Monografia sopt 2 guerra electronica

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SISTEMA DE OBSERVACIÓN Y PROSPECTIVA TECNOLÓGICA
Observatorio Tecnológico de UAVS, Robótica y Sistemas Aéreos
grado en el módulo. Esta integración permitiría disponer de módulos T/R
fácilmente instalables y sustituibles en caso de fallo, lo que reduciría los
costes de mantenimiento de estos sistemas.
Para la implementación de módulos T/R de tipo tile resultan de gran
importancia las tecnologías para la realización de circuitos de RF en estructuras
3D (LTCC, etc.).
5.2.3. Nitruro de Galio (GaN)
La tecnología de estado sólido de Nitruro de Galio promete incrementar
en uno o dos órdenes de magnitud la potencia que se puede obtener con
la tecnología actual de amplificadores de GaAs. Además, el GaN permite
fabricar dispositivos de RF con capacidad de operar en un amplio rango
de frecuencias (dispositivos de banda ancha). Estas propiedades se derivan
de las especiales características del GaN: elevada conductividad
térmica, elevado campo eléctrico de ruptura y elevada impedancia de
salida.
El nitruro de galio también puede utilizarse para implementar amplificadores
de bajo ruido (LNA). Debido al elevado valor del campo eléctrico
de ruptura, los LNA de GaN son más resistentes que los de GaAs
frente a niveles elevados de potencia de entrada (que puede provenir,
por ej., de un perturbador externo). El resto de elementos del módulo
T/R (conmutadores, desfasadores, etc.) también se podrían realizar con
tecnología de nitruro de galio, lo que reduciría los costes de fabricación
al permitir que el módulo completo se fabrique con un mismo proceso
tecnológico.
Debido a las excepcionales propiedades
del nitruro de galio, se le
considera un semiconductor de importancia
estratégica para Defensa.
Esto justifica iniciativas como
el proyecto KORRIGAN, destinado
a promover el desarrollo en Europa
de la tecnología de GaN para evitar
la dependencia de suministradores
extranjeros. En la fig. 5.2.3-1 se
muestra un transistor HEMT multipuerta
de GaN desarrollado dentro
de esta iniciativa europea.
Figura 5.2.3-1. Transistor HEMT de GaN
(Fuente: Ministerio de Defensa / Consorcio
KORRIGAN).