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Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

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Chapitre IV : Filtre <strong>actif</strong> LC compensé du premier ordre<br />

Sachant que 2βR est supérieur à (rs/2-rb), la valeur <strong>de</strong> Ld est donc négative. Notez que<br />

la valeur Ls est dépendante <strong>de</strong> Ld, donc évi<strong>de</strong>mment différente elle aussi <strong>de</strong> celle du mo<strong>de</strong><br />

différentiel.<br />

Les valeurs <strong>de</strong> Ld <strong>et</strong> Ls pour adapter le mo<strong>de</strong> commun sont complètement différentes<br />

<strong>de</strong> celles du mo<strong>de</strong> différentiel. En conséquence l’adaptation <strong>de</strong>s <strong>de</strong>ux mo<strong>de</strong>s est impossible<br />

simultanément avec c<strong>et</strong>te configuration. Nous nous plaçons dans la suite dans les conditions<br />

<strong>de</strong> l’adaptation du mo<strong>de</strong> différentiel.<br />

C<strong>et</strong>te analyse donne une expression indicative <strong>de</strong>s valeurs <strong>de</strong>s inductances <strong>de</strong><br />

dégénérescences <strong>et</strong> d’adaptation d’entrée. Rappelons que l’eff<strong>et</strong> Miller n’est pas pris en<br />

compte dans c<strong>et</strong>te analyse. Une analyse numérique s’impose pour obtenir les valeurs exactes<br />

<strong>de</strong>s inductances.<br />

Le tableau IV-1 résume l’extraction <strong>de</strong>s paramètres <strong>de</strong>s transistors polarisés. Utilisant<br />

les expressions (IV-9) <strong>et</strong> (IV-11), nous calculons les valeurs idéales Ld = 3,63 nH <strong>et</strong><br />

Ls = 2,57 nH respectivement.<br />

Paramètres p<strong>et</strong>it signal <strong>de</strong>s<br />

transistors BJT à 2 GHz<br />

rb1, rb2<br />

rπ1, rπ2<br />

Cπ1, Cπ2<br />

Cµ1, Cµ2<br />

gm1, gm2<br />

r01, r02<br />

Valeurs<br />

7,845 Ω<br />

805 Ω<br />

1,022 pF<br />

207,7 fF<br />

26 mS<br />

2900 Ω<br />

Z0 ou rs 50 Ω<br />

Tableau IV-1 : Paramètres p<strong>et</strong>it signal <strong>de</strong>s transistors BJT<br />

<strong>de</strong> l’amplificateur différentiel<br />

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