Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre IV : Filtre actif LC compensé du premier ordre
Après optimisation du circuit, on retrouve une valeur d’inductance équivalente de
dégénérescence Ld plus forte que celle calculée égale à 5,8 nH avec une résistance série
équivalente de 7,5 Ω. Cette hausse est due aux effets parasites qui ne sont pas pris en compte
dans les calculs. La section IV de ce manuscrit présente la méthode de conception des
inductances de dégénérescence réelles en prenant en compte les effets de blindages.
En revanche, on trouve une valeur équivalente plus faible pour Ls égale à 1,14 nH
avec une résistance série de 0,94 Ω. Sur le layout final, cette inductance n’est qu’une simple
ligne reliant l’entrée du circuit à la partie active.
II.4. Evaluation de Zs
Il est très intéressant d’avoir l’impédance de sortie Zs en mode différentiel pour voir
son influence sur le résonateur. L’analyse de Zs en mode commun n’est pas nécessaire car le
résonateur n’intervient qu’en mode différentiel (Une étude plus détaillée est donnée en section
V.2).
Si nous supposons que e1=e2, Zs simulée du circuit actif a pour valeur (200-j506) Ω.
L’admittance équivalente dans ce cas est égale à
Y s
1 1
= + j (S).
1480 585
L’amplificateur présente ainsi une impédance équivalente à une résistance de 1480 Ω
en parallèle avec une capacité de 136 fF à 2 GHz.
II.5. Optimisation en bruit et en linéarité
Pour l’analyse du facteur de bruit NF la méthode utilisée consiste premièrement à
trouver la densité du courant qui traverse le transistor en générant un bruit minimal pour un
dimensionnement unitaire de ce transistor [1]. Cette étape nous permet d’avoir un rapport
(courant/taille du transistor) pour un NF optimal. Deuxièmement, on sélectionne la taille du
transistor qui correspond au β correspondant à l’amplification voulue. On définit le rapport
(courant/taille) pour trouver le courant qu’il faut pour obtenir un NF minimal (IV-14).
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