NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP VẬT LIỆU CeO2/TiO2 NANO ỐNG VÀ HOẠT TÍNH XÚC TÁC PHÂN HỦY QUANG HÓA TRONG VÙNG KHẢ KIẾN

chân không ở 200 o C trong 2 h trƣớc khi đo. Diện tích bề mặt riêng đƣợc tính từ
phần tuyến tính trong phƣơng trình BET, đƣ ng phân bố kích thƣớc mao quản đƣợc
xác định từ nhánh khử hấp phụ với việc sử dụng công thức BJH diện tích bề mặt và
tính chất xốp của vật liệu.
2.3.7. Phổ phản xạ khuếch tán t ngoại khả kiến (UV-Visible Diffuse
Reflectance Spectroscopy, UV-Vis DRS)
Phổ phản xạ khuếch tán nằm ở vùng tử ngoại hay vùng khả kiến c n gọi là
phổ phản xạ khuếch tán tử ngoại khả kiến (UV-Vis-DR). Khảo sát phổ UV-Vis-DR
cho biết những thông tin về đỉnh hấp thụ của các chất xúc tác c ng nhƣ cho phép
tính các n ng lƣợng vùng cấm (E g ) - một trong những tính chất quan trọng nhất của
vật liệu bán dẫn r n.
- Nguyên tắc: Đối với vật liệu hấp thụ ánh sáng khi d ng tia tới có cƣ ng độ
(I o ) chiếu vào vật liệu hấp thụ qua một lớp m ng có độ dày là l, với hệ số hấp thụ .
Cƣ ng độ (I) của tia ló đƣợc tính theo định luật hấp thụ Lambert-Beer:
I
l
I
oe
(2.6)
Việc đo cƣ ng độ phản xạ khuếch tán đƣợc thực hiện trên một phổ kế UV-
Vis g n với một thiết bị phản xạ khuếch tán (c n gọi là quả cầu tích phân) có khả
n ng tập hợp d ng phản xạ. Quả cầu tích phân là một quả cầu r ng đƣợc phủ bên
trong vật liệu tr ng có mức độ phản xạ khuếch tán xấp xỉ 1. Quả cầu có một khe có
thể cho d ng ánh sáng đi qua và tƣơng tác với vật liệu cần đo và vật liệu so sánh.
Vật liệu tr ng với hệ số khuếch tán cao thƣ ng là polytetrafluoroethylene (PTFE)
hay barium sulfate (BaSO 4 ).
Giá trị n ng lƣợng vùng cấm E g có thể tính toán đƣợc dựa vào phƣơng trình
Tauc: ( ) (2.7)
Trong đó h là hằng số Planck, A là hằng số, E g là n ng lƣợng vùng cấm và ν là
tần số kích thích. V đồ thị (α.h.ν) 1/2 theo h.ν, đƣ ng thẳng tuyến tính đi qua điểm
uốn của đƣ ng cong này c t trục hoành, giá trị hoành độ ở điểm c t chính bằng
n ng lƣợng vùng cấm của vật liệu.
36