Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre IV : Filtre actif LC compensé du premier ordre
Pour compenser une faible admittance d’une inductance (IV-29), nous utiliserons un
gm faible, ce qui correspond à de petites tailles de transistors. Il est important de remarquer la
partie imaginaire associé à la partie réelle négative qui est due aux capacités parasites des
transistors et qui doit être prise en compte dans la conception finale.
L’impédance ou admittance de ce circuit de compensation en mode commun a pour
expression :
Z eq−com
V
=
I
3
1
+ V
+ I
1
=> Yeq−com = gm + + jωCgs
r
4
2
0
1
=
1
gm + + jωCgs
r
0
183
(IV-30)
L’expression de l’impédance de compensation en mode commun (IV-30) est positive, ce qui
indique que la structure de la résistance négative ne compense qu’en mode différentiel.
VI.2. Analyse en bruit du circuit de compensation
Pour simplifier l’analyse, on ne considère que le bruit thermique induit principalement
par le canal du transistor. On néglige le bruit en 1/f (bruit de Flicker) car il n’est pas dominant
aux fréquences de l’étude.
Sur la figure IV-51, on considère que les deux sources de bruit sont entre drain et source et
que ces sources sont complètement décorrélées. Les expressions des courants de bruit sont :
i = kTγg
(IV-31)
2
p1
4 m1
i = kTγg
(IV-32)
2
p2
4 m2
Le coefficient k = 1,38x10 -23 J/K est la constante de Boltzmann, gm est la transconductance,
T=300°K est la température en Kelvin et γ est un facteur de valeur 2/3 pour les transistors à
long canal (presque 5/2 pour des MOS à 0,25 µm [13]).