Monografia sopt 2 guerra electronica
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LA GUERRA ELECTRÓNICA EN ESPAÑA<br />
T/R permite una gran flexibilidad a la hora de agruparlos entre sí para realizar<br />
múltiples tareas en paralelo (por ejemplo, parte de los elementos pueden<br />
dedicarse a funciones ESM, mientras que otros pueden emplearse en<br />
transmitir información por medio de un enlace de datos táctico).<br />
– Aumento de la fiabilidad: la existencia en las AESAs de un elevado<br />
número de módulos T/R proporciona al sistema una gran robustez y<br />
tolerancia frente a fallos. Así, cuando un módulo T/R deja de funcionar,<br />
las prestaciones del sistema no se degradan de manera importante. A<br />
medida que se van produciendo fallos en otros módulos, las prestaciones<br />
del sistema se siguen degradando paulatinamente, pero la antena<br />
sigue funcionando. Esta característica supone una diferencia fundamental<br />
con las antenas PESAs, en las que cualquier fallo en el único<br />
transmisor/receptor que poseen provoca que estas antenas dejen de<br />
funcionar completamente.<br />
A pesar de estas ventajas, el desarrollo de las antenas AESAs se enfrenta<br />
todavía a importantes desafíos tecnológicos, entre los que destacan el<br />
desarrollo de módulos T/R compactos y ligeros y la reducción del elevado<br />
coste de fabricación de dichos módulos T/R.<br />
5.2.1.2. AMPLIFICACIÓN DE ESTADO SÓLIDO<br />
En general, los MMICs que constituyen los módulos T/R de las antenas<br />
AESA actuales se fabrican en tecnología de Arseniuro de Galio (GaAs). Esta<br />
tecnología es especialmente adecuada para aplicaciones de alta frecuencia,<br />
como los radares aerotransportados que operan en banda X (de 8 a 12,5<br />
GHz). Sin embargo, una de las principales limitaciones del GaAs es su baja<br />
conductividad térmica, que obliga a disipar el calor generado en los amplificadores<br />
de los MMIC por medio de complejos circuitos de refrigeración.<br />
El GaAs mantendrá su papel central en las tecnologías de AESAs hasta<br />
que se desarrolle la tecnología de Nitruro de Galio (GaN). Las propiedades<br />
de este material se describen en el apartado 5.2.3.<br />
Una descripción más detallada de los MMICs se encuentra en el apartado<br />
5.2.2.<br />
5.2.1.3. CONTRIBUCIÓN DE LAS AESAS A LAS TENDENCIAS FUTURAS DE GE<br />
Las antenas AESAs constituirán una parte fundamental de los futuros<br />
sistemas de GE, como se deduce de su importante contribución a las<br />
tendencias principales descritas en el apartado 5.1.:<br />
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