Mikrowelleneinflüsse auf Reaktionsfronten von Festkörperreaktionen

10 A1
Hesse
wurden bestimmte Raumfrequenzen ausgewählt, die dann in einem durch inverse
Fourier-Transformation erzeugten Bild im Realraum selektiv sichtbar gemacht
werden konnten. Auf diese Weise konnten Strukturen im Bild hervorgehoben werden,
die ohne Fourier-Filterung nur schwer erkennbar waren. Dabei wurde darauf
geachtet, keine Artefakte zu erzeugen und das Ergebnis der Bildverarbeitung
immer einer kritischen Diskussion anhand der Originalabbildung zu unterwerfen.
2.7. TEM-Probenpräparation
Für die TEM-Probenpräparation wurden in der Regel Standardmethoden verwendet.
Planarproben wurden durch Schleifen, einseitiges Muldenschleifen und
anschließendes einseitiges Ionenabdünnen hergestellt. Dabei erfolgten die Abdünnschritte
grundsätzlich von der Substratseite her und die Schicht war auf geeignete
Weise vor dem abtragenden Medium geschützt. Querschnittsproben wurden mit
der üblichen „Face-to-face“-Technik gewonnen. Die Face-to-face-Proben wurden
vor dem Ionenabdünnen entweder mittels Muldenschleifens oder aber durch planares
Feinschleifen von Hand (nach Aufkleben auf einen Kupfer- oder Molybdänring)
auf die nötige Dicke von ca. 30 µm geschliffen.
3. Ergebnisse und ihre Bedeutung
3.1. Gleichfeld-Einfluß auf Festkörperreaktionen
An Proben, die von Frau Dr. Smolin in der Arbeitsgruppe von Prof. Schmalzried
(U Hannover) im Rahmen der Arbeiten zu ihrer Dissertation [1,2] hergestellt wurden,
sind ausgewählte Aspekte der Bildung von MgFe 2 O 4 -Ausscheidungen infolge
der inneren Oxidation von (Mg,Fe)O-Mischkristallen unter Gleichfeldeinfluß von
uns elektronenmikroskopisch untersucht worden. Unter dem Einfluß des Gleichfeldes
finden in diesen anfänglich homogenen Mischkristallen bei hohen Temperaturen
um 1000 °C mehrere Prozesse statt, die miteinander wechselwirken und insgesamt
ein komplexes Wirkungsgefüge entstehen lassen. Da Mg- und Fe-Ionen
unterschiedliche Beweglichkeiten besitzen, entmischen sich die anfänglich homogenen
Mischkristalle partiell infolge der unter der Wirkung des Gleichfeldes einsetztenden
Transportvorgänge. Als Folge der dadurch bewirkten ortsabhängigen
Zusammensetzung werden auch die Transportkoeffizienten ortsabhängig. Bei konstantem
Gleichstrom-Durchgang ändern sich folglich die Anteile der ionischen und
elektronischen Teilstromdichten von Ort zu Ort, was am Ende wegen der notwendigen
Massenerhaltung zu Zersetzungsreaktionen im Kristallinneren und zur Bil-