2. HALBLEITERDIODEN - microLab - Berner Fachhochschule

Berner Fachhochschule, TI FACHBEREICH MIKROTECHNIK_____________________________________________________________________________________n n > n p und p p > p n .Die Elektronenkonzentration n im N-Gebiet ist grösser als im P-Gebiet, und die Löcherkonzentration p istim P-Gebiet grösser als im N-Gebiet.Durch Diffusion der Ladungsträger gehenElektronen aus dem N-Gebiet ins P-Gebiet, welches jetzt elektrisch nicht mehr neutral ist,sondern negativ geladen.Löcher ‘wandern’ aus dem P-Gebiet ins N-Gebiet, welches jetzt nicht mehr elektrischneutral ist, sondern positiv geladen2.2.2. DER STROMLOSE PN-ÜBERGANGDer oben beschriebene Vorgang führt zu einer Potentialdifferenz zwischen P und N Gebiet, der sog.Diffusionsspannung, die sich wie folgt beschreiben lässt:udiff UTnlnnnp UTplnppnmitkTU T , wobei k die Boltzmannkonstante (1,38 10 -23 Ws/K) undee die Elementarladung des Elektrons (1.602 10 -19 C) bedeuten.Beispiel für U diffn n = 1,5 10 14 /cm 3n p = 1,5 10 6 /cm 3U diff = 0,025 ln10 8 = 0.46V (T=300K).Bem: Diese Spannung U diff kann von aussen nicht mit einem Messinstrument gemessen werden.P. Walther, T. Kluter, 2010 ____________________________________________________________ 28