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Mikrowelleneinflüsse auf Reaktionsfronten von Festkörperreaktionen

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14 A1<br />

Hesse<br />

Gitter einnehmen kann, wodurch längs der Berührungsflächen unterschiedlicher<br />

Keime Gitterfehler, sog. Kationenantiphasengrenzen, entstehen können (aber nicht<br />

müssen). Die "Spinellschnüre" sind <strong>von</strong> einer hier ca. 50 nm breiten ausscheidungsfreien<br />

Zone umgeben, außerhalb derer sich wiederum sehr kleine (nur 5 bis<br />

10 nm große) Ausscheidungen hoher räumlicher Anzahldichte befinden.<br />

Ein grundsätzlich vergleichbares Muster an morphologischen Details ist auch in<br />

den <strong>von</strong> Dr.Korte in der Arbeitsgruppe <strong>von</strong> Prof. Janek (U Gießen) hergestellten<br />

MgO/MgIn 2 O 4 -Proben gefunden worden, obwohl sich die Ausgangssituation in<br />

diesem Falle stark <strong>von</strong> dem der homogenen (Mg,Fe)O-Proben des obigen Falles<br />

unterschied: Hier wurden <strong>auf</strong> reine MgO-Kristalle zunächst dünne In 2 O 3 -Schichten<br />

<strong>auf</strong>gebracht, welche dann bei 1350 °C der Wirkung eines elektrischen Gleichfeldes<br />

ausgesetzt wurden. Die einsetzende Spinellbildungsreaktion führt hier zur Ausbildung<br />

einer ca. 2 µm dicken MgIn 2 O 4 -Schicht, die aber teilweise <strong>von</strong> rauher, wenig<br />

regelmäßiger Schichtmorphologie ist, vgl. [3]. Unsere TEM-Querschnittsuntersuchungen<br />

der MgIn 2 O 4 /MgO-Grenzfläche, die noch nicht abgeschlossen sind, zeigen<br />

unterhalb dieser Grenzfläche im MgO-Kristall überraschenderweise eine<br />

bandartige Zonenstruktur <strong>von</strong> kleinen Spinell-Ausscheidungen (Abb. 8). Unmittelbar<br />

unterhalb der Grenzfläche findet sich zunächst eine ausscheidungsfreie Zone<br />

Abb. 8: Querschnitts-Hellfeldabbildung einer MgIn 2 O 4 -Schicht (links, dunkel) und<br />

des schichtnahen MgO-Substratbereichs mit kleinen Spinellausscheidungen

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