pdf (French) - Institut Fresnel

1.4 Augmentation de la précision de la CDM 29
y (µ m)
y (µ m)
y (µ m)
a) b)
c)
y (µ m)
0.2
0.1
0
−0.1
−0.2
0.2
0.1
u
v
−0.2 0 0.2
x (µ m)
0
−0.1
−0.2
0.2
0.1
0
−0.1
−0.2
0.2
0.1
0
−0.1
−0.2
k 0||
u
u
u
v
−0.2 0 0.2
x (µ m)
v
−0.2 0 0.2
x (µ m)
v
−0.2 0 0.2
x (µ m)
1.5
1.45
1.4
1.35
1.5
1.45
1.4
1.55
1.5
1.45
1.4
1.5
1.45
1.4
y (µ m)
y (µ m)
e) f)
y (µ m)
g) h)
y (µ m)
0.2
0.1
0
−0.1
−0.2
0.2
0.1
−0.1
−0.2
0.2
0.1
−0.1
−0.2
v
u
−0.2 0 0.2
x (µ m)
−0.2 0 0.2
x (µ m)
−0.2 0 0.2
x (µ m)
0
k 0||
u
v
−0.2 0 0.2
x (µ m)
Fig. 1.3 : Images de champ proche obtenues à z = 100 nm, λ = 600 nm, pour une
structure bi-périodique en présence d’un défaut. La structure bi-périodique est constituée
de pavés de silicium tels que a = 50 nm (notation de la Fig. 1.2). Pour les six premières
images k 0 est parallèle à l’axe x avec u = (100, 0) nm et v = (0, 100) nm. Pour les deux
dernières images [(g) et (h)], k 0 est comme montré sur les figures avec u = (100, 0) nm
et v = (50, 86) nm. Sur chaque figure le carré en trait plein représente le motif du réseau
et u, v les vecteurs de base de celui-ci. (a), (c) (e) et (g) sont obtenus pour θ = 0 ◦ .
(b), (d), (f) et (h) sont obtenus pour θ = 50 ◦ . (a), (b), (g) et (h) le carré en pointillé
représente la lacune dans la structure bi-périodique. (c) et (d) le défaut est un pavé en
argent de même taille que ceux de silicium. (e) et (f) le carré en pointillé est un cube de
silicium qui a été déplacé.
d)
0.2
0.1
0
−0.1
−0.2
0
u
u
v
v
3.8
3.6
3.4
3.2
3
2.8
5
4.5
4
3.5
3
3.8
3.6
3.4
3.2
3
2.8
3.8
3.6
3.4
3.2
3
2.8