Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Annexe I : Valeur des éléments du filtre actif constitué d’inductance active
Inductance active :
Amplificateur :
Eléments Valeurs
T1-1, T1-2 (Rf nmos) 5 x (W= 20µ, L= 0,25µ, NG* = 2 segments)
T2-1, T2-2 (Rf nmos) 4 x (W= 60µ, L= 0,25µ, NG = 2 segments)
T3-1, T3-2 (Rf nmos) 1 x (W= 20µ, L= 0,25µ, NG = 2 segments)
T4-1, T4-2 (Rf nmos) 4 x (W= 32µ, L= 0,25µ, NG = 2 segments)
T5-1, T5-2 (Rf nmos) 8 x (W= 100µ, L= 0,25µ, NG = 2 segments)
Cin1, Cin2 (CapMIM) 2 x 0,82 pF (12,8µ x 12,8µ)
Vq
Vg3-1, Vg3-2
Vf -1, Vf -2
1V
1,8V
L1, L2 (fichier de paramètre S) Deux inductances de 2 nH fortement couplées
Q1-1, Q1-2 (BJT Pa) 1 x (W= 500m, L= 30µ, NE** = 2 seg)
Q2-1, Q2-2 (BJT Pa) 1 x (W= 500m, L= 50µ, NE= 4 segments)
Rp2-1, Rp2-2 (resPN) 150 Ω (W= 3,7µ, L= 2,275µ)
Rl+, Rl- (resPN) 2500 Ω (W= 3,7µ, L= 41,95µ)
Rd1-1, Rd1-2 (resPN) 55 Ω (W= 3,7µ, L= 0,65µ)
Ic2 (Source de courant Rf nmos) 4 x (W=35µ, L=0,25µ, NG = 2 segments)
Ic1 (Source de courant Rf nmos) 4 x (W=20µ, L=0,25µ, NG = 2 segments)
Capacité de découplage entrée (CapMIM) 2 // 4,5 pF (30µ x 30µ)
Résistance négative :
Tn-1, Tn-2 (Rf nmos) 1 x (W= 35µ, L= 0,25µ, NG = 2 segments)
1V
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