2. HALBLEITERDIODEN - microLab - Berner Fachhochschule
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<strong>Berner</strong> <strong>Fachhochschule</strong>, TI FACHBEREICH MIKROTECHNIK_____________________________________________________________________________________In Sperrrichtung fliesst ein kleiner Reststrom I Rmax . Diese sind typischI Rmax ~10pA für SiliziumI Rmax ~100nA für Germanium.Diese Werte sind stark temperaturabhängig und zwar gilt für Silizium ungefähr:UTFIkonst. 2mVK<strong>2.</strong><strong>2.</strong>6. DER GLEICHSTROMWIDERSTAND R EINER DIODEDer Gleichstromwiderstand R einer Diode ist wie folgt definiert:R=U/IDa die Diode keine lineare Kennlinie hat unterscheidet man zwischen Durchlassrichtung und Sperrrichtung.a) DurchlassrichtungBezeichnungR F ; (F = Forward, = Durchlassrichtung)Beispiel:U F =0.9V; I F = 15mA;=> R F =U F /I F =0,9V/15mA=60.I FR F variiert stark und ist als Parameter zurBeschreibung der Diodeneigenschaften ungeeignet.R FU FP. Walther, T. Kluter, 2010 ____________________________________________________________ 32
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