong>an</strong>z <strong>und</strong> Auflösung geachtet werden. Zur Vorbereitung <strong>der</strong><br />

Datensammlung wurden φ- <strong>und</strong> ω- sc<strong>an</strong>s bei verschiedenen 2θ-Werten simuliert. Die<br />

Meßzeiten <strong>für</strong> eine Aufnahme (frame) mußten <strong>für</strong> unterschiedliche Beugungswinkel<br />

<strong>an</strong> die Streukraft <strong>der</strong> Subst<strong>an</strong>z <strong>an</strong>gepaßt werden. Mit Hilfe von Testmessungen konnte<br />

somit <strong>der</strong> Zeitbedarf bzw. die zeitlich meßbare Auflösung bestimmt werden. In<br />

Tabelle 3.1 ist die daraus resultierende Strategie <strong>für</strong> die Messung des Datensatzes<br />

von N2O4 gezeigt. Dabei ist zu beachten, daß durch die kubische Raumgruppe in<br />

diesem Fall eine beson<strong>der</strong>s hohe Red<strong>und</strong><strong>an</strong>z erreicht werden konnte. Die Messung<br />

erfolgte <strong>an</strong> einem Bruker-AXS 3-Kreisdiffraktometer mit χ = 54 ◦ . Die Schrittweite<br />

war −0.3 ◦ .<br />

Mit dieser Strategie wurde eine Auflösung von 1.249 ˚A −1 (sin θ/λ) bei Verwen-

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